• Journal of Computing Science and Engineering
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• 제3권3호
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• pp.181-194
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• 2009

Flash memory is increasingly being used in a wide range of storage applications because of its low power consumption, low access latency, small form factor, and high shock resistance. However, the current platforms for flash memory software development do not meet the ever-increasing requirements of flash memory applications. This paper presents three different hardware platforms for flash memory/NVRAM (non-volatile RAM) software development that overcome the limitations of the current platforms. The three platforms target different types of host system and provide various features that facilitate the development and verification of flash memory/NVRAM software. In this paper, we also demonstrate the usefulness of the three platforms by implementing three different types of storage system (one for each platform) based on them.

• Journal of Mechanical Science and Technology
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• 제19권7호
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• pp.1460-1468
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• 2005

Two possible shape memory processes, austenite to detwinned martensite transformation and twinned martensite to detwinned martensite transformation of a shape memory alloy have been modeled and examined. Eshelby's equivalent inclusion method with Mori-Tanaka's mean field theory is used for modeling of the shape memory processes of TiNi shape memory alloy reinforced aluminum matrix composite. The shape memory amount of shape memory alloy, plastic strain and residual stress in the matrix are computed and compared for the two processes. It is shown that the shape memory amount shows differences in a small prestrain region, but the plastic strain and the residual stress in the matrix show differences in the whole prestrain region. The shape memory process with initially martensitic state of the shape memory alloy would be favorable to the increase in the yield stress of the composite owing to the large compressive residual stress and plastic strain in the matrix.

• Korean Journal of Radiology
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• 제1권1호
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• pp.19-24
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• 2000

Objective: In order to investigate the functional brain anatomy associated with verbal and visual working memory, functional magnetic resonance imaging was performed. Materials and Methods: In ten normal right handed subjects, functional MR images were obtained using a 1.5-T MR scanner and the EPI BOLD technique. An item recognition task was used for stimulation, and during the activation period of the verbal working memory task, consonant letters were used. During the activation period of the visual working memory task, symbols or diagrams were employed instead of letters. For the post-processing of images, the SPM program was used, with the threshold of significance set at p < .001. We assessed activated brain areas during the two stimulation tasks and compared the activated regions between the two tasks. Results: The prefrontal cortex and secondary visual cortex were activated bilaterally by both verbal and visual working memory tasks, and the patterns of activated signals were similar in both tasks. The superior parietal cortex was also activated by both tasks, with lateralization to the left in the verbal task, and bilaterally without lateralization in the visual task. The inferior frontal cortex, inferior parietal cortex and temporal gyrus were activated exclusively by the verbal working memory task, predominantly in the left hemisphere. Conclusion: The prefrontal cortex is activated by two stimulation tasks, and this is related to the function of the central executive. The language areas activated by the verbal working memory task may be a function of the phonological loop. Bilateral prefrontal and superior parietal cortices activated by the visual working memory task may be related to the visual maintenance of objects, representing visual working memory.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 2003년도 ISIS 2003
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• pp.652-655
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• 2003

The human being receives a new information from outside and the information shows gradual oblivion with time. But it remains in memory and isn't forgotten for a long time if the information is read several times over. For example, we assume that we memorize a telephone number when we listen and never remind we may forget it soon, but we commit to memory long time by repeating. If the human being received new information with strong stimulus, it could remain in memory without recalling repeatedly. The moments of almost losing one's life in on accident or getting a stroke of luck are rarely forgiven. The human being can keep memory for a long time in spite of the limit of memory for the mechanism mentioned above. In this paper, we will make a model explaining that mechanism using a neural network Adaptive Resonance Theory.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권3호
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• pp.195-203
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• 2005

Recently, a novel multi-bit nonvolatile memory based on double gate (DG) MOSFET is proposed to overcome the short channel effects and to increase the memory density. We need more complex voltage schemes for DG MOSFET devices. In view of peripheral circuits driving memory cells, one should consider various voltage sources used for several operations. It is one of the key issues to minimize the number of voltage sources. This criterion needs more caution in considering a DG nonvolatile memory cell that inevitably requires more number of events for voltage sources. Therefore figuring out the permissible range of operating bias should be preceded for reliable operation. We found that reliable operation largely depends on the depletion conditions of the silicon channel according to charge amount stored in the floating gates and the negative control gate voltages applied for read operation. We used Silvaco Atlas, a 2D numerical simulation tool as the device simulator.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2012년도 추계학술발표대회
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• pp.204-206
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• 2012

SMP(Symmetric Multi-Processing)는 Shared memory bus 를 사용함으로써 scalability 가 제한적이었다. 이런 SMP의 scalability 제한을 극복하기 위해 제안 된 것이 NUMA(Non Uniform Memory Access)이다. NUMA는 memory bus 를 CPU 별 local 하게 가지고 있어 자신이 가지는 memory 영역에 대해서는 다른 영역을 접근하는 것 보다 더 빠른 latency 를 가지는 구조이다. Local 한 memory 영역의 존재는 scalability를 높여 주었지만 서버 가상화 환경에서 VM을 동적으로 scheduling 을 하였을 때 VM의 page 가 실행되는 core 의 local 한 메모리 영역에 존재하지 않게 되면 remote access로 인해 local access보다 성능이 떨어진다. 이 논문에서는 서버 가상화 환경에서 최신 architecture인 AMD bulldozer에서 NUMA affinity가 위반되었을 때 발생하는 성능 저하와 어떤 상황에서 이런 NUMA affinity가 위반되어도 성능저하가 없는지 연구하였다.

