• 분석과학
• /
• 제29권5호
• /
• pp.234-241
• /
• 2016

비글견 혈장 중 arsenite (As(III)), arsenate (As(V)), dimethylarsinic acid (DMA)와 monomethylarsonic acid (MMA)를 정량하기 위한 분석법의 유효성을 검증하기 위하여 본 연구를 수행하였다. 비소를 종 분리하기 위하여 액체크로마토그래피 (HPLC) 와 결합된 유도결합 플라즈마 질량분석기 (ICP/MS) 를 사용하였으며, 비소를 정량하는 검출기에서 스펙트럼 간섭을 최소화하기 위하여 산소(O₂)를 반응기체로 하는 DRC (dynamic reaction cell)모드를 이용하였다. 분석법의 유효성을 검증하는 항목으로 선택성, 직선성, 정확성, 정밀성, 생체시료효과, 회수율, 시스템 적합성, 희석의 타당성과 안정성 실험을 실시하였다. 선택성의 결과 정량에 방해되는 피크는 없는 것으로 확인 되었으며, 정량범위에서 평균 상관계수가 0.999 이상의 좋은 직선성을 보였다. 최저정량한계는 As(III), As(V)와 DMA는 5 ng/mL이였고, MMA는 20 ng/mL이였다. 생체시료의 영향, 시스템 적합성 과 회수율 항목을 통해 정량성에 대한 영향이 없음을 확인하여 비글견 혈장 중 비소 종을 분리하여 정량하는 분석법의 유효성을 검증하였다. 따라서 본 연구에서 제시한 분석법은 건강에 유해한 비소의 농도를 정량 및 평가하는데 적용될 것이다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
• /
• 제37권2호
• /
• pp.79-84
• /
• 2007

This study was aimed to establish analytical method of Bi to develop a guideline of the bioequivalence test of tripotassium dicitrato bismuthate (TDB). For this purpose, a simple, specific and sensitive inductively coupled plasma-mass spectrometry (ICP/MS) method were developed and validated in human plasma. Various concentrations of bismuth standard solution (0-25ng/mL) were prepared with distilled water and human blank plasma. To 10mL of the volumetric flasks, 2mL of blank plasma was added with 8ml of distilled water. Bi standard solution was added to prepare the calibration samples and injected into ICP-MS. The plasma samples obtained from volunteers given 3 tablets of bismuth (total 900mg as TDB) were analyzed as described above. As a result, the coefficients of variation were <20% in quantitation limit (0.2 ng/mL) and <15% at the rest of concentrations. The stability test by repeated freezing-thawing cycles showed that the samples were stable only for 24hr. The stability tested for samples with a short-term period of storage at room temperature and pre-treatment prior to the analysis showed very stable over 24hr. In 8 healthy Korean subjects received Denol tablets at the dose of 900mg bismuth, AUC, $C_{max},\;T_{max}$ and half-life $(t_{1/2})$ were determined to be $198.33{\pm}173.78 ng{\cdot}hr/mL,\;64.48{\pm}27.06 ng/mL,\;0.52{\pm}0.21 hr,\;and\;5.15{\pm}2.67 hr$, respectively, from the plasma bismuth concentration-time curves. In conclusion, the method was suitable for the determination of bismuth in human plasma samples and could be applied to bioequivalence test of bismuth tablet.

• 한국진공학회지
• /
• 제8권4B호
• /
• pp.541-547
• /
• 1999

Reactive ion etching process for InP using BCl3/O2/Ar high density inductively coupled plasma was investigated. The experimental design method proposed by the Taguchi was utilized to cover the whole parameter range while maintaining reasonable number of actual experiments. Results showed that the ICP power and the chamber pressure were the two dominant parameters affectsing etch results. It was also observed that the etch rate decreased and the surface roughness improved as the ICP power and the bias voltage increased and as the chamber pressure decreased. The Addition of oxygen to the gas mixture drastically improved surface roughness by suppressing the formation of the surface reaction product. The optimum condition was ICP power 600W, bias voltage -100V, 10% $O_2$, 6mTorr, and $180^{\circ}C$, resulting in about 0.15$\mu\textrm{m}$ etch rate with smooth surfaces and vertical mesa sidewalls Also, the maximum etch rate of abut 4.5 $\mu\textrm{m}$/min was obtained at the condition of ICP power 800W, bias voltage -150V, 15% $O_2$, 8mTorr and $160^{\circ}C$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.502-502
• /
• 2012

반도체 공정 중 플라즈마를 이용하는 식각 공정의 경우, 실제 식각률이나 profile의 특성은 RF Bias power에 의해 기판에 당겨지는 이온 선속에 의해 큰 영향을 받는다. 때문에 플라즈마 발생장치 내에서 기판에서의 이온에너지 분석이 중요해지고 있다. 이온에너지 분석을 위해 다양한 형태의 이온에너지 분석기가 나와있으나 기판 위에 얹혀있는 양상이었다. 이에 본 발표에서는 실제 기판 안에 이온에너지 분석기를 설치함으로써 실제 기판에서 wafer가 받는 이온들의 양상에 더 가깝게 접근했다. 이렇게 제작 된 이온에너지 분석기를 이용해 대면적 M-ICP(Magnetized-Induced Coupled Plasma)에서 아르곤 가스를 이용한 플라즈마에서 기판 이온 에너지 분포를 확인해 보았다. 압력의 변화, ICP Source power의 변화, 일정한 Source power에서 기판에 가해지는 Bias power의 변화에 대해 측정함으로써 각각의 조건 변화에 따른 이온들의 변화양상에 대한 이해를 할 수 있었다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제37권3호
• /
• pp.164-168
• /
• 2004

