항균제인 m-크레졸을 아크릴로일클로라이드와 반응시켜 m-크레실아크릴레이트를 합성하고 이를 메틸메타크릴레이트와 아크릴산과 3성분 라디칼 공중합시켜 m-크레졸 moiety를 가지는 고분자를 합성하였다. 이들 고분자중의 m-크레실아크릴레이트단위는 핵자기공명스펙트라로부터 각각 4.7 mol%와 10.1 mol%로서 측정되었다. 이들 고분자의 수평균분자량은 12000∼15000이었다. 이들 고분자는 가수분해를 통해 m-크레졸을 방출하였고 방출되는 그 양은 pH증가에 따라 증가하였다. 이것은 고분자중의 아크릴산 단위의 카르복실기의 수소가 pH증가에 따라 해리하기 용이하기 때문인 것으로 설명된다. 아울러 이들 고분자는 양성균 S. aureus와 음성균 E. coli에 대해서 항균성을 나타내었다.
To explore the effects of intramolecular interactions within the copolymer on the phase separation behavior of polymer blends, copolymers having two different types of intramolecular interactions, i.e., intramolecular repulsion and intramolecular attraction were prepared . In this study, poly(styrene-co-methylmethacrylate) (P(S-MMA)) having intramolecular repulsion caused by positive interaction between styrene and MMA and poly(styrene-co-ethyl-methacrylate) (P(S-EMA)) and poly(styrene-co-cyclohexylmethacrylate) (P(S-CHMA)) having intramolecular attraction caused by negative interaction between styrene and methacrylate were blended with tetramethyl poly-carbonate (TMPC). The phase behavior of blends was examined as a function of copolymer composition and blend composition. TMPC formed miscible blends with styrenic copolymers containing less than certain amount of methacrylate. The phase separation temperature of TMPC blends with copolymer such as P(S-MMA) and P(S-EMA), first increases with methacrylate content, goes through a maximum and then decreases just prior to the limiting content of methacrylate for miscibility, while that of TMPC blends with P(S-CHMA) always decreases. The calculated interaction energy for TMPC-P(S-EMA) pair is negative and monotonically increases with EMA content of the copolymer. Such behavior contradicted the general notion that systems with more favorable energetic interactions have higher LCST, The detailed inspection of the lattice-fluid theory related to the phase behavior was performed to explain such behavior.
Soft-lithography 기술 중의 하나인 Micro-Contact Printing (${\mu}$-CP) 기술은 패턴이 형성된 mold 위에 고분자 물질을 코팅하고 기판과 접촉시켜, 패턴 된 부분만 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법이다. ${\mu}$-CP 기술은 Imprint 방식과 비교하여 잔여물을 제거하기 위한 ashing 공정이 필요 없으며, 상대적으로 패턴이 전사되기 위한 공정 온도와 압력이 낮은 장점이 있다. 한편, 기존의 Photolithography 기술로 유기기판에 패턴을 형성하는 것은 제한이 있으며, 자외선에 의해 유기기판의 특성이 변화될 수 있다. 또한 패턴 형성 후 고분자 패턴을 제거하는 용매가 기판이 손상 받게 된다. 본 실험에서는 poly (1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl methacrylate) polymer (PFDMA) films을 패턴 된 poly (dimethylsiloxane) (PDMS) mold 위에 코팅하고 ${\mu}$-CP 기술을 통해 poly (methylmethacrylate) (PMMA), poly (vinyl pyrrolidone) (PVP)등과 같은 유기기판 위에 고분자 패턴 형성을 하였다. 이때 전사 가능한 온도는 상온이며, 압력은 코팅된 PFDMA films이 기판과 접촉될 수 있는 정도만 필요하다. PFDMA가 상온에서 전사 가능한 이유는 유리전이온도가 상온보다 낮기 때문이다. 또한 접촉각을 측정하여 접착력을 계산하면 PFDMA와 기판과의 접착력이 상대적으로 높기 때문이다. PFDMA는 플루오르계 용매에 제거되기 때문에 유기기판의 손상을 최소화 할 수 있다. ${\mu}$-CP 기술을 이용한 PFDMA의 패턴 형성 방법은 물질의 특성으로 flexible 및 organic device 제작에 응용 될 수 있다.
