• ETRI Journal
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• v.13 no.4
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• pp.10-24
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• 1991

본 연구에서는 기상 성장법 (VPE : vapor phase epitaxy) 으로 성장된 $n^+(Si:2X10^18cm^-3)$/$n(Si:1x10^17cm^-3)$구조의 시편 위에 SiN 과 감광막 등 식각 선택비가 서로 다른 두 물질로 보호된 소스와 드레인 사이의 게이트 형성 영역을 건식식각과 습식식각방법으로 리세스 에칭을 하여 형성한 후, 게이트를 자기정렬하여 형성시킬 수 있는 이중 리세스공정 기술을 개발하였고, 이를 통하여 전력용 MESFET 소자를 제작하였다.게이트 형성부분의 wide recess 폭은 건식식각으로 SiN을 측면식각(lateral etch) 함으로써 조절하였는데, 이 방법을 사용하여 MESFET 소자의 임계전압을 조절할 수 있고, 동시에 소스-드레인 항복전압을 30V 까지 향상시킬 수 있었다. 소스-드레인 항복전압은 wide recess 폭이 증가함에 따라, 그리고 게이트 길이가 길어짐에 따라 증가하는 경향을 보여주었다. 이 방법으로 제작한 여러종류의 MESFET 중에서 게이트 길이가 $2\mum$이고 소스-게이트 간격이 $3 \mum$인 MESFET의 전기적 특성은 최대 트랜스컨덕턴스가 120 mS/mm, 게이트 전압이 0.8V 일 때 포화드레인전류가 170~190mA/mm로 나타났다. 제작된 MESFET이 ($NH_4$)$_2$$S_x$ 용액에 담금처리될때 , 공기중에 노출된 게이트-드레인 사이의 n-GaAs층의 표면이 유황으로 보호되어 공기노출에 의한 표면 재산화막의 형성이 억제되었기 때문으로 사료된다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.15 no.9
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• pp.43-49
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• 1998

The deep hole drilling has an increasing demands because of its wide range applications and its good productivity. The BTA drills are capable of machining for having a large length to diameter ratio in single pass to higher degree of accuracy and surface finish. It's really necessary that the investigation for the deep hole drilling by the BTA drill because its required quality should be satisfied with single pass. This thesis deal with the experimental results obtained during single tube BTA system machining on SM55C steel for different machining conditions. The results of the investigation on the optimum cutting condition selecting and tool life reveals as follows. (1) The optimum cutting condition was cutting speed, V = 42 m/min and feed speed. F = 90 mm/min and the tool life was about 10 meters. (2) Surface roughness was $12\mum$ and the roundness was less using $16mum$single edge BTA drill in testing cutting condition.

• ETRI Journal
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• v.9 no.1
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• pp.97-103
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• 1987

짧은 채널($L<1\mum$) MOSFET의 전기적 변수, 특히 문턱전압(threshold voltage)을 최적화시키기 위하여 분석적 문턱전압 모델을 개발하였다. 채널 영역에서의 붕소profile은 계단 (step) profile로 근사시켜 표면전하층과 기판전하층으로 구성하였다. 최대공핍층내에 있는 두 전하층의 각각에 대하여 기하학적으로 근사시킨 전하분배(charge sharing)모델을 적용하고 이차원적 분석을 이용하여 짧은 채널 효과를 계산하였다. 본 모델을 실험치와 비교하고 이온주입 공정의 최적조건을 이끌어내는 데 필요한 변수에 대하여 논의하였다.

• ETRI Journal
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• v.9 no.1
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• pp.65-73
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• 1987

반주문형 설계기술중 게이트 어레이 방식의 주요특징은 빠른 설계 시간, 저렴한 개발비용 및 매크로(macro) 셀 라이브러리 정립의 용이함을 들 수 있다. 이러한 장점을 살려 집적회로 설계를 위한 기술개발과정으로 게이트 어레이 방식의 설계과정 및 그 방법에 대하여 기술하였다. 사용된 공정기술은 $3\mum$ N-well CMOS 이며 이에 대한 설계규칙을 정하여 540 게이트 베이스 어레이를 설계하였다. 실제로 이미 정립된 매크로 셀 라이브러리의 셀들을 이용하여 이 베이스 어레이 상에 1-비트 콘트롤러인 ICU를 게이트 어레이 방식으로 설계함으로써 그 제반특성 및 방법을 검토하였다.

• ETRI Journal
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• v.10 no.1
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• pp.64-75
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• 1988

GaAs 등 화합물 반도체는 그 표면구조가 아직 확립되어 있지 않고, 표면조건이 소자특성에 큰 영향을 미친다. 소자공정중 이온주입 공정은 self-aligned MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 제작에 필수적인 기술이나, 이온 주입시 수 $\AA$ 크기의 vacancy 등 격자결함이 발생하며 이들 결함을 제어할 수 있는 기술이 필요하다. 에너지 가변 양전자 소멸기술은 표면에서 $1\mum$정도내에 존재하는 vacancy 형태의 격자결함을 감지해 낼 수 있으며 이들 격자결함의 depth profiling을 할 수 있는 기술이다. 본 고에서는 에너지 가변 양전자 소멸기술의 원리 및 최근 연구결과에 대해서 살펴보기로 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.12
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• pp.7-12
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• 2004

