The polycrystalline sample of $Ba_2Co_{1.5}Mg_{0.5}Fe_{11.88}Ga_{0.12}O_{22}$ Y-type hexaferrite, doped with Ga-cation, was prepared by using the solid-state reaction method. The crystalline structure of sample was investigated by x-ray diffractometer (XRD), and the magnetic properties of sample were measured by vibrating sample magnetometer (VSM), and $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectrometer. The crystal structure of prepared sample was determined to be rhombohedral with space group R-3m. From the temperature dependence of the magnetization curves under 100 Oe between 4.2 and 740 K, two temperature-dependent magnetic transitions occurred in the $Ba_2Co_{1.5}Mg_{0.5}Fe_{11.88}Ga_{0.12}O_{22}$ sample. $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectra of the sample were analyzed at various temperatures ranging from 4.2 to 620 K, and the $Ba_2Co_{1.5}Mg_{0.5}Fe_{11.88}Ga_{0.12}O_{22}$ sample showed abrupt changes in $H_{hf}$ and $E_Q$ at 200 K, indicating the spin transition effect. We have also determined the magnetic transition temperature $T_C$, in addition to the temperature dependent magnetization and ZVC measurements.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.581-584
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2002
A new method for the preparation of lanthanide ions activated strontium aluminates phosphor by combustion method has been proposed. Combustion method consist of the redox reactions between the respective metal nitrates and urea in a preheated funace at $500^{\circ}C$. The luminescence behavior of the phosphor was studied and compared with corresponding phosphor prepared by conventional method. Effect of $Mg^{2+}$ ion concentration in strontium aluminate phosphor was investigated and the maximum luminescence of about $100cd/m^2$ was obtained. This method gave better brightness and small size to the phosphor than made by conventional method.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.5
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pp.441-448
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2002
The electrical properties of the GaN-based green light emitting diodes(LEDs) with the Mg-doped p-GaN layer activated in $N_2$ or $O_2$ ambient have been compared. For the $N_2$ -ambient activation the current-voltage behavior of LEDs has been found to be improved when the Mg dopants activation was performed in the higher temperature. However, for the $O_2$-ambient activation the current-voltage characteristic has been observed to be enhanced when the Mg dopants activation was carried out in the lower temperature. The minimum forward voltage at 20mA was obtained to be 4.8 V for LEDs with the p-GaN layer activated at $900^{\circ}C$ in the $N_2$ ambient and 4.5V for LEDs with the p-GaN layer treated at $700^{\circ}C$ in the $O_2$ambient, repectively. The forward voltage reduction of the LEDs treated in the $O_2$-ambient may be related to the oxygen co-doping of the p-GaN layer during the activation process. The $O_2$ -ambient activation process is useful for the enhancement of the LED performance as well as the fabrication process since this process can activate the Mg dopants in the low temperature.
Effect of MgO doping was studied by measuring complex impedance of PZT[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3] samples doped with 0.25~6 mol% MgO. Electrical conductivity of PZT samples increased within 1.5 mol% of MgO doping. However above 1.5 mol%, no noticeable changes were found. Activation energy and pre-exponential factor of electrical conductivity were found to decrease within 1.5 mol% of MgO doping, but increase above 1.5 mol%. Therefore it was concluded that the decrease of electrical conductivity with MgO doping was due to the decrease of activation energy.
Ganesh, Mani;Bhagiyalakshmi, Margandan;Peng, Mei Mei;Hemalatha, Pushparaj;Jang, Hyun-Tae
Proceedings of the KAIS Fall Conference
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2010.11a
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pp.313-317
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2010
Li, Zr doped mesoporous silica was synthesized in one pot and investigated for low temperature $CO_2$ adsorption. Herein CTAB and TEOS are used as structural directing agent and silica source respectively. The characteristics of the material was obtained from FT IR, XRD, SEM, TG and BET results. ICP AES results revealed the presence of lithium and zirconium. The material possesses high surface area ($962.22m^2g^{-1}$) with mono dispersed particles of about 2 nm. The maximum $CO_2$ adsorption capacity is 5 wt % (50 mg/g) of $CO_2$/g of sorbent at $25^{\circ}C$, which is regenerable at $200^{\circ}C$. This regeneration temperature of the adsorbent is lower than the reported lithium zirconium silicate powder. Until now, there is no report for the synthesis of Li, Zr doped mesoporous silica. The performance studies illustrate that Li, Zr doped mesoporous silica is tunable, regenerable, recyclable and selective sorbent and hence found to be a promising candidate for $CO_2$ adsorption.
Ferroelectric materials have been widely investigated for high density dynamic random access memories, opto-electrics, and tunable microwave devices due to their properties. In this study, we have investigated the dielectric properties of Ti doped $K(Ta,\;Nb)O_3$ thin films. By doping Ti Into the $K(Ta,Nb)O_3$ system, Ti with a valence value of +4 will substitute Ta or Nb ions with a valence value of +5. This substitution will introduce an acceptor state. Therefore, this introduced acceptor state will reduce dielectric loss by trapping electrons. Using 3% Ti-doped $K(Ta,Nb)O_3\;targets,\;K(Ta,Nb)O_3$:Ti films were grown in MgO(001) crystals using pulsed laser deposition. First, growth conditions were optimized. A reduction in the loss tangent was observed for Ti-doped $K(Ta,Nb)O_3$ relative to undoped films, although a reduction in tunability is also seen. The crystallinity, morphology, and tunability of $K(Ta,Nb)O_3$:Ti films are reported.
