• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제12권3호
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• pp.1224-1242
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• 2018

Aiming at motion analysis and compensation, it is essential to conduct motion detection with images. However, motion detection and tracking from low-altitude images obtained from an unmanned aerial system may pose many challenges due to degraded image quality caused by platform motion, image instability and illumination fluctuation. This research tackles these challenges by proposing a modified joint transform correlation algorithm which includes two preprocessing strategies. In spatial domain, a modified fuzzy edge detection method is proposed for preprocessing the input images. In frequency domain, to eliminate the disturbance of self-correlation items, the cross-correlation items are extracted from joint power spectrum output plane. The effectiveness and accuracy of the algorithm has been tested and evaluated by both simulation and real datasets in this research. The simulation experiments show that the proposed approach can derive satisfactory peaks of cross-correlation and achieve detection accuracy of displacement vectors with no more than 0.03pixel for image pairs with displacement smaller than 20pixels, when addition of image motion blurring in the range of 0~10pixel and 0.002variance of additive Gaussian noise. Moreover,this paper proposes quantitative analysis approach using tri-image pairs from real datasets and the experimental results show that detection accuracy can be achieved with sub-pixel level even if the sampling frequency can only attain 50 frames per second.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 2007년도 추계학술 발표회
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• pp.187-192
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• 2007

메탄올 분해/합성 반응을 이용한 장거리 열수송 시스템에 대한 경제적 타당성 연구를 조사하였다. 본 연구는 열공급처에서 흡열반응을 이용하여 메탄올을 수소와 일산화탄소로 분해하여 이 반응생성물 가스를 수송관을 이용하여 열수요처로 이송한 후 열수요처에서 일산화탄소와 수소를 메탄으로 합성하며, 이 발열반응에서 발생하는 열을 회수하여 온수로 사용하는 개념이다. 메탄을 분해/합성 반응은 상대적으로 낮은 온도와 낮은 압력 그리고 높은 전화율을 이용한 장거리 열수송 반응의 대표적인 반응이 될 수 있다. 본 연구에서는 열공급처에서 15 km 떨어진 장소에서 1만 가구에 필요한 온수를 공급하기 위한 시스템의 설계 및 경제성을 검토하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.65-65
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• 1999

Dry etching technique provides more easy controllability on the etch profile such as anisotropic etching than wet etching process and the results of lots of researches on the characterization of various plasmas or ion beams for semiconductor etching have been reported. Chlorine-based plasmas or chlorine ion beam have been often used to etch several semiconductor materials, in particular Si-based materials. We have studied the effect of He flow rate on the Si and SiO2 dry etching using chlorine-based plasma. Experiments were performed using reactive ion etching system. RF power was 300W. Cl2 gas flow rate was fixed at 58.6 sccm, and the He flow rate was varied from 0 to 120 sccm. Fig. 1 presents the etch depth of si layer versus the etching time at various He flow rate. In case of low He flow rate, the etch rate was measured to be negligible for both Si and SiO2. As the He flow increases over 30% of the total inlet gas flow, the plasma state becomes stable and the etch rate starts to increase. In high Ge flow rate (over 60%), the relation between the etch depth and the time was observed to be nearly linear. Fig. 2 presents the variation of the etch rate depending on the He flow rate. The etch rate increases linearly with He flow rate. The results of this preliminary study show that Cl2/He mixture plasma is good candidate for the controllable si dry etching.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.79-79
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• 1999

The varous techniques for fabrication of si or metal tip as a field emission electron source have been reported due to great potential capabilities of flat panel display application. In this report, 240nm thermal oxide was initially grown at the p-type (100) (5-25 ohm-cm) 4 inch Si wafer and 310nm Si3N4 thin layer was deposited using low pressure chemical vapor deposition technique(LPCVD). The 2 micron size dot array was photolithographically patterned. The KOH anisotropic etching of the silicon substrate was utilized to provide V-groove formation. After formation of the V-groove shape, dry oxidation at 100$0^{\circ}C$ for 600 minutes was followed. In this procedure, the orientation dependent oxide growth was performed to have a etch-mask for dry etching. The thicknesses of the grown oxides on the (111) surface and on the (100) etch stop surface were found to be ~330nm and ~90nm, respectively. The reactive ion etching by 100 watt, 9 mtorr, 40 sccm Cl2 feed gas using inductively coupled plasma (ICP) system was performed in order to etch ~90nm SiO layer on the bottom of the etch stop and to etch the Si layer on the bottom. The 300 watt RF power was connected to the substrate in order to supply ~(-500)eV. The negative ion energy would enhance the directional anisotropic etching of the Cl2 RIE. After etching, remaining thickness of the oxide on the (111) was measured to be ~130nm by scanning electron microscopy.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제26권5호
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• pp.1117-1128
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• 2015

오늘날 ICT기술의 눈부신 발전으로 많은 부분에 정보화와 자동화가 이루어져 있으며, 제조업에서도 경쟁우위를 확보하기 위해 설계, 생산 공정의 자동화와 정보시스템을 도입하고 있다. 그러나 정보화 투자 여력이 없는 영세 중소제조 기업의 경우 생산현장에서 정보화의 힘이 미치지 못하고 있으며, 작업자의 경험과 수기데이터에 의존하여 생산 공정을 관리하고 있는 실정이다. 수기데이터로 관리되고 있는 제조공정에서는 불량 발생 시 불량원인을 명확히 밝혀내는데 한계가 있다. 본 연구에서는 수기데이터로 관리되고 있는 중소제조 자동차 부품 가공공정에 대하여, 수기데이터를 수집, 향후 센서데이터를 활용할 수 있도록 중소 제조 맞춤형 분석시스템을 구축하고, 중요도가 큰 일부 공정에 대하여 품질에 영향을 미치는 핵심요인을 4M관점에서 분석하였다. 분석결과, 호기별 불량수량에는 유의한 차이가 없었으며, 원자재, 생산수량, 작업자간 유의한 차이가 있는 것으로 분석되었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권5호
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• pp.19-25
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• 2004