In this paper, CPW wideband distributed amplifier was designed and fabricated using 0.1 $\mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT(High Electron Mobility Transistor). The DC characteristics of MHEMT are 442 mA/mm of drain current density, 409 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency(fT) is 140 GHz and the maximum oscillation frequency(fmax) is 447 GHz. The distributed amplifier was designed using 0.1 $\mum$ MHEMT and CPW technology. We designed the structure of CPW curve, tee and cross to analyze the discontinuity characteristics of the CPW line. The MIMIC circuit patterns were optimized electromagnetic field through momentum. The designed distributed amplifier was fabricated using our MIMIC standard process. The measured results show S21 gain of above 6 dB from DC to 45 GHz. Input reflection coefficient S11 of -10 dB, and output reflection coefficient S22 of -7 dB at 45 GHz, respectively. The chip size of the fabricated CPW distributed amplifier is 2.0 mm$\times$l.2 mm.

• ETRI Journal
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• v.10 no.1
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• pp.96-108
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• 1988

반도체 소자의 집적도가 증가하고 최소선폭이 감소함에 따라 소자가공시 그것이 중간중첩 정도(overlay accuracy)에 미치는 요인을 파악하였고, 광학적 노광장치에서 오는 한계성을 촛점심도(depth of focus) 측면에서 고찰하였으며, 차세대 노광장치인 전자빔 및 X-선 노광장치에 대해 그 장단점을 파악하여 $0.5\mum$ 이하 선폭 가공시 적당한 노광장치에 대해 기술하였다. 또한 이상적인 패턴 전사를 위한 건식식각시의 여러 문제점을 나열하고 그 해결책을 논하였다.

• ETRI Journal
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• v.6 no.4
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• pp.3-8
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• 1984

Frequency division multiplexed 3ch. Color TV signals have been transmitted via optical fiber by employing $1. 3\mum$ InGaAsP DH-laser diode, graded index optical fiber and Ge-APD as optical components. Overall system margin of 20 dB was realized at weighted SNR of more than 49 dB. With this system margin, measured DG and DP were less than 10% and $5^{\circ}$respectively. Throughout this experiment, it was confirmed that multichannel TV signals could be economically transmitted over optical fiber in short haul networks. This paper describes system outlines and hardware implementation results.

• ETRI Journal
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• v.11 no.1
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• pp.123-135
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• 1989

본 논문에서는 $0.5\mum$의 최소선폭을 가지는 초고집적 소자제조에 필요한 레지스트 재료의 특성 및 레지스트 공정을 살펴보았다. 일반적인 레지스트 특성변수들 중에서 소자의 고집적화에 따라 중요한 미세형상 정의 및 건식식각에 의한 패턴전사에 관련된 변수들을 깊이 살펴보았다. 미세형상 정의에 필요한 레지스트 특성의 한계는 회절에 의한 분해능 한계 이론을 적용하였고, 패턴전사에 필요한 한계는 반응성 이온식각 과정을 고려하여 유추하였다. 마지막으로 굴곡이 있는 기판 상에서의 초미세 형상 정의를 위한 여러가지 레지스트 공정을 간단하게 비교 검토하였다.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• v.13 no.4
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• pp.1341-1347
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• 2012

Introduction: Diffuse large B-cell lymphomas (DLBCL) can be divided into germinal centre (GC-DLBCL) and post germinal centre (post GC-DLBCL) groups by applying immunohistochemical antibodies. As these subgroups respond differently to chemotherapy, it is possible at diagnosis to select a poor prognostic subgroup for aggressive treatment. Objective: To determine the frequencies of GC-DLBCL and post GC-DLBCL in patients by immunohistochemistry (IHC) and the clinical response after six cycles of chemotherapy. Subjects and Methods: In this descriptive study conducted in AFIP and CMH, Rawalpindi and NORI, Islamabad, from September 2010 to September 2011, a total of 75 pretreatment cases of DLBCL diagnosed during the study period were included. Cases were segregated in to GC-DLBCL and post GC-DLBCL groups according to results of immunohistochemistry markers CD10, BCL6 and MUM1. Immediate clinical response was assessed after 6 cycles of chemotherapy. Response was divided into complete response, partial response, stable disease or relapse or progression. Results: The mean age was $54.2{\pm}15$. Males were 53 (70.7%). Forty (53.3%) cases comprised the GC-DLBCL group; 25(62.5%) of them showed a complete response. Most patients of the post GC-DLBCL 19(54%) showed relapse/progression. Results of immediate clinical response in both prognostic subgroups were significant (p<0.05). Results regarding positivity with immunohistochemical antibodies CD10 (p 0.011), BCL6 (p 0.013) and MUM1 (p 0.000) regarding immediate clinical response were also significant. Conclusion: GC-DLBCL group shows better response to CHOP chemotherapy regimen. Immunohistochemistry should be used to further classify DLBCL as this can enable us to select aggressive group for aggressive treatment. This manuscript is important because the study is the first to becarried out exclusively in Pakistan or our part of the world.