This paper presents a changes of luminescence property for converted white LEDs with the commercially available silicate phosphor. If silicate phosphor's quantity increase step by step. luminescence property will be changing. we analyze luminescence property for these change and carry out the high temperature aging test for 7,000 hours, the high temperature and humidity aging test for 7,000 hours for reliability. LED degradation not only results in reduced light output but also in color changes. so we monitor correlated color temperature (CCT), chromaticity coordinates(x, y) and spectrum intensity. Those results suggest that humidity factor more bad effect in color changes than temperature factor and Lighting quality is related with quantity of phosphor.
Photoluminescence up-conversion in semiconductor heterostructures is a phenomenon in which luminescence occurs at energies higher than that of the excitation photons. It has been observed in many semiconductor heterostructure systems, including InP/AnALAs, CdTe/CdMgTe, GaAs/ordered-(Al)GalnP, GaAs/AIGaAs, and InAs/GaAs. In this wort, GaAs/AIGaAs heterostructures are used as a model system to study the mechanism of the up-conversion process. This system is ideal for testing different models because the band offsets are quite well documented. Different heterostructures are designed to study the effect of disorder on the up-converted luminescence efficiency. In order to study the roles of different types of carriers, the effect of doping was investigated. It was found that the up-converted luminescence is significantly enhanced by p-type doping of the higher-band-gap material.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.530-531
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2013
3 MeV protonirradiated SrTiO3 (STO) single crystal exhibits a blue and green mixed luminescence. However, the same proton irradiated STO deposited with very thin Pt layer does not show any luminescence. This Pt layer involved in preventing the damage caused by arcingthat comes from tens of kV surface voltage build-up due to secondary electron induced charge up at the surface of insulator during ion beam irradiation. It implies that luminescence of ion irradiated STO originated from the modified STO surface layer caused by arcing rather than direct ion beam irradiation effect. Atmospheric pressure plasma, a simple and cost-effective method, treated STO also exhibits the same kind of blue and green mixed luminescence as the ion beam treated STO, because this plasma also creates a surface damage layer by arcing.
$SrTiO_3$ (STO) single crystal irradiated with a 3-MeV proton beam exhibits blue and green mixed luminescence. However, the same proton beam when used to irradiate STO with a very thin layer of deposited Pt does not show any luminescence. This Pt layer prevents any damage which may otherwise be caused by arcing, which stems from the accumulated surface voltage of tens of kV due to the charge induced by secondary electrons on the surface of the insulator during the ion beam irradiation process. Hence, the luminescence of ion-irradiated STO originates from the modification of the STO surface layer caused by arcing rather than from any direct ion beam irradiation effect. STO treated with atmospheric-pressure plasma, a simple and cost-effective method, also exhibits the same type of blue and green mixed luminescence as STO treated with an ion beam, as the plasma also creates a layer of surface damage due to arcing.
The co-doping effect of aliovalent metal ions such as Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, and Zn2+ on the photoluminescence of the Y2O3:Eu3+ red phosphor, prepared by spray pyrolysis, is analyzed. Mg2+ metal doping is found to be helpful for enhancing the luminescence of Y2O3:Eu3+. When comparing the luminescence intensity at the optimum doping level of each Mg2+ ion, the emission enhancement shows the order of Zn2+ ≈ Ba2+ > Ca2+ > Sr3+ > Mg2+. The highest emission occurs when doping approximately 1.3% Zn2+, which is approximately 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+. The highest emission was about 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+ when doping about 1.3% Zn2+. It is determined that the reason (Y, M)2O3:Eu3+ has improved luminescence compared to that of Y2O3:Eu3+ is because the crystallinity of the matrix is improved and the non-luminous defects are reduced, even though local lattice strain is formed by the doping of aliovalent metal. Further improvement of the luminescence is achieved while reducing the particle size by using Li2CO3 as a flux with organic additives.
An orange-emitting phosphor for inorganic electroluminescent device has been studied. Cu and Cl were co-doped in Mn-doped ZnS for a high-performing phosphor. The effect of $Mn^{2+}-doping$ concentration as well as $Mg^{2+}-sensitizer$ addition on the luminescence characteristics has been investigated.
Kang, Jun-Gill;Jeong, Yong-Kwang;Oh, Sung-Il;Kim, Hyun-Jun;Park, Chang-Moon;Tiekink, Edward R.R.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.31
no.8
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pp.2151-2157
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2010
Spectroscopic and quantum mechanical studies of the Et3PAuCl complex were performed to characterize the effect of aurophilicity on the optical properties. When excited with UV light at low temperature, the crystalline complex produced a deep luminescence in both the blue (high-energy) and red (low-energy) regions of the spectrum. The intensity of the low-energy luminescence was markedly reduced in the powdered state and quenched in the solution state. Time-dependent density functional theory (TD-DFT) calculations on electronic structures of both the ground and excited states of aggregates $[Et_3PAuCl]_n$ (n = 1 - 3) indicated that the low-energy luminescence was attributable to Au-centered transitions, which are significantly affected by aurophilic interactions. By contrast, the high-energy luminescence appeared to be independent of the state of the complex and was strongly associated with the charge transfer from Cl to Au.
Kim, Jung-Hyun;Shin, Dong-Muyng;Shon, Byoung-Choung
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.16
no.4
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pp.307-311
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1999
Interfacial properties of electrode and organic thin layer is one of the most important factor in performing a Light Emitting Diodes(LED). Phthalocyanine copper was used as a buffer layer to improve interface characteristic, so that device efficiency was improved. In this study, LEDs were fabricated as like structures of Indium-Tin-Oxide (ITO) / N,N' -Diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) / 8-Hydroxyquinoline aluminum(Alq) / Aluminum(Al) and Indium-Tin-Oxide(ITO) / N,N'-Diphenyl-N,N' -di(m-tolyl)-benzidine(TPD) / 2-(4-Biphenylyl)-5(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD) / Aluminum(Al). In these devices, CuPC was layered at electrode/organic layer interface. As position is changing and thickness is changing, devices showed characteristic luminescence efficiency and luminescence inensity respectively. We showed in this study that luminescence efficiency was improved with CuPC layer in LEDs. The efficiency of device with layer CuPC is higher than that of 2 layer CuPC. However, the luminescence of 2 layer CuPC device got higher value.
In Electro-Luminescence Display making process, it is necessary to do high molecule patterning effectively. Recently, one of the most effective way is the patterning method using Ink-Jet head controller. To maximize the effect, it is needed to control each channel of Ink-Jet head and develop that controller. Thus, we implement the Ink-Jet Head Controller which can control the parameters of 128 fire pulses independently, improve the accuracy of patterns more than 100 times previous ones, and apply random patterns.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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