이 논문에서는, 칩비동기 직접수열 대역확산 시스템을 위한 최적 및 준최적 직렬 코드 포착 기법을 제안한다. 기존의 직렬코드 포착 기법은 상관기 출력값 각각을 하나씩 차례대로 정해진 문턱값과 비교하는 방식이며, 이러한 방식은 칩동기 가정아래에서는 최적임이 알려져 있다. 하지만 역확산 이전에 이루어지는 코드 포착 과정에서는 각 칩의 신호대잡음비가 매우 낮기때문에 칩동기 가정이 만족되기 어렵다. 따라서 이 논문에서는 좀더 현실적이고 일반적인 칩비동기 환경을 생각하고 이를 위해 최대우도 기준에 바탕을 둔 최적 직렬 코드 포착 기법을 제안한다. 또한, 좀더 간단하면서도 최적 기법과 비슷한 성능을 지니는 준최적 기법을 국소 최적 검파 전력 기준에 바탕을 두고 제안한다. 마지막으로 수치 해석 결과를 통해, 제안한 최적 및 준최적 직렬 코드 포착 기법이 칩비동기 환경아래에서 기존의 직렬 코드 포착 기법보다 뛰어남을 보인다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.1-6
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• 2000

최근에 빠른 쓰기/읽기 속도, 적은 소비 전력과 비휘발성을 가지는 메모리 캐패시터의 유전 재료로서 SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/(SBT)에 대한 관심이 집중되고 있다. 강유전체 물질을 이용한 고밀도 FeRAM을 생산하기 위하여서는 식각에 의한 패턴이 형성되어야 한다. 강유전체 물질의 성장과 그 전기적 특성에 관한 연구와 발표는 많이 발표 되고 있다. 그러나, 강유전체 물질의 식각의 어려움 때문에 SBT 박막 식각에 관한 연구는 거의 전무하다고 할 수 있다. 그러므로, SBT 박막의 식각의 특성을 알아보기 위하여, SBT 박막은 CF/sub 4/Ar 가스 플라즈마를 이용하여 MEICP로 식각 되어졌다. XPS를 이용하여 식각 된 SBT 박막의 표면에서의 화학 반응을 분석하였고, XPS 분석을 검증하기 위하여 SIMS 분석을 하여 비교하였다.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제44권1호
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• pp.64-69
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• 2007

본 논문은 고속 UWB(Ultra Wide Band) 시스템을 위한 인터폴레이터를 구현한다. 구현된 고속 UWB 시스템용 인터폴레이터는 기존 가변 파라미터를 이용한 큐빅 인터폴레이터에 병렬 처리 기술과 파이프라인 기법을 동시에 적용한다. Stratix II EP2S60F1020C3를 타겟 디바이스로 실험한 결과, 최대지연경로 속도와 최대지연경로 주기가 각각 최대 102.42MHz와 9.764ns가 되었고, 동작속도는 최대 대략 190%이상 향상되었음을 알 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.28-33
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• 2008

본 논문에서는 클록 손실 측정 기법을 이용한 디지털 디스플레이 인터페이스(Digital Display Interface: DDI)용 이퀄라이저를 제안한다. 제안하는 클록 손실 측정 기법은 최저 전압 유지 회로를 사용하여서 채널의 손실 정보를 추출한다. 추출된 손실 정보는 이퀄라이저 필터에 인가되며, 시스템의 안정도를 증가시키기 위해 제안된 이퀄라이저는 피드포워드 구조(Feedforward Loop)로 구현된다. 제안된 이퀄라이저는 0.18um CMOS 공정으로 제작되었으며, 실험 결과 채널 손실이 -33dB인 경우에 1.65Gbps의 신호들이 최소 0.7UI의 Eye Width를 가지게 된다. 또한 최대 10mW 이하의 전력을 소모하며, $0.127mm^2$ 의 유효면적을 차지한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.820-825
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• 2004

본 논문에서는 TV set-top tuner용으로 사용할 수 있는 옥타브 밴드를 갖는 전압제어 발진기를 설계하였다. 측정 결과, 주파수 튜닝 범위는 0.9 GHz～2.2 GHz로써 1.3 GHz의 발진 대역을 갖는다. 광대역 튜닝과 선형성, 그리고 일정한 위상 잡음 성능을 유지하기 위해 트랜지스터의 베이스와 에미터부에 모두 4개의 배랙터 다이오드를 사용한 것이 특징이다. 개발된 전압제어발진기는 0 V～20 V의 제어 전압과 10 V, 15 mA의 공급 전력을 필요로 한다. 출력 전력은 5.3 dBm을 중심으로 약 $\pm$1.1 dB의 편차를 갖고, 위상 잡음은 전 발진 대역에서 -94.8 dBc/Hz ＠ 10 kHz offset 이하의 값을 보인다. 선형성은 평균적으로 65 MHz/V이고 $\pm$10 MHz의 편차를 보인다.