녹차 잎 1.5 g에 증류수 100 mL을 가하여 $75^{\circ}C$에서 5분 동안 추출하여 녹차 음료를 제조하였다. 저장 조건을 달리하여 A 녹차 음료 (빛을 인위적으로 차단하지 않음, 자연 상태의 대기 조건, 비타민 C 무첨가), B 녹차 음료 (빛을 알루미늄 호일로 감싸서 차단함, 질소를 불어넣어 자연 대기를 질소로 치환하였음, 비타민 C 30 mg/100 mL 첨가), C 녹차 음료 (빛을 알루미늄 호일로 감싸서 차단함, 질소를 불어넣어 자연 대기를 질소로 치환하였음, 비타민 C 무첨가)로 구분하여 $4^{\circ}C$에서 28일간 저장한 후, 유용 성분을 분석하였다. 총페놀 함량의 경우 저장 초기에 비하여 저장 28일 후 A 녹차 음료는 71.50%, B 녹차 음료는 73.88%, C 녹차 음료는 75.07%로 감소하였다. DPPH 라디컬 소거능은 저장 초기에 비하여 A 녹차 음료는 87.87%, B 녹차 음료는 92.93%, C 녹차 음료는 88.39%이었다. 녹차의 유용 카테킨인 epigallocatechin gallate (EGCG)는 28일간 저장 후에 A 녹차 음료는 130.61%, B 녹차 음료는 136.47%, C 녹차 음료는 4.34%이었다. 이상의 결과는 녹차의 저장 조건이 녹차 음료의 성분에 영향을 미치며, 빛, 질소 치환, 비타민 C가 매우 중요함을 시사하였다.
ZnSnO thin films were deposited by atomic layer deposition (ALD) process using diethyl zinc ($Zn(C_2H_5)_2$) and tetrakis (dimethylamino) tin ($Sn(C_2H_6N)_4$) as metal precursors and water vapor as a reactant. ALD process has several advantages over other deposition methods such as precise thickness control, good conformality, and good uniformity for large area. The composition of ZnSnO thin films was controlled by varying the ratio of ZnO and $SnO_2$ ALD cycles. The ALD ZnSnO film was an amorphous state. The band gap of ZnSnO thin films increased as the Sn content increased. The CIGS solar cell using ZnSnO buffer layer showed about 18% energy conversion efficiency. With such a high efficiency with the ALD ZnSnO buffer and no light soaking effect, AlD ZnSnO buffer mighty be a good candidate to replace Zn(S,O) buffer in CIGSsolar cells.
수확후 시일이 오래 경과되지 않은 금잔디종자의 발아촉진에 관하여 실험한 결과를 요약하면 다음과 같다. (1) 종자를 흡수시켜서 0~$2^{\circ}C$에 2~30일 냉장하는 것은 발아조장효과가 가장 현저하였다. (2) 종자를 농유산에 넣고 유리막대로 잘 교반하며 1분 30쯤 경과한 다음 수세 파종하는것도 발아조장의 효과가 컸다. 그러나 처리가 지나쳐서 종자가 흑별할 저오닥 되면 도리어 해롭다. (3) 잔디종자의 발아는 광선이 투입될 경우에 조장되며 복토는 발아를 감퇴시킨다. (4) 혼사종피마상 및 선부절제도 약간의 발아조장효과가 있는 것 같다. (5) 지벨레린, $NH_4$$NO_3$, NAA 등의 처리는 발아조장효과가 거의 인정되지 않았다.
There are some degradation factors for amorphous silicon solar cells. Light inducing is one of the factor that explained by Staebler-Wronski effect. Also, hotspot heating could be the reason that makes amorphous silicon solar cell degrade. Hotspot heating is occurred when a solar cell is shaded so this work is investigated into two types of shading condition and how these affect to solar cell differently. Reduced irradiance for whole cell and partially shaded as 0($W/m^2$) while the other part of cell is soaking as 1000($W/m^2$) of irradiance are two conditions that are experimented. The two types of shading show different characteristics of degradations. The result shows that partially shaded cell dropped maximum powerless and slower. Also sudden drop points have shown that should be concerned to decide the number of cells for a string. Otherwise, the current through a shaded cell might flow more than cell's capability. It makes cell and module damaged. This work would help to manufacture modules.