유기물 박막에 나노입자가 분포되어 있는 나노복합체를 이용한 전자 소자는 낮은 소비 전력, 낮은 공정 가격, 그리고 높은 기계적 휘어짐이 가능하기에 차세대 전자 소자로 많은 연구가 진행되고 있다. 친환경 소자를 지향하는 현대 기술에서 환경 친화적 코어-쉘 구조의 나노입자를 이용한 나노복합체는 차세대 전자 소자 중 비휘발성 메모리 소자 연구에서 뛰어난 소자 성능을 보여주고 있어 큰 관심을 받고 있으나 코어-쉘 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 쉘의 유무에 따른 전도도 특성 및 전하수송 메커니즘 연구는 아직 미미한 실정이다. 본 연구에서는, indium-tin-oxide가 코팅된 polyethylene terephthalate 기판 위에 CuInS2 (CIS)-ZnS 친환경 코어-쉘 나노입자가 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 안에 분산된 박막을 이용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 ZnS 쉘이 전기적 전도도에 미치는 영향을 관찰 하였다. CIS-ZnS 코어-쉘 나노입자에서 ZnS 쉘이 없어도 메모리 소자의 전류-전압 특성에서는 높은 전도도 (ON)와 낮은 전도도 (OFF) 상태가 존재하는 전류 쌍안정성 동작을 보이지만, ZnS 쉘의 유무에 따라 ON/OFF 비율 차이를 보여 전도도 특성이 다름을 관측 하였다. 반복된 전계적 스트레스에 의한 전도도 상태 유지 능력 측정을 수행하여 ZnS 쉘의 유무에 따른 소자의 전도도 안정성 능력을 관측하였다. 측정된 전기적 특성을 기반으로 PMMA 박막 안에 분산된 CIS-ZnS 코어-쉘 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자에서 ZnS 쉘의 따른 전도도 특성 및 전하수송 메커니즘 특성을 설명하였다.
본 연구는 내열성, 저광학손실 광도파로용 고분자재료를 합성하고 그 물성을 조사한 것이다. 열안정성을 높이고 광학손실을 줄이기 위한 pentafluorophenylmaleimide와 복굴절률을 낮추기 위한 두가지 methacrylate 유도체와 가교제 역할을 하는 glycidylmethacrylate를 삼원 공중합하여 광가교가 가능한 poly(maleimide-co-methacrylate)를 합성하였다. 합성된 고분자들은 높은 열안정성을 나타내었고, 열처리에 의해서 가교가 됨을 확인하였다. 고분자의 굴절율은 공중합 비율에 의해서 조절가능하였고, 1.45~l.49 범위의 고분자가 합성되었다. 복굴절은$6{ imes}10^{-4}$ ~ $1{ imes}10^{-4}$ 범위의 낮은 값을 나타내었다. 이 고분자와 광개시제를 사용하여 접촉 인쇄 방식에 의한 노광과 습식 현상을 통해 깨끗한 광도파로 패턴을 얻을 수 있었다.
항균제인 2-페닐페놀을 아크릴로일 클로라이드와 반응시켜 2-비페닐릴 아크릴레이트를 합성하고 이를 호제성분의 주요단량체인 메틸 메타아크릴레이트와 아크릴산과 3성분 라터칼 공중합시켜 2-페닐페놀 moiety를 가지는 공중합체를 합성하였다. 이들 고분자중의 2-비페닐릴 아크릴레이트 단위는 핵자기공명스펙트라로부터 각각 4.2 몰%와 9.1 몰%로서 측정되었다. 이들 고분자의 수평균 분자량은 15000∼16000이었다. 이들 고분자는 가수분해를 통해 2-페닐페놀을 방출하였고 방출되는 양은 pH 증가에 따라 증가하였다. 방출된 용액은 양성균 S. aureus 보다 음성균 E. coli에 대해 보다 높은 항균성을 나타내었다.
