Hosseinnejad, Hossein;Lotfollahi-Yaghin, Mohammad Ali;Hosseinzadeh, Yousef;Maleki, Ahmad
Earthquakes and Structures
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제23권3호
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pp.221-229
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2022
The external post-tension technique is one of the best strengthening methods for reinforcement and improvement of the various steel structures and substructure components such as beams. In the present work, the load carrying capacity of the post-tensioned tapered steel beams with external shape memory alloy (SMA) tendons are studied. 3D nonlinear finite element method with ABAQUS software is used to determine the effects of the increase in the flexural strength, and the improvement of the load carrying capacity. The effect of the different parameters, such as geometrical characteristics and the post-tension force applied to the tendons are also studied in this research. The results reveal that the external post-tension with SMA tendons in comparison with the steel tendons causes a significant improvement of the loading capacity. According to this, using SMA tendon for the reinforcement of the tapered beams causes a decrease in weight of these structures and as a consequence causes economic benefits for their application. This method can be used extensively for steel beams due to low executive costs and simplicity of the operation for post-tension.
In this study, we investigated the effects of Ginseng Radix (G), Rehmanniae Radix (R), and Fermented red-ginseng extracts (FRG) on cognitive function in scopolamine-induced memory-impaired mice. We measured the effects of G, R, and FRG on the improvement of memory and cognition via behavior analysis. In addition, we measured the acetylcholinesterase (AChE) activity in the hippocampus of each group of mice. The expression of β-amyloid, Tau, and BDNF in the brain tissues were observed through immunohistochemical staining. Ginseng Radix (G) and Fermented red-ginseng (FRG) have effectively improved cognitive function in the water maze test. Ginseng Radix (G), Rehmanniae Radix (R), and Fermented red-ginseng (FRG) have improved the willingness of mice to explore the new environment, as confirmed by Y maze test. In addition, immunohistochemical staining revealed that Ginseng Radix (G) decreased the expression of β-amyloid and Tau in the hippocampus. In addition, fermented red-ginseng (FRG) increased the expression of BDNF. Ginseng Radix (G), Rehmanniae Radix (R), and Fermented red-ginseng (FRG) have decreased the concentration of acetylcholinesterase in the hippocampus as compared with the control group of mice. In conclusion, Ginseng Radix (G), Rehmanniae Radix (R), and Fermented red-ginseng (FRG) are considered to have the potential for development as candidate drugs to control the progression of Alzheimer's disease (AD).
F2FS는 SSD(Solid State Drive)를 위한 파일시스템 중의 하나로서 리눅스 운영체제의 커널에 채용되어 널리 사용되고 있다. F2FS는 플래시 메모리의 특성을 반영하여 성능을 높이기 위한 여러 가지 방안들을 적용하였는데, 그 중의 하나가 파일별 데이터 블록들의 주소 정보를 관리하는 인덱스 구조의 개선이다. 본 논문에서는 F2FS의 인덱스 구조를 더욱 개선하여 성능을 높이는 방안을 제시하였다. F2FS는 모든 인덱스 블록들에 대하여 논리적 번호로 기록하고 이것을 물리적 번호로 매핑하는 테이블을 사용한다. 본 논문에서는 인덱스 블록들 중에서 끝단의 블록만 논리적 번호를 적용하고 앞단의 블록들은 물리적 번호를 직접 적용함으로써, 데이터 블록 접근시에 매핑 테이블을 검색하는 회수를 기존의 1~4회에서 1~2회로 줄일 수 있음을 보여주었다.
최근 실시간 서비스의 요구 사항을 갖는 위치 기반 서비스(Location Based Service : LBS)와 텔레매틱스(Telematics) 서비스를 효율적으로 제공하기 위해서 공간 메인 메모리 DBMS에 대한 관심이 급증하고 있다. 이러한 공간 메인 메모리 DBMS에서는 시스템 장애가 발생하였을 경우 메인 메모리상의 모든 공간 데이타를 잃어버릴 수 있으므로 데이타베이스의 안정성을 위한 회복 시스템은 매우 중요하다. 회복 시스템에서 로그와 체크포인트 수행 과정 중 발생하는 디스크 입출력은 전체 시스템 성능을 저하하는 중요한 요인이 되고 있다. 그러므로, 공간 메인 메모리 DBMS에서 디스크 입출력을 줄일 수 있는 효율적인 회복 시스템에 대한 연구가 절실히 필요하다. 본 논문에서는 공간 메인 메모리 DBMS를 위한 효율적인 회복 시스템에 대해서 연구하였다. 먼저 로그 기법으로는 디스크 입출력을 줄이고 트랜잭션의 동시성 향상을 위해 사전 완료 기법을 사용하였고, 전체 시스템 성능을 향상시키기 위해 기존의 퍼지-핑퐁 체크포인트 기법에서 발생하는 동일 페이지에 대한 중복 디스크 입출력 문제를 해결한 퍼지-쉐도우 체크포인트 기법을 제안하여 회복 시스템 구현 시 사용하였다. 그리고 마지막으로 본 논문에서 개발한 회복 시스템의 성능 평가를 수행하여 효율성을 입증하였다.
