In this article we make a local classification of n-dimensional Riemannian manifolds (M, g) with harmonic curvature and less than four Ricci eigenvalues which admit a smooth non constant solution f to the following equation $$(1)\hspace{20}{\nabla}df=f(r-{\frac{R}{n-1}}g)+x{\cdot} r+y(R)g,$$ where ∇ is the Levi-Civita connection of g, r is the Ricci tensor of g, x is a constant and y(R) a function of the scalar curvature R. Indeed, we showed that, in a neighborhood V of each point in some open dense subset of M, either (i) or (ii) below holds; (i) (V, g, f + x) is a static space and isometric to a domain in the Riemannian product of an Einstein manifold N and a static space (W, gW, f + x), where gW is a warped product metric of an interval and an Einstein manifold. (ii) (V, g) is isometric to a domain in the warped product of an interval and an Einstein manifold. For the proof we use eigenvalue analysis based on the Codazzi tensor properties of the Ricci tensor.
As a research activity of the project of "Verification Test of Superconducting Power Cable", we measured the AC loss of a short length superconducting power cable. The rating and the length of the cable were 22.9kV, 1,250A and 2.2m. The voltage taps for measuring the AC loss were attached to both ends of the conductor of the superconducting cable. Through the voltage taps and a lock-in amplifier we measured the in-phase component of the voltage($V_x$) with the load current(I). The AC loss was measured by multiplying the in-phase component of the voltage($V_x$) by the load current(I). The value of the AC loss of the superconducting power cable was 1.18W/m/phase/kA at 77.3K, 1atm.
We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 20[mN/m]. LB layers of Arac. acid deposited by LB method were deposited onto Y-type silicon wafer as x, y, z-type film. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/arachidic acid/Al, the number of accumulated layers Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V].
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.287-290
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2000
We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 20[mN/m]. LB layers of Arac. acid deposited by LB method were deposited onto y-type silicon wafer as x, y, z-type film. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/arachidic acid/Al, the number of accumulated layers. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V].
This paper is studid the flow analysis of cardio vascular assist device. The experimental study is carried out to measure velocity profiles, Shear stress distributions and Velocity Vector for the flowrare of 4l/min, the frequency of 0.5Hz, the stroke volume of 60ml, the inlet and outlet pressure of 100mmHg by the L.D.V and P.I.V system. These results are agreed with the numerical simulations.
New photometric and spectroscopic solutions of W-type overcontact binary V 417 Aql were obtained by solving the UBV light curves of Samec et al. (1997) and radial-velocity ones of Lu & Rucinski (1999) with the 2003 version of the Wilson-Devinney binary code. In the light curve synthesis the light of a third-body, which Qian (2003) proposed, was considered and obtained about 2.7%, 2.2%, and 0.4% for U, B, and V bandpasses, respectively. The model with third-light is better fitted to eclipse parts than that with no third-light. Absolute dimensions of V417 Aql are determined from our solution as $M_1$= 0.53 $M_{*}$, $M_2$= 1.45 $M_{*}$, $R_1$= 0.84 $R_{*}$, and $R_2$= 1.31 $M_{*}$, and the distance to it is deduced as about 216pc. Our distance is well consistent with that (204pc) derived from Rucinski & Duerbeck's (1997) relation, $M_{v}$ = $M_{v}$(log P, B-V), but is more distant than that (131$\pm$40pc) determined by the Hipparcos trigonometric parallax. The difference may result from the relatively large error of Hipparcos parallax for V 417 Aql.l.
To determine the site at which -1 ribosomal frameshifting occurs within the gag-pro overlap of HTL V-I. DNA fragment corresponding to a portion of the gene overlap was cloned into a SP6 vector. The resultant plasmid harbors the hybrid gene consisting of a synthetic gene encoding 5 amino acids derived from chick prelysozyme including the initiator methionine plus 141 nucleotides of gag-pro overlapping region followed by Staphylococcus aurcus protein A gene fragment. In vitro transcription by SP6 RNA polymerase with this DNA template made an abundant amount of single species mRNA. Cell-free translation programmed with the RNA transcribed in vitro yielded a polypeptide of 21 kDal in size. which could be purified into homogeneity by IgG-Sepharose affinity chromatography. In vitro system described in this study must be useful for rapid purification and sequencing of the Gag-Pro transframe protein. allowing to determine the exact frameshift site on mRNA and to identify the tRNA involved in frameshifting event for the expression of pro gene.
A pine needle-embedded graphite enzyme electrode, of which bonding agent is CSM rubber, was newly designed and its electrochemistry was studied based on the amperometry. It involved a ground green leaves of pine tree as a zymogen together with electrochemical mediator, ferrocene within the paste. The plots of ln($i(1-e^{nf{\eta}})$) vs. ${\eta}$ and Lineweaver-Burk at the low potential (-100 to -500 mV) showed good linearities indicating that the amperometric response is by the catalytic power of pine peroxidase. Electrochemical parameters obtained, symmetry factor (${\alpha}$, 0.17), limiting current ($i_1$, 1.99 $A/cm^2$), exchange current density ($i_0$, $5.86{\times}10^{-5}\;A/cm^2$), Michaelis constant ($K_M$, $1.68{\times}10^{-3}$ M) and many others showed that pine peroxidase discharges the role of catalyst quantitatively on the electrode surface. Those proved that the practical use of pine peroxidase is promising in place of the marketed.
A portable RF HTS SQUID-based susceptometer was used for small size magnetized sample testing in weak DC (up to 200A/m) and AC (up to 4 A/m) magnetic fields. The system resolution for the magnetic moment is of the order of $1.6{\times}10^{-10} A.m^2$. The measured DC susceptibility of a tested sample agrees well with the value obtained by using a commercial liquid helium susceptometer.
Electrochemical properties of the Al current collector being used in lithium ion batteries have been studied in the 4 different aprotic electrolytes(1 M $LiBF_4$ EC : DMC, 1 M $LiBF_4$ EC : EMC. 1 M $LiPF_6$ EC : DMC. 1 M $LiPF_6$ EC : EMC) employing cyclic voltammetry and impedance measurement. Al electrode showed a wide range of the electrochemical window(0.5~4.1 V vs. $Li/Li^{+}$). However, solid interfacial materials has been formed on the Al surface due to reduction of impurities($H_2O$, $O_2$, etc), lithium salts, and electrolytes at low applied potentials, and aluminum oxides in the highly oxidizing potential as well. Especially, Al current collector was susceptible to localized in consequence of impurities in electrolytes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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