• The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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• v.18 no.2
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• pp.89-96
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• 2006

Purpose: To study effectiveness of heterogeneity correction of internal-body inhomogeneities and patient positioning immobilizers in dose calculation, using images obtained from CT-Simulator. Materials and Methods: A water phantom($250{\times}250{\times}250mm^3$) was fabricated and, to simulate various inhomogeneity, 1) bone 2) metal 3) contrast media 4) immobilization devices(Head holder/pillow/Vac-lok) were inserted in it. And then, CT scans were peformed. The CT-images were input to Radiation Treatment Planning System(RTPS) and the MUs, to give 100 cGy at 10 cm depth with isocentric standard setup(Field Size=$10{\times}10cm^2$, SAD=100 cm), were calculated for various energies(4, 6, 10 MV X-ray). The calculated MUs based on various CT-images of inhomogeneities were compared and analyzed. Results: Heterogeneity correction factors were compared for different materials. The correction factors were $2.7{\sim}5.3%$ for bone, $2.7{\sim}3.8%$ for metal materials, $0.9{\sim}2.3%$ for contrast media, $0.9{\sim}2.3%$ for Head-holder, $3.5{\sim}6.9%$ for Head holder+pillow, and $0.9{\sim}1.5%$ for Vac-lok. Conclusion: It is revealed that the heterogeneity correction factor calculated from internal-body inhomogeneities have various values and have no consistency. and with increasing number of beam ports, the differences can be reduced to under 1%, so, it can be disregarded. On the other hand, heterogeneity correction from immobilizers must be regarded enough to minimize inaccuracy of dose calculation.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.28 no.1
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• pp.16-24
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• 2008

Near-field scanning microwave microscope (NSMM) has been used to characterize the electromagnetic properties of samples based on a cavity perturbation technique. We used a NSMM using a waveguide cavity to couple a metallic probe tip as a point like evanescent field emitter. We explained the quality of our NSMM system by applying the cavity perturbation theory. First, to make a shape perturbation, we inserted linear and loop probes in the waveguide resonator. To check up electric and magnetic field distribution inside the waveguide resonator by shape perturbation, we confirmed the field distribution by using a HFSS simulation. Second, to make material perturbation, we located a dielectric sample in front of the probe tip and measured reflection coefficient $(S_{11})$. We found that the resonance frequency$(f_r)$ was changed linearly as the dielectric constant of resonator$({\varepsilon}_r)$ increased when ${\Delta}{\varepsilon}\;and\;{\Delta}{\mu}$ were small.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea CI
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• v.48 no.1
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• pp.116-126
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• 2011

In this paper, we present a multi-media processor which can decode multiple-format video standards. The designed processor is evaluated with optimized MPEG-2, MPEG-4, and AVS (Audio video standard). There are two approaches for developing of real-time video decoders. First, hardware-based system is much superior to a processor-based one in execution time. However, it takes long time to implement and modify hardware systems. On the contrary, the software-based video codecs can be easily implemented and flexible, however, their performance is not so good for real-time applications. In this paper, in order to exploit benefits related to two approaches, we designed a processor called ASIP(Application specific instruction-set processor) for video decoding. In our work, we extracted eight common modules from various video decoders, and added several multimedia instructions to the processor. The developed processor for video decoders is evaluated with the Synopsys platform simulator and a FPGA board. In our experiment, we can achieve about 37% time saving in total decoding time.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.10
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• pp.7-14
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• 2008

In this paper, we designed the HVIC(High Voltage Gate Driver IC) which has improved noise immunity characteristics and high driving capability. Operating frequency and input voltage range of the designed HVIC is up to 500kHz and 650V, respectively. Noise protection and schmitt trigger circuit is included in the high-side level shifter of designed IC which has very high dv/dt noise immunity characteristic(up to 50V/ns). And also, rower dissipation of high-side level shifter with designed short-pulse generation circuit decreased more that 40% compare with conventional circuit. In addition, designed HVIC includes protection and UVLO circuit to prevent cross-conduction of power switch and sense power supply voltage of driving section, respectively. Protection and UVLO circuit can improve the stability of the designed HVIC. Spectre and Pspice circuit simulator were used to verify the operating characteristics of the designed HVIC.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.221-221
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• 2014