Polycrystalline silicon thin films were deposited by inductively coupled plasma (ICP) assisted magnetron sputtering using a gas mixture of Ar and $H_2$ on a glass substrate at $250^{\circ}C$. At constant Ar mass flow rate of 10 sccm, the working pressure was changed between 10mTorr and 70mTorr with changing $H_2$ flow rate. The effects of RF power applied to ICP coil and $Ar/H_2$ gas mixing ratio on the properties of the deposited Si films were investigated. The crystallinity was evaluated by both X-ray diffraction and Raman spectroscopy. From the results of Raman spectroscopy, the crystallinity was improved as hydrogen mixing ratio was increased up to$ Ar/H_2$=10/16 sccm; the maximum crystalline fraction was 74% at this condition. When RF power applied to ICP coil was increased, the crystallinity was also increased around 78%. In order to investigate the surface roughness of the deposited films, Atomic Force Microscopy was used.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제26권4호
• /
• pp.145-149
• /
• 2016

플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사하였다. $GaF_x$ 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 $GaCl_x$ 식각 생성물 형성이 가능한 $Cl_2/Ar$ 플라즈마가 $SF_6/Ar$ 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, $Cl_2/Ar$ 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로 인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에 따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서 최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.

• 분석과학
• /
• 제20권6호
• /
• pp.496-501
• /
• 2007

ICP-AES를 이용하여 금을 분석할 때 감도가 가장 우수한 242.795 nm 파장은 분광학적 간섭을 일으키는 망간, 크롬, 코발트, 철 등의 원소들 때문에 광물에서 금의 분석은 불가능하다. 여기에서는 이들 원소들을 정량적으로 분리하는 분리방법을 연구하였다. 광물에서 금을 분리하기 위하여 광물을 용해한 산 용액에 MIBK 용매를 사용하여 정량적으로 추출하였다. 이때 질산과 염산의 혼산과 MIBK/n-hexane의 혼합용매는 효율적으로 금을 추출할 수 있었으며, 회수율은 97.5% 이상이었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제13권4호
• /
• pp.266-270
• /
• 2003

We studied BCl$_3$ dry etching of GaAs in a planar inductively coupled plasma system. The investigated process parameters were planar ICP source power, chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate. The ICP source power was varied from 0 to 500 W. Chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate were controlled from 5 to 15 mTorr, 0 to 150 W and 10 to 40 sccm, respectively. We found that a process condition at 20 sccm $BCl_3$ 300 W ICP, 100 W RIE and 7.5 mTorr chamber pressure gave an excellent etch result. The etched GaAs feature depicted extremely smooth surface (RMS roughness < 1 nm), vertical sidewall, relatively fast etch rate (> $3000\AA$/min) and good selectivity to a photoresist (> 3 : 1). XPS study indicated a very clean surface of the material after dry etching of GaAs. We also noticed that our planar ICP source was successfully ignited both with and without RIE chuck power, which was generally not the case with a typical cylindrical ICP source, where assistance of RIE chuck power was required for turning on a plasma and maintaining it. It demonstrated that the planar ICP source could be a very versatile tool for advanced dry etching of damage-sensitive compound semiconductors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 광주전남지부
• /
• pp.43-47
• /
• 2006

In this paper, parameters of electron temperature and density for the mercury-free lighting-source were measured to diagnosis and analyze in Xe based inductively coupled plasma (ICP). As results at several dependences of 20~100mTorr Xenon pressure, the brightness of discharge tube was higher (4,900 $cd/m^2$) than other conditions when Xe pressure was 20mTorr and RF power was 200W. In that case, the electron temperature and density were 3.58eV and $3.56{\times}10^{12}cm^2$, respectively. The key parameters of Xe based ICP depended on Xe pressure more than RF power that could be verified. A high electron temperature and low electron density with a suitable Xe pressure are indispensible parameters for Xe based ICP lighting-source.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 방전 플라즈마연구회
• /
• pp.77-80
• /
• 2003

MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술에서 실리콘 식각기술의 중요성으로 플라즈마 식각기술의 개발이 꾸준히 진행되고 있다. 이중에서 ICP(Inductive Coupled Plasma)는 기존의 증착장치에 유도결합식 플라즈마를 추가로 발생시켜 증착막의 특성을 획기적으로 개선시키는 가장 최근에 개발된 기술이며, 이용에너지를 증가시키지 않고도 이용밀도를 높이고 이용업자들에 방향성을 가할 수 있는 새로운 플라즈마 기술로, 주로 MEMS 제조공정에 응용되고 있다. 본 연구에서는 STS-ICP $ASE^{HR}$을 이용하여 식각과 증착공정을 반복하여 식각을 하는 Bosch 식각에 관하여 연구하였다 STS-ICP $ASE^{HR}$ 장비의 Platen power, Coil power 및 Process pressure에 다양한 변화를 주어 각 변수에 따른 식각속도를 관찰하였다. 각 공정별 변수를 변화시킨 결과 Platen power 12W, Coil power 500W, 식각/Passivation Cycle 6/7sec 일 경우 식각속도는 $1.2{\mu}m$/min 이었고, Sidewall profile은 $90{\pm}0.7^{\circ}$로 나타나 매우 우수한 결과를 보였다.