본 연구는 절화, 관상 및 의약소재로 이용가치가 높은 자생 숙은노루오줌의 종자 번식법을 개발하고자 수행되었다. 연구에 사용된 종자는 크기가 0.62×2.22 ㎜이며, 1,000립중은 40.5 ㎎으로 조사되었다. 종자의 기간별 수분흡수율을 조사한 결과, 2.57%였던 수분함량이 침지처리 24시간 만에 29.8%로 증가하였으며, 종피의 팽창이 관찰되었다. 숙은노루오줌의 종자는 저온요구성 광발아성으로 15℃, 명조건에서 최종발아율(40.8%)이 가장 높았으며, 발아상의 온도가 높아질수록 발아율은 낮아졌다. 암조건에서는 어느 온도조건에서도 전혀 발아되지 않았다. 종자에 생장조절제 및 무기염류를 처리한 결과, KNO3는 농도에 관계없이 무처리구에 비해 우수한 발아촉진 효과를 나타내었다. 특히 KNO3 20 mM 처리구에서 최종발아율(77.8%)과 발아세(96.1%)가 향상되었으며, 평균발아소요일수(11.3일)와 T50 (6.5일)도 효과적으로 단축시킬 수 있었다.
본(本) 연구(硏究)는 잉글리쉬 라벤다의 실생번식(實生繁殖)을 통한 대량증식(大量增殖) 체계확립(體系確立)을 위하여 종자발아(種子發芽)에 미치는 온도(溫度), 광(光), 및 생장조절물질(生長調節物質)의 효과(效果)를 조사(調査)하였는던 바 그 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. $4^{\circ}C$ 항온기(恒溫器)에 건조보관(乾燥保管)한 종자(種子)는 4% 정도(程度)의 극히 낮은 발아율(發芽率)을 보였다. 2. 광의 효과는 9주간 층적처리(層積處理)한 종자에서 명발아(明發芽)가 암발아(暗發芽)에 비해 발아율(發芽率)이 15%이상 증가(增加)하였고, 이러한 차이는 암상태(暗狀態)에서 $GA_3$ 1000mg/L 처리에 의하여 극복(克服)되어 $GA_3$가 부분적으로 광대체(光代替) 효과(效果)가 있는 것으로 나타났다. 3. $GA_3$ 용액(溶液)을 처리한 종자(種子)에서 발아적온(發芽適溫)은 $25^{\circ}C$인 것으로 나타났다. 4. 발아율(發芽率) 향상(向上)을 위한 방법(方法)으로, $GA_3$ 처리는 $500{\sim}2000mg/L$ 농도(濃度)에서 75% 정도(程度)의 높은 발아율(發芽率)을 보였고, $GA_3$와 BA의 조합처리(組合處理)는 $GA_3$ 1000mg/L+BA 10mg/L가 $GA_3$, 단독처리(單獨處理)에 비해 10%정도의 발아율(發芽率) 향상(向上)을 보였다. 저온층적처리(低溫層積處理)는 $4^{\circ}C$에서 $9{\sim}12$주간 모래 습윤저장(濕潤貯藏)한 종자가 발아율(發芽率)이 70% 이상으로 가장 높았고, 평균발아일교(平均發芽日敎)도 3日 이내(以內)로 단축(短縮)되었다. 또한 층적처리(層積處理) 종자에 대한 $GA_3$ 처리는 6주 이내(以內)의 층적처리(層積處理) 종자가 효과적(效果的)인 것으로 나타났다. 5. $GA_3$처리에 의한 종자(種子)의 출아율(出芽率)은 vermiculite : peatmoss (1 : 1, v/v) 혼합상토(混合床土)에서 무처리 0.7%에 비해 $GA_3$ 1000mg/L처리는 65%로 높게나타났다.
