Kim, Gracia;Jo, William;Nam, Dahyun;Cheong, Hyeonsik;Moon, Seoung Hyun
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제18권2호
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pp.1-4
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2016
To observe the superconducting current and structural properties of high critical temperature ($T_c$) superconductors (HTS), we suggest the following imaging methods: Room temperature imaging (RTI) through thermal heating, low-temperature bolometric microscopy (LTBM) and Raman scattering imaging. RTI and LTBM images visualize thermal-electric voltages as different thermal gradients at room temperature (RT) and superconducting current dissipation at near-$T_c$, respectively. Using RTI, we can obtain structural information about the surface uniformity and positions of impurities. LTBM images show the flux flow in two dimensions as a function of the local critical currents. Raman imaging is transformed from Raman survey spectra in particular areas, and the Raman vibration modes can be combined. Raman imaging can quantify the vibration modes of the areas. Therefore, we demonstrate the spatial transport properties of superconducting materials by combining the results. In addition, this enables visualization of the effect of current flow on the distribution of impurities in a uniform superconducting crystalline material. These imaging methods facilitate direct examination of the local properties of superconducting materials and wires.
In order to develop 2nd generation (2G) high-temperature superconducting (HTS) wires as commercial products, it is necessary to perform a high speed investigation of their superconducting performance. Room-temperature and non-contact optical scanning tools are necessary to verify the microstructure of the superconducting materials, the current flow below the critical temperature, and the critical current density. In this paper, we report our results of an inspection of the electrical transport properties of coated conductors. The samples that we used in our study were highly qualified rare-earth based coated conductors produced via co-evaporation, and $SmBa_2Cu_3O_{7-y}$ (SmBCO) was the superconducting materials used in our studies. A film grown on IBAD-MgO templates shows larger than 400 A/cm at 77 K and a self-field. The local transport properties of the films were investigated by room-temperature imaging by thermal heating. The room-temperature images show structural inhomogeneities on the surface of the films. Bolometric response imaging via low-temperature bolometric microscopy was used to construct the local current mapping at the surface. These results indicate that the non-uniform regions on the surface disturb the current flow, and laser scanning images at room-temperature and at a low-temperature suggest a correlation between the structural properties and transport properties. Thus this method can be effective to evaluate the quality of the coated conductors.
The purpose of this work is to develop, integrate, and implement an optical characterization method to evaluate physical properties in coated conductors and investigate the local distribution of the causes of degraded performance. The method that we selected at this moment is Raman scattering spectroscopy, which is accompanied with measurements of local supercurrent transport, phase composition, microstructure, and epitaxy quality for coated conductors that range in size up to multi-meter-length tapes and that embrace the entire tape embodiment (substrate through cap layer). The establishment of Raman spectroscopy as an on-line process monitoring tool is our eventual goal of research, but it requires very robust and cost-effective equipments. We analyzed $YBa_2Cu_3O_7(YBCO)$ thin films grown at various substrate temperatures by using Raman spectroscopy. YBCO films were grown by a high-rate electron-beam co-evaporation method. Raman spectra of YBCO films with lower-transport properties exhibit additional phonon modes at ${\sim}300cm^{-1}$, ${\sim}600cm^{-1}$ and ${\sim}630cm^{-1}$, which are related to second-phases such as $Ba_2Cu_3O_{5.9}$ and $BaCuO_2$. We propose a new method to characterize Raman spectra of coated conductors for an in-line quality control.
DC 마그네트론 스파터법과 RLSA(Radial Line Slot Antenna)을 이용한 마이크로파 여기 프라즈마를 이용하여 Ta/Cu/Ta/NiFe/Cu/Mn$_{75}$Ir$_{25}$/ $Co_{70}$Fe$_{30}$/Al-oxide 구조의 접합을 제조한 후, contact-mode AM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 Al 산화막의 국소전도 특성의 평가를 수행하였다. AFM 동시전류측정으로부터, 얻어지는 표면상과 전류상은 대응하지 않는다. 국소 전류-전압(I-V)의 측정 결과, 전류상은 절연층의 barrier height의 분포를 나타내고 있다는 것을 알았다.다.다.
