본 논문에서는 사용자로부터 테스트하고자 하는 고장 모델을 입력받아 적절한 much 테스트 알고리즘을 만들고 BIST 회로를 생성해 주는 Memory BIST Circuit Creation System(MBCCS) 을 제안하고 있다. 기존의 툴들은 널리 사용되고 있는 알고리즘에 국한되어 메모리의 사양이 변할 경우 거기에 맞는 BIST 회로를 다시 생성해주는 번거로움이 있었다. 하지만 본 논문에서 제안한 툴에서는 다양해진 메모리 구조에 적합한 메모리 BIST 회로를 사용자 요구에 맞는 알고리즘을 적용해서 자동적으로 생성하게 하였고, 임의적으로 선택된 고장 모델에 대한 알고리즘을 제안된 규칙에 따라 최적화함으로 해서 효율성을 높였다. 또한 다양한 크기의 폭을 갖는 주소와 데이터를 지원하며 IEEE 1149.1 회로와의 인터페이스도 고려하였다.
Kim, Ilwoong;Jeong, Woosik;Kang, Dongho;Kang, Sungho
ETRI Journal
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제37권4호
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pp.787-792
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2015
To accomplish a high-speed test on low-speed automatic test equipment (ATE), a new instruction-based fully programmable memory built-in self-test (BIST) is proposed. The proposed memory BIST generates a highspeed internal clock signal by multiplying an external low-speed clock signal from an ATE by a clock multiplier embedded in a DRAM. For maximum programmability and small area overhead, the proposed memory BIST stores the unique sets of instructions and corresponding test sequences that are implicit within the test algorithms that it receives from an external ATE. The proposed memory BIST is managed by an external ATE on-the-fly to perform complicated and hard-to-implement functions, such as loop operations and refresh-interrupts. Therefore, the proposed memory BIST has a simple hardware structure compared to conventional memory BIST schemes. The proposed memory BIST is a practical test solution for reducing the overall test cost for the mass production of commodity DDRx SDRAMs.
본 논문에서는 내장된 메모리의 테스트를 편리하게 하기 위하여 간단한 사용자 설정에 의해 자동으로 BIST IP를 생성해 내는 범용 CAD 툴을 개발하였다. 기존의 툴들은 널리 사용되고 있는 알고리즘에 국한되어 있어 메모리의 모델이 변하게 되면 다시 메모리 모델에 따라 BIST IP를 설계해야 하는 번거로움이 있었다. 하지만 본 논문에서는 사용자가 원하는 메모리 모델에 따라 알고리즘을 적용해 자동으로 BIST IP를 생성해 주는 툴을 개발하였다. 내장된 메모리로는 리프레쉬가 필요 없는 다중-포트 비동기식 SRAM이 가장 많이 사용되며, 본 연구에서는 이중-포트 SRAM에 대하여 연구 하였다.
본 논문에서 제안한 FSM 기반의 프로그래머블 BIST(Built-In Self-Test)는 플래시 메모리를 테스트하기 위한 기조의 알고리즘들을 코드화 하여 그 중에서 선택된 알고리즘의 명령어 코드를 받아서 플래시 메모리 테스트를 수행한다. 또한 제안하는 구조는 각 알고리즘에 대한 테스트 절차를 간단하게 한다. 이외에도 플래시 메모리 BIST를 재구성하는데 걸리는 시가도 기조의 BIST와 비교해 볼 때 매우 적다. 우리가 제안한 BIST 구조는 자동적으로 Verilog 코드를 생성해주는 프로그래머블 플래시메모리 BIST 생성기이다. 만약 제안된 방법을 실험하게 되면, 제안된 방법은 이전의 방법들과 비교해서 크기도 더 작을 뿐만 아니라 융통성 면에서도 좋은 성과를 얻었다.
본 논문에서는 회로의 테스트 시간과 비용을 절감할 수 있는 BIST(Built-In Self Test)기법을 이용하여 메모리 테스트 알고리즘을 칩내에서 수행하는 회로를 설계하였다. 메모리 테스트에 사용되는 MSCAN, Marching, Checkerboard알고리즘을 수행하는 회로를 구현하기 위해 BIST회로에서 요구되는 구조를 파악하고 VHDL을 이용하여 각 블록별로 기술하였다. 그리고 CAD tool을 이용하여 각 블록에 대한 동작을 검증하고 회로합성기로써 각 알고리즘에 대한 BIST 회로를 추출하였다. 추출된 회로는 전체 메모리에 대해 무시할 정도의 오버헤드를 갖는다.