The present work proposes an improved numerical simulator for design and modification of large area capacitively coupled plasma (CCP) processing chamber. CCP, as notoriously well-known, demands the tremendously huge computational cost for carrying out transient analyses in realistic multi-dimensional models, because electron dissociations take place in a much smaller time scale (${\Delta}t{\approx}10-8{\sim}10-10$) than time scale of those happened between neutrals (${\Delta}t{\approx}10-1{\sim}10-3$), due to the rf drive frequencies of external electric field. And also, for spatial discretization of electron flux (Je), exponential scheme such as Scharfetter-Gummel method needs to be used in order to alleviate the numerical stiffness and resolve exponential change of spatial distribution of electron temperature (Te) and electron number density (Ne) in the vicinity of electrodes. Due to such computational intractability, it is prohibited to simulate CCP deposition in a three-dimension within acceptable calculation runtimes (<24 h). Under the situation where process conditions require thickness non-uniformity below 5%, however, detailed flow features of reactive gases induced from three-dimensional geometric effects such as gas distribution through the perforated plates (showerhead) should be considered. Without considering plasma chemistry, we therefore simulated flow, temperature and species fields in three-dimensional geometry first, and then, based on that data, boundary conditions of two-dimensional plasma discharge model are set. In the particular case of SiH4-NH3-N2-He CCP discharge to produce deposition of SiNxHy thin film, a cylindrical showerhead electrode reactor was studied by numerical modeling of mass, momentum and energy transports for charged particles in an axi-symmetric geometry. By solving transport equations of electron and radicals simultaneously, we observed that the way how source gases are consumed in the non-isothermal flow field and such consequences on active species production were outlined as playing the leading parts in the processes. As an example of application of the model for the prediction of the deposited thickness uniformity in a 300 mm wafer plasma processing chamber, the results were compared with the experimentally measured deposition profiles along the radius of the wafer varying inter-electrode gap. The simulation results were in good agreement with experimental data.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.259-259
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• 2011

염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells:DSSC)는 환경 친화적이며, 저가의 공정에 대한 가능성으로 기존의 고가의 결정질 실리콘 태양전지의 경제적인 대안으로 각광을 받고 있다. 최근 염료감응형 태양전지는 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide : TCO)으로 사용되는 Fluorine Tin Oxide (FTO)가 증착된 유리기판 위에 주로 제작된다. FTO는 낮은 비저항과 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 우수한 전기-광학적 특성을 갖지만, 비교적 공정이 까다로운 Chemical Vapor Deposition (CVD)법으로 제조하며, 전체 공정비용의 60%를 차지하는 높은 생산단가로 인해 현재 FTO를 대체할 재료개발 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO (Zinc Oxide)는 우수한 전기-광학적 특성과 비교적 저렴한 가격으로 새로운 TCO로써 주목받고 있다. ZnO는 넓은 energy band gap (3.4 [eV])의 육방정계 울자이트(hexagonal wurtzite) 결정 구조를 가지는II-VI족 n형 반도체 물질이며, III족 금속원소인 Al, Ga 및 In 등의 불순물을 첨가하면 TCO로서 우수한 전기-광학적 특성과 안정성을 나타낸다. 이들 물질중 $Zn^{2+}$ (0.060 nm)의 이온반경과 유사한 $Ga^{2+}$0.062 nm) 이온이 ZnO의 격자반경을 최소화 시킬 수 있다는 장점으로 최근 주목 받고 있다. 하지만 Ga-doped ZnO (GZO)의 경우 DSC에 사용되는 루테늄 계열의 산성 염료 하에 장시간 두면 표면이 파괴되는 문제가 발생하며, $TiO_2$ paste를 Printing 후 열처리하는 과정에서도 박막의 파괴가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해 $TiO_2$ Blocking Layer를 GZO 투명전극 위에 증착하였다. 또한, $TiO_2$ Blocking Layer를 적용한 GZO 박막을 전면전극으로 이용하여 DSC를 제작하여 효율을 확인하였다. 2wt%의 $Ga_2O_3$가 도핑된 ZnO 박막은 20mTorr 400$^{\circ}C$에서 Pulsed Laser Deposition (PLD)에 의해 성장되었고, $TiO_2$박막은 Ti 금속을 타겟으로 이용하여 30mTorr 400$^{\circ}C$에서 증착되었다. Scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용한 박막 분석 결과 $TiO_2$가 증착된 GZO 박막의 경우 표면 파괴가 일어나지 않았다. Solar Simulator을 이용하여 I-V특성 측정결과 상용 FTO를 사용한 DSC 수준의 효율을 나타내었다. 이에 따라 Pulsed Laser Deposition을 이용해 제작된 GZO 기판은 $TiO_2$ Blocking Layer를 이용하여 표면 파괴를 방지할 수 있었으며, 이는 향후 염료감응형 태양전지의 투명전극에 적용 가능 할 것으로 판단된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.48 no.11
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• pp.35-43
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• 2011