Tunnel junctions with AI-N barriers fabricated by microwave-excited plasma were studied. When the Al thickness, nitridation time, and annealing temperature were 1 nm (0.8 nm), 50 s (35 s), and $280^{\circ}C$ ($300^{\circ}C$), TMR ratio and resistance-area product (RA) were 49% (34%) and $3 ${\times}$ 10^4$$\Omega$$\mu\m^2$ ($1.5 ${\times}$ 10^4$$\Omega$$\mu\m^2$), respectively. In order to clarify the annealing temperature dependence of TMR ratio, the local transport properties were measured for Ta 5 nm/Cu 20 nm/Ta 5 nm$29_{76}$$Fe_{24}$ 2 nm/Cu 5 nm/M $n_{75}$$Ir_{25}$ 10 nm/ $Co_{71}$$Co_{29}$ 4nm/Al-N junction with Al thickness of 0.8 nm and nitridation time of 35s at various temperatures. The increase of TMR ratio after annealing at $300^{\circ}C$, where the TMR ratio of the corresponding MTJ had the maximum value of 34%, can be well explained by the enhancement of the average barrier height ($\Phi_{ave}$) and the reduction of its fluctuation. After further annealing at $340^{\circ}C$, the leakage current was observed and the TMR ratio decreaseded
Ferromagnetic tunnel junctions, Ta/Cu/Ta/NiFe/Cu/$Mn_{75}$$Ir_{25}$$Co_{70}$$Fe_{30}$/Al-oxide, were fabricated by do magnetron sputtering and plasma oxidation process. The effect of annealing temperature on the local transport properties of the ferromagnetic tunnel junctions was studied using contact-mode Atomic Force Microscopy (AFM). The current images reflected the distribution of the barrier height determined by local I-V analysis. The contrast of the current image became more homogeneous and smooth after annealing at $280^{\circ}C$. And the average barrier height $\phi_{ave}$ increased and its standard deviation $\sigma_{\phi}$ X decreased. For the cases of the annealing temperature more than $300^{\circ}C$, the contrast of the current image became large again. And the average barrier height $\phi_{ave}$ decreased and its standard deviation $\sigma_{\phi}$ increased. Also, the current histogram had a long tail in the high current region and became asymmetric. This result means the generation of the leakage current that is resulted from the local generation of a low barrier height region. In order to obtain the high tunnel magnetoresistance(TMR) ratio, the increase of the average barrier height and the decrease of the barrier height fluctuation must be strictly controlled.led.
Distribution of the local properties in GdBCO and YBCO coated conductors was investigated using Low-temperature Scanning Laser and Hall Probe Microscopy (LTSLHPM). We prepared GdBCO and YBCO coated conductors to study the spatial distribution of the current density in a single bridge. Inhomogeneity of the ${T_c}^{max}$ in the bridge was analyzed from experimental results of Scanning Laser Microscopy (SLM) near the superconducting transition. The local transport and screening current in the bridge were also investigated using Scanning Hall Probe Microscopy (SHPM). A series of line scans of SLM of the GdBCO and YBCO sample showed that lines with more inhomogeneous distributions of ${\delta}V$ had more inhomogeneous distributions of ${T_c}^{max}$. The defect of the superconducting layer of the GdBCO sample caused by damage to the substrate affected the current flow. And we could analyze the redistribution of the current density using SLM and SHPM.
The notion of effective transport property of a heterogeneous medium implies that the medium is large enough that the ergodic theorem holds and local fluctuation of the property can be neglected. In case that the medium is not large enough compared to its characteristic microstructure length scale, the effective property fluctuates and differs from the value of the medium being large enough. As a representative transport phenomenon, diffusion was considered and the fluctuation of varying effective diffusion property, diffusion coarseness $C_k$, was defined as a quantifying parameter. Scaled effective diffusion property, $^*$>/k$_1$ and $C_k$ were computed for the two phase random media consisting of matrix of diffusion coefficient k$_1$ and spheres of diffusion coefficient k$_2$. Numerical simulations were performed by use of the so-called first passage time technique and data were collected for existing microstructure models of hard spheres(HS), overlapping spheres(OS) and penetrable concentric shells(PCS).
Experimental examinations for evaluating fracutres were conducted by using transparent replicas of a single fracture in order to obtain the fracture data to contribute to the methodlogy on how to improve the definitaion of representative parameter values used for a parallel plate fracture model. Quantitative aperture distribution and quantitative tracer concentration data at each point in time were obtained by measuring the attenuation of transmitted light through the fracture in high spatial resolution. the representative aperture values evaluated from the multiple different measurement methods, such as arithmetic mean of aperture distribution measured by the optical method, transport aperture evaluated from the tracer test, and average aperture evaluated from the fracture void volume measurement converged to a unique value that indicates the accuracy of this experimental study. The aperture data was employed for verifying the numerical simulation under the assuption of Local Cubic Law and showed that the calculated flow rate through the fracture is 10%-100% larger than hydraulic test results. The quantitative tracer concentration data is also very valuable for validating existing numerical code for advection dispersion transport in-plane heterogeneous fractures.
In this study, a device was fabricated to check the possibility of a memory device by controlling the oxygen functional groups in graphene oxide formed with a 45-second exposure time. We discovered that graphene oxide can be formed using the ultraviolet (UV) light treatment method with different exposure times. Moreover, Raman spectroscopy measurement revealed that the oxygen functional groups can be moved by controlling the voltage. We further studied the change in the local graphene oxide region, which was found to be related to the modulation of the electrical properties of the device. Therefore, the fabricated graphene oxide device can be used as a wettability switching membrane and graphene-based ion transport device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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