Song, Kyung Mee;Kim, Dong-Ok;Kim, Jae-Sung;Lee, Dong Ryeol;Choi, Jun Woo
Current Applied Physics
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제18권11호
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pp.1212-1217
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2018
The electric field-induced modifications of magnetic anisotropy in CoFeB/MgO systems are studied using X-ray resonant magnetic scattering and magneto-optical Kerr effect. Voltage dependent changes of the magnetic anisotropy of -12.7 fJ/Vm and -8.32 fJ/Vm are observed for Ta/CoFeB/MgO and Hf/CoFeB/MgO systems, respectively. This implies that the interfacial perpendicular magnetic anisotropy is reduced (enhanced) when electron density is increased (decreased). X-ray resonant magnetic scattering measurements reveal that the small in-plane magnetic component of the remanent state of CoFeB/MgO systems with weak magnetic anisotropy changes depending on the applied voltage leading to modification of the magnetic anisotropy at the CoFeB/MgO interface.
We find a metastable vortex state of the perpendicular magnetic anisotropy free layer in spin transfer torque magnetic tunneling junctions by using micromagnetic simulations. The metastable vortex state does not exist in a single layer, and it is only found in the trilayer structure with the perpendicular magnetic anisotropy polarizer layer. It is revealed that the physical origin is the non-uniform stray field from the polarizer layer.
Spin Transfer Torque (STT) is of great interest in data writing scheme for the Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) using Magnetic Tunnel Junction (MTJ). Scalability for high density memory requires ferromagnetic electrodes having the perpendicular magnetic easy axis. We investigated CoZr as the ferromagnetic electrode. It is observed that interfacial magnetic anisotropy is preferred perpendicular to the plane with thickness dependence on the interfaces with Pt layer. The anisotropy energy (Ku) with thickness dependence shows a change of magnetic-easy-axis direction from perpendicular to in-plane around 1.2 nm of CoZr. The interfacial anisotropy (Ki) as the directly related parameters to switching and thermal stability, are estimated as $1.64erg/cm^2$ from CoZr/Pt multilayered system.
The magnetic anisotropy field plays an important role in spin-orbit-torque-induced magnetization dynamics with electric current injection. Here, we propose a magnetometric technique to measure the magnetic anisotropy field in nanostructured ferromagnetic thin films. This technique utilizes a magneto-optical Kerr effect microscope equipped with two-axis electromagnets. By measuring the out-of-plane hysteresis loops and then analyzing their saturated magnetization with respect to the in-plane magnetic field, the magnetic anisotropy field is uniquely quantified within the context of the Stoner-Wohlfarth theory. The present technique can be applied to small nanostructures, enabling in-situ determination of the magnetic anisotropy field of nanodevices.
FeN thin films were deposited by RF-reactive diode sputtering to investigate magnetic characteristics variation due to substrate tilt during the film deposition, and their magnetic properties were measured by VSM, SEM and AFM. When the substrate tilt pivot edges were parallel to the applied field, the magnetic anisotropy was increased When the substrate tilt pivot edges were perpendicular to the applied field, the easy magnetization axis became the hard magnetization axis, and the hard axis became the easy axis as the tilt angles were increased. The reason is believed to be due to the fact that the tilt induced shape magnetic anisotropy became larger than the field induced magnetic anisotropy by DC magnetic field as the crystal grains are enlongated along the substrate tilt pivot edges due to "oblique incidence anisotropy" commonly found in eveporated thin films.
Lee, Ji Eun;Tsedenbal, Bulgan;Koo, Bon Heun;Huh, Seok Hwan
한국재료학회지
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제30권11호
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pp.589-594
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2020
Many electronic applications require magnetic materials with high permeability and frequency properties. We improve the magnetic permeability of soft magnetic powder by controlling the shape magnetic anisotropy of the powders and through the preparation of amorphous nanoparticles. For this purpose, the effect of the shape magnetic anisotropy of amorphous Fe-B-P nanoparticles is observed through a magnetic field and the frequency characteristics and permeability of these amorphous nanoparticles are observed. These characteristics are investigated by analyzing the composition of particles, crystal structure, microstructure, magnetic properties, and permeability of particles. The composition, crystal structure, and microstructure of the particles are analyzed using inductively coupled plasma optical emission spectrometry-, X-ray diffraction, scanning electron microscopy and focused ion beam analysis. The saturation magnetization and permeability are measured using a vibrating sample magnetometer and an LCR meter, respectively. It is confirmed that the shape magnetic anisotropy of the particles influences the permeability. Finally, the permeability and frequency characteristics of the amorphous Fe-B-P nanoparticles are improved.