본 연구는 항우식 제품인 Casein phosphopeptide-amorphous calcium phosphate(CPP-ACP)를 포함하는 치아크림, 불소 바니쉬, 저농도 불소 양치액을 치아에 도포하는 것이 단시간 탄산음료에 의한 법랑질의 침식을 예방할 수 있는지 살펴보기 위해 계획되었다. 법랑질 시편에 다음과 같은 항우식 제품을 도포하였고, 인공타액에 24시간 보관한 후, 콜라에 1분 증류수에 1분씩 5회 번갈아 처리하였다. 1군: 대조군(무처치) 2군: CPP-ACP 치아크림군 3군: 불소 바니쉬군(1,000 ppm F) 4군: 저농도 불소 양치액군(227 ppm F) 5군: 불소 바니쉬 + CPP-ACP 치아크림군 6군: 저농도 불소 양치액 + CPP-ACP 치아크림군 미세경도와 침식깊이를 측정하였고, Quantitative light-induced fluorescence(QLF)를 이용하여 안정된 형광 격자에 대한 부피 형광 변화인 ${\Delta}Q$를 측정하여 무기질 감소량을 평가하였다. 6일 동안 실험을 반복하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 미세경도는 1군$\leq$2군$\leq$4군<6군<3군$\fallingdotseq$5군 순이었다. 2. 평균 침식깊이는 5군$\fallingdotseq$3군<6군<4군$\fallingdotseq$2군$\fallingdotseq$1군 순이었다. 3. ${\Delta}Q$는 1군$\fallingdotseq$2군$\leq$4군$\leq$6군$\leq$3군$\fallingdotseq$5군 순이었다. ${\Delta}Q$의 감소율은 1군과 2군, 4군과 6군, 3군과 5군이 각각 유사하였다. 4. ${\Delta}Q$는 미세경도와 강한 양의 상관관계를 나타냈고(r=0.96, p<0.05), 침식깊이와는 강한 음의 상관관계를 보였다(r=-0.96, p<0.05).
The promise of nano-crystalites (nc) as a technological material, for applications including display backplane, and solar cells, may ultimately depend on tailoring their behavior through doping and crystallinity. Impurities can strongly modify electronic and optical properties of bulk and nc semiconductors. Highly doped dopant also effect structural properties (both grain size, crystal fraction) of nc-Si thin film. As discussed in several literatures, P atoms or radicals have the tendency to reside on the surface of nc. The P-radical segregation on the nano-grain surfaces that called self-purification may reduce the possibility of new nucleation because of the five-coordination of P. In addition, the P doping levels of ${\sim}2{\times}10^{21}\;at/cm^3$ is the solubility limitation of P in Si; the solubility of nc thin film should be smaller. Therefore, the non-activated P tends to segregate on the grain boundaries and the surface of nc. These mechanisms could prevent new nucleation on the existing grain surface. Therefore, most researches shown that highly doped nc-thin film by using conventional PECVD deposition system tended to have low crystallinity, where the formation energy of nucleation should be higher than the nc surface in the intrinsic materials. If the deposition technology that can make highly doped and simultaneously highly crystallized nc at low temperature, it can lead processes of next generation flexible devices. Recently, we are developing a novel CVD technology with a neutral particle beam (NPB) source, named as neutral beam assisted CVD (NBaCVD), which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at low temperatures. During the formation of the nc-/pm-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. In the case of phosphorous doped Si thin films, the doping efficiency also increased as increasing the reflector bias (i.e. increasing NPB energy). At 330V of reflector bias, activation energy of the doped nc-Si thin film reduced as low as 0.001 eV. This