메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 그에 따라 구성요소들의 크기가 작아지게 되고, 고장의 감응성이 증가하게 되어, 테스트는 더욱 복잡하게 된다. 또한, 칩 하나에 포함되어 있는 저장요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 된다. SoC 기술의 발달로 대용량의 내장 메모리를 통합할 수 있게 되었지만, 테스트 과정은 복잡하게 되어 외부 테스트 환경에서는 내장 메모리를 테스트하기 어렵게 되었다. 본 논문은 ARM 프로세서 기반의 SoC 환경에서의 임베디드 메모리를 테스트할 수 있는 프로그램 가능한 메모리 내장 자체 테스트를 제안한다.
본 논문에서는 내장 메모리 테스트를 위해 메모리 테스트 알고리즘인 10N March 테스트 알고리즘을 회로로 구현하였으며, 구현된 내장 메모리 BIST 회로를 제어하기 위해 IEEE 1149.1 표준안을 회로로 구현하였다. 구현된 내장 메모리 테스트 회로는 워드 단위의 메모리를 위한 변경 데이터를 이용함으로써 워드 단위 메모리의 고착 고장, 천이 고장, 결합 고장을 완전히 검출할 수 있다. 구현된 회로는 Verilog-HIDL을 이용하여 구현하였으며, Synopsys에서 합성하였다. 합성된 메모리 테스트 회로와 IEEE 1149.1 회로의 검증은 메모리 컴파일러에 의해 생성된 메모리 셀과 VerilogXL을 이용하여 수행하였다.
본 논문에서 구현한 GenBIST는 메모리 테스팅을 위한 정보를 입력으로 받아 테스트용 회로를 VerilogHDL 코드로 자동 생성해 주는 설계 자동화 툴 이다. 상용 툴 들을 포함한 기존의 툴 들은 대부분 메모리 테스트를 위한 알고리즘들을 라이브러리화하고 이를 회로로 생성해주는 방식인데 반해, 본 논문에서 구현한 툴은 사용자가 정의한 알고리즘대로 회로를 생성해 줌으로써 새로운 알고리즘의 적용을 용이하게 하였다. 또한 다중 메모리를 지원할 수 있게 함으로써 메모리 BIST 회로를 공유할 수 있게 하였고 serial interfaceing 기법을 사용함으로써 경계 주사 기법과 함께 사용될 경우 메모리 테스트를 위한 부가적인 핀을 필요로 않는다.
Park, Youngkyu;Kim, Hong-Sik;Choi, Inhyuk;Kang, Sungho
ETRI Journal
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제35권5호
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pp.808-818
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2013
Programmable memory built-in self-test (PMBIST) is an attractive approach for testing embedded memory. However, the main difficulties of the previous works are the large area overhead and low flexibility. To overcome these problems, a new flexible PMBIST (FPMBIST) architecture that can test both single-port memory and dual-port memory using various test algorithms is proposed. In the FPMBIST, a new instruction set is developed to minimize the FPMBIST area overhead and to maximize the flexibility. In addition, FPMBIST includes a diagnostic scheme that can improve the yield by supporting three types of diagnostic methods for repair and diagnosis. The experiment results show that the proposed FPMBIST has small area overhead despite the fact that it supports various test algorithms, thus having high flexibility.
기존의 메모리에서 발생하는 다양한 고장들을 검출하기 위한 기법으로 BIST(Built-in self test)가 있고 고장이 검출되면 Spare를 할당하여 수리하는 BIRA(Built-in redundancy analysis)가 있다. 그리고 BIST와 BIRA를 통합한 형태인 BISR(Built-in self repair)를 통해 전체 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 그러나 이전에 제안된 기법들은 RAM을 위해 제안된 기법으로 RAM의 메모리 구조와 특성이 다른 NAND-형 플래시 메모리에 사용하기에는 NAND-형 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance를 진단하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 NAND-형 플래시 메모리에서 발생하는 Disturbance 고장을 검출하고 고장의 위치도 진단할 있는 BISD(Built-in self diagnosis)와 고장 블록을 수리할 수 있는 BISR을 제안한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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