The amorphous Co-based magnetic films have a large saturation flux density, a low coercive force, and a zero magnetostriction constant. Therefore, they have been studied for application to magnetic recoding heads and micro magnetic devices. However, it was found that the magnetic anisotropy was changed for each film fabrication processes. In this study, we investigated how to control the anisotropy of sputtered amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ films. After deposition, the rotational field annealing ant the uniaxial field annealing were performed under the magnetic field of 1.5 kOe. the annealing was done at the temperature range from 400 to $600^{\circ}C$ for one hour. As-deposited amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin film had saturation magnetization ($4\piM_5$) of 0.8 T, coercive force($_IH_C$) of 1.5 Oe, and anisotropy field($H_k$) of 11 Oe. The amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin films annealed by rotational field annealing at $500^{\circ}C$ for one hour was found to be isotropy, and $4\piM_5$ of 0.9 T was obtained from these films, Also, the magnetic anisotropy of as-deposited films could be controlled by uniaxial field annealing at $400^{\circ}C$ for one hour. Anisotropy field($H_k$) of 17 Oe and $4\piM_5$ of 1.0 T were obtained by this method.
Using ab initio calculations, we study the MgO(001) and Fe/MgO(001) surface phases and the effects of interface structure on the Fe/MgO magnetic anisotropy. The surface phase diagrams of MgO(001) and Fe/MgO(001) show that the most stable surface structures are either defect-free surface or the surfaces with oxygen vacancies in c($2{\times}1$) periodicity for the systems. By the formations of the oxygen vacancy rows on MgO(001) surface, the in-plane magnetic anisotropy energy of Fe overlayer is reduced while the perpendicular magnetic anisotropy energy is increased from 0.1 to 0.5 meV per Fe atom.
The role of magnetic anisotropy of the antiferromagnetic layer on the magnetization process of exchange coupled polycrystalline ferromagnetidantiferromagnetic bilayers is discussed. In order to elucidate the magnetic torque response of Ni-Fe/Mn-Ir bilayers, the single spin ensemble model is newly introduced, taking into account the two-dimensionally random distribution of the magnetic anisotropy axes of the antiferromagnetic grains. The mechanism of the reversible inducement of the exchange anisotropy along desirable directions by field cooling procedure is successfully explained with the new model. Unidirectional anisotropy constant, J$k$, of polycrystalline Ni-Fe/Mn-Ir and Co-Fe/Mn-Ir bilayers is investigated as functions of the chemical composition of both the ferromagnetic layer and the antiferromagnetic layer. The effects of microstructure and surface modification of the antiferromagnetic layer on JK are also discussed. As a notable result, an extra large value of J$k$, which exceeds 0.5 erg/cm$^2$, is obtained for $Co_{70}Fe_{30}Mn_{75}Ir_{25}$ bilayer with the ultra-thin (50${\AA}$∼100${\AA}$) Mn-Ir layer. The exchange anisotropy of $Co_{70}Fe_{30}$ 40 ${\AA}/Mn_{75}Ir_{25}$ 100 ${\AA}$ bilayer is stable for thermal annealing up to $400{^{\circ}C}$, which is sufficiently high for the application of spin valve magnetoresistive devices.
최근 들어 자기이방성센서를 이용한 비파괴응력계측기법은 강교나 강관 등의 건설 분야에서 적용되어지고 있다. 또한 터널건설현장에서 이용되는 강지보재에 대해서도 적용한 사례가 있다. 본 연구에서는 일본에서 개발된 자기이방성센서와 스트레인 게이지를 이용하여 국산 강재인 SS400에 적합한 응력감도곡선을 도출하기 위해 강재하중재하실험을 수행하였다. 또한 자기이방성센서를 이용한 비파괴 응력계측기법의 적용성을 평가하기 위하여 추가 강재하중재하실험과 수치해석을 실시하였다. 본 연구의 결과, 계측위치에 따라 자기이방성센서에서 측정된 출력전압과 스트레인 게이지로 측정된 응력의 평균을 이용하여 국산 강재인 SS400에 적합한 응력감도곡선을 도출하였다. 그리고 추가 강재하중재하실험과 수치해석을 비교한 결과, 자기이방성센서의 오차범위가 약 20MPa 정도임을 알 수 있었다. 자기이방성센서를 강재의 응력상태를 파악할 목적으로 사용할 경우, 강재의 항복응력의 레벨(245MPa)을 고려하면 공학적으로 충분한 정확도를 가지고 있다고 판단된다. 특히 자기이방성센서는 계측 센서가 부착되어 있지 않은 강구조물에서 잔류응력을 고려한 현재상태의 응력을 용이하게 파악할 수 있으며, 강구조물의 유지관리에 편리하게 적용이 가능함을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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