• 한국융합학회논문지
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• 제8권11호
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• pp.353-361
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• 2017

본 연구는 경증치매노인을 위한 사회복지시설인 기억학교에서 제공하고 있는 서비스와 프로그램에 대한 이용자와 보호자의 인식을 조사함으로써 기억학교의 필요성과 효과성을 확인하는 기초자료를 제공하기 위한 것이다. 이를 위해 대구시에서 지정 설치한 기억학교 이용자와 보호자 363명을 대상으로 기억학교 이용 만족도 및 태도에 대해 조사를 하였다. 분석결과 기억학교의 이용이 이용자에게 매우 높은 수준의 도움이 된다고 인식하고 있으며, 동시에 보호자의 부양부담 감소에도 매우 높은 수준으로 의미 있음이 드러났다. 이를 통해 기억학교가 시설의 설치목적에 적절히 부합하는 효과성을 가지고 있음을 알 수 있다. 특히, 기억학교의 프로그램 수준, 서비스의 종류 등과 향후 지속성에 대한 만족도 정도가 90% 이상의 상당히 높은 결과가 나타났음을 알 수 있었다. 따라서, 본 연구를 통해 경증치매노인을 위한 사회복지적 대응에 대한, 그리고 이를 위해 기억학교에 대한 기초자료로 정책적 시사점을 제공하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제49권7호
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• pp.71-79
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• 2012

컴퓨터 기술이 발전함에 따라 스마트폰, 태블릿 PC 등의 보급이 확산되고 디지털 매체로의 접근이 용이해졌다. 컴퓨터의 하드웨어 성능이 향상되고, 하드웨어 형태의 변화가 발생하였지만 기본적으로 이루어지는 동작 매커니즘의 변화는 이루어지지 않았다. 일반적으로 컴퓨터의 프로그램이 동작하게 되면 프로그램에서 사용하는 데이터가 메모리에 상주하게 된다. 이러한 데이터는 운영체제 동작의 효율성 때문에 메모리에 남아있게 되나, 메모리 덤프나 실시간 메모리 분석을 통해 메모리 내의 데이터에 접근이 가능하다. 이 데이터를 악용할 경우 사용자의 개인정보나 암호화 키, 기밀 데이터 등이 유출될 수 있기 때문에 대응 방안이 마련되어야 한다. 본 논문에서는 가상 메모리의 주소를 이용해 해당 프로세스의 물리 메모리 주소를 찾아내고 해당 프로세스의 메모리 데이터 초기화를 이용하여 사용자의 데이터 유출을 최소화하는 방안을 제안한다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.639-651
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• 2015

본 연구는 지식기반과 메타기억이 범주 예 생성 과제를 통해 측정되는 개념적 암묵적 기억에 영향을 미치는 지를 살펴보는데 목적이 있다. 본 연구의 대상은 서울과 경기도의 초등학교 2학년 60명, 초등학생 6학년 60명, 고등학생 60명, 총 180명이었다. 대상 아동들에게 범주예 생성 암묵적 기억검사, 지식기반검사, 메타기억검사를 시행하였다. 수집된 자료는 공변량 분석을 실시하였고, Scheffe 사후검증을 실시하였다. 연구결과 첫째, 연령이 높을수록 암묵적 기억이 발달하였다. 암묵적 기억량은 초등학교 2학년과 고등학생, 초등학교 6학년과 고등학생 간에 유의하게 차이가 나타났다. 둘째, 아동의 지식기반수준이 높을수록 암묵적 기억이 발달하였다. 연령과 지식기반의 유의한 차이가 나타났다. 셋째, 아동의 메타기억이 높을수록 암묵적 기억이 발달하였다. 본 연구결과들로 연령, 지식기반, 그리고 메타기억이 암묵적 기억의 발달에 중요한 요인이라는 것을 알 수 있었다. 그리고 아동이 연령에 따라 지식기반과 메타기억이 발달한다면 암묵적 기억이 발달할 것이라는 시사점을 제공한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.427-427
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• 2012

Ferroelectric-gate field effect transistor based memory using a nanowire as a conducting channel offers exceptional advantages over conventional memory devices, like small cell size, low-voltage operation, low power consumption, fast programming/erase speed and non-volatility. We successfully fabricated ferroelectric nonvolatile memory devices using both n-type and p-type Si nanowires coated with organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] via a low temperature fabrication process. The devices performance was carefully characterized in terms of their electrical transport, retention time and endurance test. Our p-type Si NW ferroelectric memory devices exhibit excellent memory characteristics with a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding $10^5$; long retention time of over $5{\times}10^4$ sec and high endurance of over 105 programming cycles while maintaining ON/OFF ratio higher $10^3$. This result offers a viable way to fabricate a high performance high-density nonvolatile memory device using a low temperature fabrication processing technique, which makes it suitable for flexible electronics.