Kim, Chang-Son;Lee, Gi-Dong;Yoon, Tae-Hoon;Kim, Jae-Chang
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2000.01a
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pp.199-200
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2000
Measurement of low cell gap and retardation by using a rotating polarizer method was proposed. For more precise calculation and measurement, we applied a retardation film that has large retardation value of $1\;{\mu}m$ to measurement system. From experiments, we proved that cell gap and retardation could be measured even though the values of those are so small.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.10
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pp.914-922
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2003
The FFS (fringe-field switching) mode was known to exhibit both a wide viewing angle and high transmittance, especially when using a liquid crystal with negative dielectric anisotropy. We have studied cell gap-dependent electrode-optic characteristics of the FFS mode using the LC with negative dielectric anisotropy. In case of a small cell gap of 2 ${\mu}$m, the transmittance at the center of pixel and common electrodes is relatively low because effect of surface anchoring that holds the LC to the initial state is larger than that in a large cell gap of 4 .urn such that the LCs in those regions cannot rotate enough. However, in case of a large cell gap of 4 .urn, the effect of surface anchoring becomes relatively small so that the LCs at the center of pixel and common electrode can be twisted enough by applied voltage, giving rise to high transmittance. Therefore, we can conclude that the light efficiency is dependent on the cell gap.
Kim, H.Y.;Kim, J.M.;Song, S.H.;Lee, S.K.;Lim, Y.J.;Jung, S.H.;Lee, S.H.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2003.07a
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pp.539-542
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2003
We have studied cell gap-dependent electrode-optic characteristics of the FFS mode using the LC with negative dielectric anisotropy. In case of a small cell gap of 2 ${\mu}m$, the transmittance at the center of pixel and common electrodes is low due to stronger influence of surface anchoring that holds the LC to the initial state than twisting force induced by neighboring LCs. In case of a large cell gap of 4 ${\mu}m$, the influence of surface anchoring force becomes weak so that the LCs at the center of pixel and common electrode can be twisted enough by applied voltage, giving rise to high transmittance. Therefore, we conclude that the light efficiency in the device is dependent on the cell gap.
We propose a new PDP cell structure named DIDE (Dual Ignition Discharge Electrodes) structure with a long electrode gap to realize a high luminous efficacy. Suggested DIDE structure basically has a long electrode gap $(200{\mu}m{\sim}400{\mu}m)$, nevertheless, because of auxiliary electrodes formed on the front panel, can be driven at relatively low voltage. The discharge characteristic of DIDE structure was much different from that of conventional structure, which was analyzed by IR emission images using IICCD (Image Intensified Charge Coupled Device). The study can explain some particular characteristics of DIDE structure. As a result, the long electrode gap and low voltage effect can be expected in DIDE structure, and a very high luminous efficacy of 7.5 lm/W has been achieved in monochrome green test panel adopting the new cell structure with Ne-Xe (12%) mixture at 400 torr.
Iftiquar, Sk Md;Park, Jinjoo;Shin, Jonghoon;Jung, Junhee;Bong, Sungjae;Dao, Vinh Ai;Yi, Junsin
Current Photovoltaic Research
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v.2
no.2
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pp.41-47
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2014
Extensive investigation on silicon based thin film reveals a wide range of film characteristics, from low optical gap to high optical gap, from amorphous to micro-crystalline silicon etc. Fabrication of single junction, tandem and triple junction solar cell with suitable materials, indicate that fabrication of solar cell of a relatively moderate efficiency is possible with a better light induced stability. Due to these investigations, various competing materials like wide band gap silicon carbide and silicon oxide, low band gap micro-crystalline silicon and silicon germanium etc were also prepared and applied to the solar cells. Such a multi-junction solar cell can be a technologically promising photo-voltaic device, as the external quantum efficiency of such a cell covers a wider spectral range.
Rho, Bong-Gyu;Bae, Byung-Seong;Yang, Byung-Kowan;Kim, Jin-Sung;Oh, Jae-Min;Jang, Jin
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07b
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pp.878-881
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2005
We report a cell gap variation tolerant liquid crystal display(LCD). Since the cell gap variation of the LCD results in the variation of brightness and contrast ratio, we should control carefully the process to get the uniform cell gap. For the projector application, this is more significant and the one reason of the low yield. We observed that the brightness variation of LCD is suppressed by insertion of dielectric layer between the pixel electrode and liquid crystal.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.320-320
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2014
Amorphous silicon alloy (a-Si) solar cells and modules have been receiving a great deal of attention as a low-cost alternate energy source for large-scale terrestrial applications. Key to the achievement of high-efficiency solar cells using the multi-junction approach is the development of high quality, low band-gap materials which can capture the low-energy photons of the solar spectrum. Several cell designs have been reported in the past where grading or buffer layers have been incorporated at the junction interface to reduce carrier recombination near the junction. We have investigated profiling the composition of the a-SiGe alloy throughout the bulk of the intrinsic material so as to have a built-in electrical field in a substantial portion of the intrinsic material. As a result, the band gap mismatch between a-Si:H and $a-Si_{1-x}Ge_x:H$ creates a barrier for carrier transport. Previous reports have proposed a graded band gap structure in the absorber layer not only effectively increases the short wavelength absorption near the p/i interface, but also enhances the hole transport near the i-n interface. Here, we modulated the GeH4 flow rate to control the band gap to be graded from 1.75 eV (a-Si:H) to 1.55 eV ($a-Si_{1-x}Ge_x:H$). The band structure in the absorber layer thus became like a U-shape in which the lowest band gap was located in the middle of the i-layer. Incorporation of this structure in the middle and top cell of the triple-cell configuration is expected to increase the conversion efficiency further.
Kim, Jin-Yool;Kim, Dong-Woo;Yu, Chang-Jae;Lee, Sin-Doo
Journal of Information Display
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v.5
no.3
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pp.14-17
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2004
We have developed a new type of transflective liquid crystal display (LCD) with a single cell gap and a single LC mode. In our transflective configuration, a single LC mode of a 60$^{\circ}$ twisted nematic LC was used for both transmissive and reflective applications. The measured electro-optic characteristics of our transflective LC cell agree well with numerical simulation results. Moreover, the transmittance was found to show similar behavior to the reflectance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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