Jeon, Da-Hee;Min, Byung-Gak;Oh, Jong Gab;Nah, Changwoon;Park, Soo-Jin
Carbon letters
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v.16
no.1
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pp.57-61
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2015
Carbon aerogel is a porous carbon material possessing high porosity and high specific surface area. Nitrogen doping reduced the specific surface area and micropores, but it furnished basic sites to improve the $CO_2$ selectivity. In this work, N-doped carbon aerogels were prepared with different ratios of resorcinol/melamine by using the sol-gel method. The morphological properties were characterized by scanning electron microscopy (SEM). Nitrogen content was studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the specific surface area and micropore volume were analyzed by $N_2$ adsorption-desorption isotherms at 77 K. The $CO_2$ adsorption capacity was investigated by $CO_2$ adsorption-desorption isotherms at 298 K and 1 bar. Melamine containing N-doped CAs showed a high nitrogen content (5.54 wt.%). The prepared N-doped CAs exhibited a high $CO_2$ capture capacity of 118.77 mg/g (at resorcinol/melamine = 1:0.3). Therefore, we confirmed that the $CO_2$ adsorption capacity was strongly affected by the nitrogen moieties.
Park, Jinu;Kim, Nakyung;Choi, Jiwoon;Koh, Jaehyuk;Chin, Hee Sik;Jung, Duck Hyeong;Shin, Byungha
Korean Journal of Materials Research
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v.32
no.1
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pp.9-13
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2022
Bullets flying with a light from the back are called "tracers". Tracers are ignited by the combustion gas of the propellant and emit bright light that allows the shooter to visually trace the flight path. Therefore, tracers mark the firing point for allies to assist shooters to hit target quickly and accurately. Conventional tracers are constructed with a mixture of an oxidizing agent, raw metal, and organic fuel. Upon ignition, the inside of the gun can be easily contaminated by the by-products, which can lead to firearm failure during long-term shooting. Moreover, there is a fire risk such as forest fires due to residual flames at impact site. Therefore, it is necessary to develop non-combustion type luminous material; however, this material must still use the heat generated from the propellant, so-called "thermoluminescence (TL)". This study aims to compare the TL emission of Dy3+, La3+ and Ho3+ doped MgB4O7 phosphors prepared by solid state reaction. The crystal structures of samples were determined by X-ray diffraction and matched with the standard pattern of MgB4O7. Luminescence of various doses (200 ~ 15,000 Gy) of gamma irradiated Dy3+, La3+ and Ho3+ (at different concentrations of 5, 10, 15 and 20 %) doped MgB4O7 were recorded using a luminance/color meter. The intensity of TL yellowish (CIE x = 0.401 ~ 0.486, y = 0.410 ~ 0.488) emission became stronger as the temperature increased and the total gamma-ray dose increased.
20mol% Gd-doped CeO2 ultrafine powders as a promising electrolyte for the low temperature solid ox-ide fuel cells were synthesized with particle sizes of 15-20 nm using glycine nitrate process(GNP) fol-lowed by sintering their pellets at 150$0^{\circ}C$ for various times in air and then the electrical properties of the sintered pellets were investigated. The sintering behaviors and electrical properties for the sintered 20 sintered mol% Gd-doped CeO2 pellets were analyzed using dilatometer and SEM and AC two-terminal impedance technique respectively. As the heating temperature increased the synthesized powder had the sintering behaviors to show the start of the significant shrink at temperature of about $700^{\circ}C$ and to show the end of the shrink at the temperature of about 147$0^{\circ}C$. When the pellets were sintered with the vaious times at 150$0^{\circ}C$ the temperatuer which the shrink had been already completed the grain sizes in the sintered 20 mol% Gd-doped GeO2 pellets increased with the increase of the sintering time but their electrical resis-tivities showed the minimum value at the sintering time of 10h. It is due that the pellet sintered for 10h had the minimum activation energy fior the electtrical conduction. Thus it is thought that the decrease of the activation energy with the increase of the sintering time to 10h is induced by the enhanced mi-crostructure like the decrease of pore amount and the grain growth and its increase with the sintering times more than 10h is induced by the increase of the amounts of the impurities such as Mg. Al and Si from the sintering atmosphere.
We have investigated the effect of $Y_2O_3$ nanoparticles on the pinning properties of $Y_2O_3$-doped $GdBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (GdBCO) films. Both undoped and $Y_2O_3$-doped GdBCO films were grown on $CeO_2$-buffered MgO (100) single crystal substrates by pulsed laser deposition (PLD) using KrF (${\lambda}=248nm$) laser. The $Y_2O_3$ doping contents were controlled up to ~ 2.5 area% by varying the internal angles of $Y_2O_3$ sectors put on the top surface of GdBCO target. Compared with the $Gd_2O_3$-doped GdBCO films previously reported by our group [1], the $Y_2O_3$-doped GdBCO films exhibited less severe critical temperature ($T_c$) drop and thus slightly enhanced critical current densities ($J_c$) and pinning force densities ($F_p$) at 65 K for the applied field parallel to the c-axis of the GdBCO matrix (B//c) with increasing the doping content. Below 40 K, the in-field $J_c$ and $F_p$ values of all $Y_2O_3$-doped GdBCO films exhibited higher than those of undoped GdBCO film, suggesting that $Y_2O_3$ inclusions might act as effective pinning centers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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