• 한국결정성장학회지
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• 제10권3호
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• pp.205-210
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• 2000

초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 강유전체 $PbTiO_3$박막을 Si(100) wafer와 ITO-coated glass위에 제조하였다 Si 기판 위에 증착된 박막으로부터, 출발원료의 농도비(Ti/Pb)가 1.2일 때, 단일 perovskite 상을 얻을 수 있었다. ITO-coated glass 위에 증착된 박막은 Si기판 위에 제조된 박막보다 박막의 성장속도가 더 빠르며, 기판온도를 $530^{\circ}C$부터 $570^{\circ}C$까지 증가시켰을 때, 결절성과 입자 크기의 증가에 의해 유전상수는 증가하였다. $570^{\circ}C$에서의 유전상수 및 유전손실 값은 각각 205, 0.016을 나타내었다. 기판온도가 $600^{\circ}C$ 이상인 경우, 유전상수가 감소되는 경향을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제2권1호
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• pp.43-51
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• 1992

초음파분무를 이웅한 MOCVD법으로 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막을 제조하였다. $300-450^{\circ}C$의 낮은 중착온도에서 페롭스카이트 구조를 가지는 결정화된 박막을 만들 수 있었으며, 출발용액의 조성과 증착온도의 조절에 의해 능면정상 또는 정방정상구조를 가지는 박막의 제조가 가능하였다. p형 실리콘 기판 위에 증착시킨 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막으로 제조한 MOS소자에 대한 1MHz C-V곡선의 퇴적영역에서 구한 유전율은 187이었다. Sawyer-Tower회로를 이용한 P-E 이력특성 조사결과 박막이 강유전특성을 가짐을 확인하였으며, 잔류분극은 $5.5{\mu}C/cm^2$이고 항전력은 65kV/cm이였다. 박막의 비저항은$10^{11}{\Omega}cm$ 정도이며 35kV/cm에서 절연파괴가 일어났다

• 한국재료학회지
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• 제6권5호
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• pp.475-482
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• 1996

초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 강유전 BaTiO3 박막을 제조하였다. 초음파 분무 MOCVD법은 비교적 저온에서도 후열처리없이 결정화된 박막의 제조가 가능하다. 증착한 박막은 기판온도가 증가할수록 (110) 우선 배향성을 가졌으며, 기판온도에 따라서 서로 다른 결정상을 나타내었다. 기판온도가 55$0^{\circ}C$인 경우에 증착한 박막은 결정화가 완전히 진행되지 않았으며, 결정립의 크기도 매우 작아 상온에서 입방정상의 특성을 보였다. $600^{\circ}C$에서 증착한 박막은 결정화가 진행되어 입자의 크기는 성장하였으나 의사 입방정상을유지하고 있었다. 반만 $650^{\circ}C$에서 증착한 박막은 결정화뿐만 아니라 주상으로 성장하여 수직 방향으로는 박막 두께의 크기를 가져 CV 특성에서 이력곡선을 보였으며, 정전용량의 온도 변화에 따른 특성에서도 상전이의 특성을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.111-114
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• 2001

초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 전도성 산화물 (Ba,Sr)RuO$_3$ 박막을 Si(100) wafer위에 제조하였다. XRD 측정 결과 BSR박막은 (110) 배향성을 가지고 성장하였으며 500$^{\circ}C$ 이상의 증착온도에서 결정성장이 양호하였다. Ba과 Sr의 조성비의 차이에 따라 AFM 측정결과 Ba에 대한 Sr의 비가 증가함에 따라 grain크기가 증가하였다. 또한 비저항의 측정을 통해 Ba에 대해 Sr의 비의 증가에 따라 BSR 박막의 비저항이 415에서 261$\mu$$\Omega$${\cdot}$cm로 감소하였다.