본 논문은 디지털 오디오 신호처리의 고속 및 저전력 동작을 구현하기 위한 전류모드 신호처리의 고성능 회로에 관하여 설계방안을 제시한다. 디지털 오디오 프로세서는 FFT(fast Fourier transform)와 같은 디지털 연산 동작이 필요하며, FFT 프로세서는 그 설정 포인트에 따라, 전력이 많이 필요하게 되며, 또한 고속 동작의 요구에 따라, 전력의 부담은 증대되고 있다. 따라서, 디지털 오디오 프로세서에 SI(switched current) circuit을 이용하는 analog current-mode 신호처리의 응용이 적용되게 되었다. 그러나 SI circuit을 구성하는 current memory는 clock-feedthrough의 문제점을 갖기 때문에, 전류 전달 특성에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 current memory의 문제점인 clock- feedthrough의 해결방안으로 switch MOS에 dummy MOS의 연결을 검토하고, 0.25um process로 제작하기 위하여 switch MOS와 dummy MOS의 width의 관계를 도출하고자 한다. 시뮬레이션 결과, memory MOS의 width가 20um, 입력전류와 바이어스전류의 비가 0.3, switch MOS의 width가 2~5um일 경우에 switch MOS와 dummy MOS의 width는 $W_{M4}=1.95W_{M3}+1.2$의 관계로 정의되고, switch MOS의 width가 5~10um일 경우에 width는 $W_{M4}=0.92W_{M3}+6.3$의 관계로 정의되는 것을 확인하였다. 이 때, 정의된 MOS transistor의 width관계는 memory MOS의 설계에 유용한 지침이 될 것이며, 저전력 고속 동작의 디지털 오디오 프로세서의 적용에 매우 유용할 것으로 기대된다.
Radiation particles can introduce temporary errors in memory systems. To protect against these errors, so-called soft errors, error detection and correcting codes are used. In addition, scrubbing is applied which is a fundamental technique to avoid the accumulation of soft errors. This paper introduces an optimal scrubbing scheme, which is suitable for a system with auto error detection and correction logic. An auto error detection and correction logic can correct soft errors without CPU's writing operation. The proposed scrubbing scheme leads to maximum reliability by considering both allowable scrubbing load and the periodic accesses to memory by the tasks running in the system.
Phase change memory (PCM) has attracted much attention as one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory. In that regard, the purposes of the study are to propose reference of effective pulse parameter to control phase switching operation and to invest the effect of nitrogen doped in PCM materials for improved cycling stability and economic energy consumption. Switching operation of PCM is affected by electric pulse parameter and as shown in figure.1 are composed to RT(rising time), ST(setting time), FT(falling time) and the effect of these parameter was precisely investigated. Transmission electron microscope (TEM) was used to confirm fine structure and retention cycle test was conducted to confirm reliability. Finally improvement reliability and economic power consumption in quantitatively are obtainable by optimum pulse parameter and nitrogen doping in GST material. these study is related to the engineering background of other semiconductor industries and it have confirmed to possibility further applications.
In the recent years, as the research and the development of micro and precision machinery become active, the interest of micro actuators using SMA(Shape Memory Alloy) has been increased. The dydnamic characteristic analysis of SMA is necessary for actuator application and many common researches report the material characteristics of SMA sufficiently. However the research for dynamic characteristics is very deficient. In this paper, the helical suing are fabricated with NiTi SMA wire of high resistivity. The force, response speed, temperature, and displacement are measured by digital force gauge, infrared thermometer, and laser displacement sensor so that the dynamic characteristics of this SMA is analyzed. Also, bidicrectional actuator was fabricated and experimented for its performance.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권1호
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pp.32-39
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2008
Tunnel oxide of non-volatile memory (NVM) devices would be very difficult to downscale if ten-year data retention were still needed. This requirement limits further improvement of device performance in terms of programming speed and operating voltages. Consequently, for low-power applications with Fowler-Nordheim programming such as NAND, program and erase voltages are essentially sustained at unacceptably high levels. A promising solution for tunnel oxide scaling is tunnel barrier engineering (TBE), which uses multiple dielectric stacks to enhance field-sensitivity. This allows for shorter writing/erasing times and/or lower operating voltages than single $SiO_2$ tunnel oxide without altering the ten-year data retention constraint. In this paper, two approaches for tunnel barrier engineering are compared: the crested barrier and variable oxide thickness. Key results of TBE and its applications for NVM are also addressed.
In the recent years, as the research and the development of micro and precision machinery become active, the interest of micro actuators using SMA(Shape Memory Alloy) has been increased. The dynamic characteristic analysis of SMA is necessary for actuator application and many common researches report the material characteristics of SMA sufficiently. However, the research on dynamic characteristics is very deficient. In this paper, the helical spring are fabricated with NiTi SMA wire of high resistivity. The force, response speed, temperature, and displacement are measured by digital force gauge, infrared thermometer, and laser displacement sensor so that the dynamic characteristics of this SMT is analyzed. Also, bidirectional actuator was fabricated and experimented for its performance
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[게시일 2004년 10월 1일]
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