• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.129-132
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• 2000

In this paper, a 1.8㎓ low noise amplifier was designed and simulated using 0.2$\mu\textrm{m}$ Si CMOS process. Noise characteristics and s parameters were extracted for the 300$\mu\textrm{m}$ gate width and 0.25$\mu\textrm{m}$ gate length NMOS transistors. For high available power gain, each stage was designed cascode type. It revealed available power gain of 23.5dB, noise figure of 2.0dB, power consumption of 15㎽ at 2.5V. It was shown that designed low noise amplifier had good RF performance. Designed Si CMOS LNA is expected to be used for RF front-end in transceiver.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.893-899
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• 2000

본 논문에서는 0.65 $\mu$m CMOS 공정을 이용한 900MHz 대역의 저잡음 증폭기를 설계하였다. 입력 매칭은 전력소모가 가정 적고 NF도 가장 작은 인덕터 종단 정합회로를 사용하였다. 온칩 상에 바이어스 안정화를 포한시켰으며, 전원은 3V를 공급하였을 때 전력 소모는 39mW이다. 설계된 저잡음 증폭기의 특성능 900MHz 대역에서 13.2dB의 이득과 4.8dB의 Noise Figure가 측정이 되었다. 입력 반사손실으 -26dB, 츨력반사 손실은 -17dB을 얻었으며, 입력 1-dB 억압 -12dBm을 얻었다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권9호
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• pp.62-66
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• 2016

본 논문에서는 의료기기용 MedRadio 대역의 저전력 저잡음 증폭기를 제안한다. 제안한 저잡음 증폭기는 전류 재사용 저항 피드백 증폭기 구조를 채택하여 $g_m$을 증폭시키고 소스 인덕터 없이 입력 매칭을 가능하도록 하였다. 추가적으로 제안한 직렬 저항, 인덕터, 커패시터 입력 매칭 네트워크의 Q-factor를 통해 저잡음 증폭기의 전압 이득을 증가시켜 잡음 지수를 최소화 했다. 로드저항이 없는 구조를 채택하여 낮은 전원 전압으로 전력 소모를 줄였다. 제안한 MedRadio 대역 저전력 저잡음 증폭기는 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, 전원 전압 1 V에서 0.18 mA의 전류를 소모하면서 0.85 dB의 잡음 지수, 30 dB의 전압 이득, -7.9 dBm의 IIP3의 성능을 보인다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제2권4호
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• pp.635-641
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• 1998

본 논문에서는 셀룰러 CDMA 기지국 및 중계기의 수신부에 사용되는 크기가 작은 824 ∼ 849 MHz용 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier)를 저항 결합회로를 사용하여 구현하였다. 사용된 저항 결합회고는 반사되는 전력이 정합회로내의 저항에서 소모되므로 반사계수가 작아지고, 안정도도 개선되며 저잡음 증폭기의 설계시 입력단 정합에 용이하였다 저잡음 증폭기의 설계 제작에는 저잡음 GaAs FET인 ATF-10136과 내부정합된 MMIC인 VNA-25를 이용하였으며, 알루미늄 기구물안에 RF 회로와 자체 바이어스(Self-bias) 회로를 함께 장 착시켰다. 이렇게 제작된 저잡음 증폭기는 35dB이상의 이득과 0.9dB이하의 잡음지수, 18.6dBm의 P1dB, P1dB 출력레벨에서 10dB back off 시켰을때 31.17dB의 IM3를 얻었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권5호
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• pp.279-285
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• 2004

In this paper, low noise amplifier(LNA), aperture coupled patch antenna and $4{\times}4$ array antenna are designed in the frequency range from 11.7㎓ to 12㎓. Array antennas with and without LNA at the antenna element are fabricated and the performances are measured including noise figure(NF). The noise figure calculation for overall system was conducted and compared with the measured data to verify our measurement method. The measured overall noise figure of the array antenna with LNA at the antenna element is lower than that of array without LNA as expected.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.149-154
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• 2022