In this paper, we propose a novel architecture for seamless mobility management to provide users with seamless Internet connection when users roam between diverse wireless local area networks (WLANS) controlled by different management entities. There have been many researches in IETF, i.e., MIPv6, HMIPv6, and PMIPv6, to provide the mobility management. However, practically since wireless access points or access routers, which are managed by an individual manager or ISP managers, have different authentication scheme and the supported mobility management, the previous mobility management protocol developed by IETF can not guarantee the quality of service of application services as the mobile node performs the handover. To solve this drawback, we propose the mobility management scheme to provide QoS-guaranteed Internet services during the handover by configurating the wireless networks which is defined by users. More specifically, we present a model, the architecture and an algorithm for user-defined network (UDN) to provide the seamless Internet service. Finally, the performance of the proposed algorithm is evaluated by the network simulation tool.

• Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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• 1999.10a
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• pp.70-74
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• 1999

발전소 시뮬레이션 시스템 기술은 종합적인 지식을 바탕으로 자료수집 및 분석, 소프트웨어 개발 환경, 수학적 모델, 전산기 구성, 각종 계기류 설계 및 구매 장착 등의 노하우를 알아야만 제작할 수 있는 종합적인 기술이다. 또 지시기반의 기술이며 부가가치가 높은 기술이기 때문에 선진 각국에서는 계측제어 시스템의 기술개발 및 시장 확대를 위하여 힘을 쓰는 동시에 타국으로의 기술정보 유출을 경계하는데 신경을 곤두세우고 있다. 현재 복잡화되어 가고 있는 산업 사회의 전력 수요에 대한 대폭적인 증가 추세에 따라 발전소에서는 보다 효율적이며 합리적이고 경제적인 전력 공급을 위해서 전력 생산에 대한 신뢰성 향상 및 안정성 확보는 물론, 효율성 높은 운전이 절실히 요구되고 있다. 한편, 국내의 시뮬레이션 시스템 분야 기술은 아직도 완벽한 수준에는 미치지 못하며, 이 분야의 기술력 확보 및 신기술 개발은 향후 미래의 모든 시스템산업의 성쇄를 판가름하는 아주 중요한 척도가 될 것이다. 이 중에서 접지 분야는 고전압 혼촉에 의한 저압측 선로의 전압상승 방지, 모선(Bus)이나 전력 기기의 절연보호 및 회로전압의 안정등으로 시스템 성능을 한층 증가 시켜줄 뿐아니라 기기의 오동작이나 낙뇌등으로 인명피해 발생을 없애주는 아주 중요한 분야임에도 불구하고 이 분야의 국내 관련법규등이 미비한 사항이다. 그래서 발전소 분산제어 시스템분야의 장기간 신뢰성 및 안정성을 가지고 있고, 국내에서 많이 사용하는 미국 Bailey의 infi-90 및 독일 ABB의 Procontrol-P를 비교 분석하여 발전소 시뮬레이션 시스템의 접지에 응용 하고져 한다.상호 발생기를 이용한 다양한 시스템 검증 및 분석에 이용할 수 있을 것이다. 본 논문은 가상호 발생기의 구조와 최대 용량 시험 방법을 소개하고, 더 나아가 호 Traffic에 대한 최대 용량 시험뿐 아니라 QoS를 향상시키기 위한 교환 시스템의 제반 성능 시험 및 분석에 이를 이용하기 위해 개선이 필요함을 서술하고자 한다.textrm{m}$~3.4$\mu\textrm{m}$ 범위에서의 투과 및 흡수 스펙트럼을 측정하였다. 결정 성장 결과 B3+, Er3+, Cr3+ 이온은 Ti4+ 이온과 이온의 크기 차이가 심하여 결정의 정상적인 성장을 방해하는 물성을 나타냈고, V5+, Cr3+ 이온은 흑색의 결정, Fe3+ 이온은 적갈색의 결정으로 성장되었다. Al3+, Zr4+, Al3+의 순서로 투과도가 높아지는 것이 관찰되었다. 불순이온의 농도에 따른 영향으로서 Al3+ 이온의 경우 주입농도가 높아질수록 low angle boundary와 oxygen deficiency가 감소하였고, 투과율은 조금 감소하거나 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 반면에 Cr3+ 이온을 주입한 경우 0.003 atomic%에서 최적의 물성을 보였으며, 주입농도가 높아질수록 결정성장이 어려워지고 광의 투과도가 급격히 저하되었다.은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인