m-Phenylene-linked biscarbenes, bisnitrenes and carbenonitrenes can be formed photochemically from appropriate nitrogenous precursors. Generation of such reactive intermediates under matrix-isolation conditions allows for their characterization by spectroscopic techniques such as ESR, UV /vis and IR. The latter method is also useful in characterizing secondary products derived from these reactive intermediates. Computational chemistry methods complement experimental IR data, aiding, thus, in identification of such compounds. In addition electronic structure calculations help in developing qualitative and semi-quantitative models, which can be useful in predicting ground-state multiplicities. The parent systems of m-phenylene-linked carbenes and nitrenes have high-spin ground states, but a switching to lower multiplicity can be achieved by chemical substitution. The ground state and various low-lying excited states of m-phenylenecarbenonitrenes can be reasonably approximated by simple valence-bond depictions. Finally, m-phenylenecarbenonitrenes are photoreactive in the inert matrix isomerizing to cyclopropene derivatives.
Structural morphology, annealing behavior and dielectric properties of polyaniline-emeraldine base (Pani-EB) and poly methyl methacrylate (PMMA) thin films prepared by spin coating technique have been studied. MIM and MISM structures were used to investigate annealing and dielectric behavior. The XRD and AFM spectrum of as grown and annealed thin films indicates the amorphous nature. The observed amorphous phase, low loss, dielectric behavior and thermal stability even at high temperatures implies the feasibility of utilizing PMMA and Pani-EB thin films as gate dielectric insulator layer in organic thin film transistors which can find application in flat panel display.
Park, Jung-Il;Lee, Hyeong-Rag;Lee, Su-Ho;Hyun, Dong-Geul
Journal of Magnetics
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v.17
no.1
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pp.13-18
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2012
Starting with Kubo's formula and using the projection operator technique introduced by Kawabata, EPR lineprofile function for a $Mn^{2+}$-doped wurtzite structure GaN semiconductor was derived as a function of temperature at a frequency of 9.49 GHz (X-band) in the presence of external electromagnetic field. The line-width is barely affected in the low-temperature region because there is no correlation between the resonance fields and the distribution function. At higher temperature the line-width increases with increasing temperature due to the interaction of electrons with acoustic phonons. Thus, the present technique is considered to be more convenient to explain the resonant system as in the case of other optical transition systems.
We fabricated prototype cantilevers for mechanically detected high-frequency ESR measurement. Cantilevers are fabricated from silicon-on-insulator (SOI) wafers using standard MEMS techniques such as lithography, wet etching, and plasma etching. Using commercial SOI wafers, fabrication cost and the number of processes can be substantially reduced. In this study, three types of cantilevers, designed for capacitive and optical detection, are shown. Capacitive type with lateral dimensions of $3.5{\times}1.6mm^2$ is aimed for low spin concentration sample. On the other hand, optical detection type with lateral dimensions of $50{\times}200{\mu}m^2$ is developed for high-sensitive detection of tiny samples such as newly synthesized microcrystals.
The temperature dependence of DC magnetic susceptibilities of three austenitic Fe-Cr-Ni stainless alloys were measured in the temperature range of 4.2 and 300 K. Two alloys support a general magnetic description of austen-itic stsinless steels in terms of a two-magnetic-phase (spin glass + superparamagnetic cluster) model and one alloy shows magnetic double transition phenomena. Also this study shows that incressing the Ni/Cr ratio in Fe-Cr-Ni alloys causes a increase of the DC susceptibility peak value and a decrease of the magnetic transition temperature.
Kim, Ki Pyo;Yun, Sang Yong;Kim, Jin Seuk;Hong, Jong Tai
Journal of the Korean Society of Systems Engineering
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v.2
no.2
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pp.39-44
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2006
With the advent of low cost, miniature and high-g hardened inertial sensors and actuators, many kind of smart munitions are becoming practical such as 1D or 2D TCM, SFM, Range Extended GPS guided munitions and so on. They have more complicated trajectory control algorithm than conventional munitions'. Therefore it is necessary to study the complicated operation algorithm of smart munitions with M&S in advance of developing them. The purpose of this paper is to introduce a practical M&S method to study an operation concept of smart munitions using PRODAS and Matlab.
Stobiecki, T.;Czapkiewicz, M.;Wrona, J.;Powroynik, W.;Stobiecki, F.
Journal of Magnetics
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v.3
no.3
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pp.92-95
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1998
In this paper we report the low and high angle diffraction results, and the magnetic and magnetroesistive characteristics of the spin valve multilayer structure prepared by the sputter machine Emerald II in the Balzers Laboratory. The investigated system consists of a ferromagnetic free layer (7 nm NiFe) and a ferromagnetic pinned layer (7 nm NiFe), separated from each other by a nonmagnetic (2.1 nm Cu) spacer. The NiFe pinned layer is fixed by the exchange coupling with an antiferromagnetic layer (10 nm FeMn). For such system the magnetoresistance ratio ΔR/R=3.58%, the interlayer exchange coupling $H_c=6.4$ Oe and the field sensitivity 1.15%/Oe were otained.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S
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v.35S
no.5
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pp.35-41
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1998
This paper presents a decoupling controller of the missile seeker scan loop with a spin-stabilized platform. A precise seeker motion with respect to the scan command is essential for the higher acquisition probability of the target. As the seeker scan loop is a deeply cross-coupled two input two output system, an accurate pointing or scanning for each axis to the target is very difficult, even though provided with the help of a high performance controller. When a decoupling control is applied to the seeker scan loop, the cross-coupling between two axes can be reduced to a remarkable amount. As a low order of controller is required for the real time operation, a PI controller with decoupling filter is suggested and compared with other controllers. A linearized dynamic model of seeker scan loop is used and validated through the comparison of experimental results of step responses.
Semiconductor quantum structures are often characterized by their energy gaps which are modified by the quantum size effect. Energy levels in semiconductors can be realized by optical transitions within confined structures. Photoluminescence spectroscopy in magnetic fields at low temperatures has proved to be a powerful technique for investigating the electronic states of quantum semiconductor heterostructures and offers a complimentary tool to electrical transport studies. In this review, we examine comprehensive investigations of magneto-excitonic and Landau transitions in a large variety of undoped and doped quantum-well structures. Strong magnetic fields change the diamagnetic energy shift of free excitons from quadratic to linear in B in undoped single quantum well samples. Two-dimensional electron gas induced by modulation doping shows pronounce quantum oscillations in integer quantum Hall regime and discontinuous transition at ${\nu}=1$. Such discontinuous transition can be explained as the formation of spin waves or Skyrmions.
The low temperature luminescence and excitation, room-temperature UV-visible and infrared spectra of [Cr(${\pm})chxn_3]Cl_3$ (chxn=trans-1,2-cyclohexanediamine) have been measured. It is found that the zero-phonon line in the excitation spectrum splits into two components by $47\;cm^{-1}$. The eight electronic transitions due to spin-allowed and spin-forbidden are assigned. As expected, nitrogen atoms of chxn ligand have strong ${\sigma}-donor $properties toward chromium(Ⅲ). The positions and splittings of sharp-line transitions are analyzed as a function of the Cartesian bite (${\alpha}$) and twist (${\beta}$) angles to predict the metal-ligand geometry.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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