GaN 소자는 고출력 및 고선형성 특성을 가지므로 레이더 수신기에서 저잡음 증폭기로 활용되어 리미터 없이 구현될 수 있으며, 이로 인해 잡음지수를 개선하고 면적을 줄일 수 있다. 본 논문에서는 Ka-대역 레이더용 수신기에 적용하기 위한 GaN 저잡음 증폭기를 기술하였다. 설계된 저잡음 증폭기는 150-nm GaN HEMT 공정으로 제작되었으며, 목표주파수 내에서 패키징 손실을 포함하여 >23 dB 이득, <6.5 dB의 잡음지수 특성을 보였다. 고입력 부하시험시 이득 및 잡음 저하가 있었으나, 반복시험시 추가적인 성능저하는 나타나지 않았다. 부하시험 후 잡음지수 및 S-파라미터 측정을 통해 GaN 저잡음 증폭기에서 ~40 dBm 펄스 입력 전력을 견딜 수 있음을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.1089-1095
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• 2005

본 논문에서는 5GHz 저잡음 증폭기(LNA)의 성능 측정을 위한 새로운 형태의 저가 BIST(Built-In Self-Test) 회로를 제안한다 이러한 BIST 회로는 system-on-chip (SoC) 송수신 환경에 적용될 수 있도록 설계되어 있다. 본 논문에서 제안하는 BIST 회로는 입력 임피던스, 전압이득, 잡음지수, 입력반사손실(input return loss) 및 출력 신호 대 잡음전력비(signal-to-noise ratio)와 같은 저잡음 증폭기의 주요 성능 지수를 측정 할 수 있으며, 단일 칩 위에 제작되어 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.76-80
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• 2011

본 논문에서는 3~5 GHz의 동작 주파수를 가지는 0.18-${\mu}m$ CMOS 저전력/광대역 저잡음 증폭기 구조를 제안한다. 제안하는 광대역 저잡음 증폭기는 광대역 입력 정합, 발룬 기능, 그리고 우수한 노이즈 특성을 얻기 위해 노이즈 제거 회로 구조를 채택하였다. 특히, 2차 LC-대역 통과 필터를 증폭기의 부하로 구현함으로써 기존에 발표된 문헌들보다 최소 전력을 소모하면서 높은 전력 이득과 낮은 잡음 지수를 얻을 수 있었다. 본 논문에서 제안하는 저잡음 증폭기는 1.8 V 공급 전압으로부터 단지 3.94 mA의 전류를 소모하며, 모의 실험 결과, 3~5 GHz UWB 대역에서 전력 이득은 최소 +17 dB 이상, 잡음 지수는 최대 +4 dB 이하, 그리고 입력 IP3는 -15.5 dBm을 가진다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제6권2호
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• pp.352-359
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• 2003

본 논문에서는 마이크로스트립 대역통과 여 파기와 0.2$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정을 이용한 저 잡음 증폭기를 이용하여 블루투스 리시버를 설계하였다. 설계한 저잠음 증폭기는 캐스코드 인버터를 이용하였으며, 레퍼런스 전압원을 가지며 쵸크 인덕터를 사용하지 않는 1단으로 설계하였다. 설계된 2.4GHz 저잡음 증폭기는 2.8dB의 NF값과 18dB의 전력이득을 가지고 있으며, 2.5V 공급 전원에서 255mW의 소모전력을 가지고 있다. 또한 마이크로스트립리시버 여파기는 중심주파수는 2.45GHz이고 대역폭은 4%이고 삽입손실은 -l.9dB를 가지고 있다. 마이크로스트립 대역통과 여과기와 저잡음 증폭기를 시뮬레이션 하였을 경우 16.3dB의 전력이득을 나타내 어 블루투스 대역에서 대역통과의 좋은 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권8호
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• pp.1705-1712
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• 2004

본 논문에서는 5.25GHz 저잡음 증폭기(LNA)에 대해 전압이득, 잡음지수 및 입력 임피던스를 측정할 수 있는 새로운 형태의 저가 고주파 BIST(Built-In Self-Test, 자체내부검사)회로 설계 및 검사 기술을 제안한다. 이러한 BIST 회로는 0.18$\mu\textrm{m}$ SiGe 공정으로 제작되어 있다. 이러한 접근방법은 입력 임피던스 정합과 출력 전압 측정원리를 이용한다. 본 논문에서 제안하는 방법은 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 LNA가 차지하는 전체면적의 약 18%에 불과하다.