means dopants are fully occupied as substitutional site, even though the Si thin film has nano-sized grain structure. And activated dopant concentration is recorded as high as up to 1020 #/$cm^3$ at very low process temperature (< $80^{\circ}C$) process without any post annealing. Theoretical solubility for the higher dopant concentration in Si thin film for order of 1020 #/$cm^3$ can be done only high temperature process or post annealing over $650^{\circ}C$. In general, as decreasing the grain size, the dopant binding energy increases as ratio of 1 of diameter of grain and the dopant hardly be activated. The highly doped nc-Si thin film by low-temperature NBaCVD process had smaller average grain size under 10 nm (measured by GIWAXS, GISAXS and TEM analysis), but achieved very higher activation of phosphorous dopant; NB energy sufficiently transports its energy to doping and crystallization even though without supplying additional thermal energy. TEM image shows that incubation layer does not formed between nc-Si film and SiO2 under later and highly crystallized nc-Si film is constructed with uniformly distributed nano-grains in polymorphous tissues. The nucleation should be start at the first layer on the SiO2 later, but it hardly growth to be cone-shaped micro-size grains. The nc-grain evenly embedded pm-Si thin film can be formatted by competition of the nucleation and the crystal growing, which depend on the NPB energies. In the evaluation of the light soaking degradation of photoconductivity, while conventional intrinsic and n-type doped a-Si thin films appeared typical degradation of photoconductivity, all of the nc-Si thin films processed by the NBaCVD show only a few % of degradation of it. From FTIR and RAMAN spectra, the energetic hydrogen NB atoms passivate nano-grain boundaries during the NBaCVD process because of the high diffusivity and chemical potential of hydrogen atoms.
본(本) 연구(硏究)는 oxyfluorfen 및 bensulfuron 두 화합물간(化合物間)의 상호작용(相互作用)에 의한 상승효과(相乘效果)를 해부학적(解剖學的)으로 구명(究明)하기 위하여 벼와 수종(數種)의 잡초종(雜草種)에 oxyfluorfen 및 bensulfuron을 조합(組合)하여 0, $10^{-6}$ 및 $10^{-4}$ M 농도(濃度)로 만들고 각각 72시간동안 침적처리(沈積處理)한 후 광학현미경하(光學顯微鏡下)에서 ${\times}$40, ${\times}$100 및 ${\times}$400 배율(倍率)로 검경(檢鏡) 촬영(撮影)하였다. 줄기의 표피조직(表皮組織)이나 분열조직(分裂組織)의 형태변화(形態變化)를 검경(檢鏡)한 결과, 두 공시약제에 대하여 벼는 비교적 내성(耐性)을 보여서 형태변화(形態變化)에 큰 차이를 보이지 않았으나 다소간의 세포배열(細胞配列)이나 세포형태변화(細胞形態變化)는 인정이 되었다. 그러나 피는 분열조직(分裂組織)에서의 뒤틀림과 비틀림 현상이 야기되었고 횡단면검경(橫斷面檢鏡)에서는 두 약제(藥劑)에 조합처리(組合處理)로 인한 세포막(細胞膜) 파괴(破壞)나 표피조직(表皮組織)의 파괴(破壞)가 극심(極甚)하였다. 물달개비는 두 약제 모두에 감수성(感受性)이어서 어떤 초종(草種)보다도 측생(側生) shoot의 유도(誘導)와 세포(細胞)의 완벽한 파괴(破壞)가 있었다. 올챙고랭이는 비교적(比較的) 내성(耐性)이 있어서 벼에 유사한 현상을 보였고 올미는 생장억제(生長抑制)와 세포(細胞)의 투명화(透明化), 무핵화(無核化) 및 부규칙배열(不規則配列)이 있었으나 비교적(比較的) 조합처리(組合處理)에 대한 반응(反應)은 내성(耐性)을 보였다. 너도방동사니는 뒤틀림과 무핵화(無核化) 및 막파괴(膜破壞)가 심하였다. 따라서 모든 잡초종(雜草種)에서 두 약제(藥劑)의 조합처리(組合處理)로 인한 상승효과(相乘效果)가 인정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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