본 연구에서는 atom transfer radical polymerization (ATRP)에 의해 polydimethylsiloxane (PDMS)와 methyl-methacrylate (MMA)로부터 polydimethylsiloxane-polymethylmethacrylate (PDMS-PMMA) block copolymer를 합성하였다. 합성된 PDMS-b-PMMA copolymer막의 특성은 FT-IR, $^1H$ NMR, GPC, DSC 등을 사용하여 조사하였다. 질소와 수소의 투과도는 각각 $1.2{\sim}l.5$ barrer와 $6.2{\sim}10.5$ barrer를 보였고, 질소에 대한 수소의 선택도는 $5.3{\sim}6.9$ 범위였다. PDMS-b-PMMA copolymer 막의 투과도와 선택도는 PDMS 막보다는 낮은 값을 보였고, PMMA 막보다는 높은 결과를 보였다.
The molecular dynamics simulation of nanoimprint lithography (NIL) using $SiO_2$ stamp and amorphous poly-(methylmethacrylate) (PNMA) film is performed to study pattern transfer in NIL. Force fields including bond, angle, torsion, van der Waals and electrostatic potential are used to describe the intermolecular and intramolecular force of PMMA molecules and $SiO_2$ stamp. Nose-Hoover thermostat is used to control the system temperature and cell multipole method is adopted to treat long range interactions. The deformation of PMMA film is observed during pattern transfer in the NIL process. For the detail analysis of deformation characteristics, the distributions of density and stress in PMHA film are calculated. The adhesion and friction forces are obtained by dividing the PMMA film into subregions and calculating the interacting force between subregion and stamp. Their effects on the pattern transfer are also discussed as varying the indentation depth and speed.
유기물을 이용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자는 저전압 구동, 간단한 공정과 플렉서블 모바일에 응용 가능성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 나노복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구가 많이 진행되었으나 고분자를 저장매체로 사용한 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구는 미흡하다. 본 연구에서 poly (methylmethacrylate) (PMMA)와 poly (3-hexylthiophene) (P3HT) 혼합한 용액을 이용하여 제작한 메모리 소자의 전기적 특성을 연구하였다. P3HT와 PMMA를 같이 클로로벤젠에 용해한 후 초음파 교반기를 사용하여 두 물질을 고르게 섞었다. Indium-tin-oxide가 코팅된 유리 기판 위에 제작한 고분자 용액을 스핀 코팅하고, 열을 가해 용매를 제거하였다. P3HT박막 위에Al을 상부전극으로 열증착하여 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압(I-V) 측정결과는 같은 전압에서 전도도가 큰 ON 상태와 전도도가 작은 OFF 상태의 큰 ON/OFF 전류비율을 가진 전류의 히스테리시스를 보여주었다. P3HT를 포함하지 않은 소자의 I-V 측정결과는 전류의 히스테리시스 특성이 보이지 않았고 이것은 P3HT 박막이 메모리 특성을 나타내는 저장매체가 됨을 알 수 있었다. 소자의 전류-시간 특성 측정 결과는 전류의 ON/OFF 비율이 시간에 따라 큰 감쇠 현상 없이 오랫동안 지속적으로 유지됨을 보여줌으로 소자의 동작 안정성을 알 수 있었다.
PMMA에 pyrromethene 597(PM597) 색소를 주입하여 고체 색소를 제작한 후 그 레이저 출력특성을 분석하였다. 펌핑 광원으로 Q-스위치 Nd : YAG 레이저의 제 2 고조파를 사용하여 발진 중심파장 585 nm에서 최대 광 변환효율 $76\%$를 얻었다. 광안정성을 증가시키기 위해 단일항 에너지 상태의 산소 제거제인 DABCO(1,4-diazabicyclo [2,2,2]octane)를 주입하여 반복율 4 Hz, 출력에너지 250 mJ, 100,000번 이상의 펄스 출력을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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