Organic light-emitting diode (OLED) research field has received great attention from academic and industrial circles. Recently, The technical feature of OLEDs is more and more attractive in the lighting market, including area emission characteristics different from other existing light sources. Features are environmentally friendly and efficient use of energy, large area, ultra-light weight, and ultrathin shape, etc. Furthermore, OLED light became the mainstream of next-generation lighting to replace the light emitting diode (LED) fluorescent light. This article summarizes phosphorescent emitting materials that have been applied to white OLEDs. In particular, the chemical structures and device performances of the important yellow, orange, and red phosphorescent emitting materials is discussed. Systematic classification and understanding of the phosphorescent materials can aid the development of new light-emitting materials.
Kim, Hyeun Woo;Song, Tae Min;Lee, Hyeong Jun;Jeon, Yongmin;Kwon, Jeong Hyun
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.21
no.2
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pp.7-10
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2022
A functional polyethylene terephthalate substrate to increase light extraction efficiency of organic light-emitting diodes is studied. We formed nano-structured PET surfaces by controlling the power, gas, and exposure time of the linear ion-beam. The haze of the polyethylene terephthalate can be controlled from 0.2% to 76.0% by changing the peak-to-valley roughness of nano structure by adjusting the exposure cycle. The treated polyethylene terephthalate shows average haze of 76.0%, average total transmittance of 86.6%. The functional PET increases the current efficiency of organic light-emitting diodes by 47% compared to that of organic light-emitting diode on bare polyethylene terephthalate. In addition to polyethylene terephthalate with light extraction performance, by conducting additional research on the development of functional PET with anti-reflection and barrier performance, it will be possible to develop flexible substrates suitable for organic light-emitting diodes lighting and transparent flexible displays.
We prepared ambipolar organic field-effect transistors and observed blue emission when both hole and electron accumulation layers were in the channel. We found that the reduction of carrier traps and controlling devices' preparation and measurement conditions were crucial for ambipolar operation.
In this study, we present a detailed investigation of luminescence properties of a blue light-emitting diode using InGaN/GaN (indium component is 17.43%) multiple quantum wells as the active region grown on patterned sapphire substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). High-resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) measurements are employed to study the crystal quality, the threading dislocation density, surface morphology, residual strain existing in the active region and optical properties. We conclude that the crystalline quality and surface morphology can be greatly improved, the red-shift of peak wavelength is eliminated and the superior blue light LED can be obtained because the residual strain that existed in the active region can be relaxed when the LED is grown on patterned sapphire substrate (PSS). We discuss the mechanisms of growing on PSS to enhance the superior luminescence properties of blue light LED from the viewpoint of residual strain in the active region.
An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/ Znq2+DCJTB /Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/ Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.
Mohammed, BOUANATI Sidi;SARI, N. E. CHABANE;Selma, MOSTEFA KARA
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.16
no.3
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pp.124-129
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2015
Organic electronics are the domain in which the components and circuits are made of organic materials. This new electronics help to realize electronic and optoelectronic devices on flexible substrates. In recent years, organic materials have replaced conventional semiconductors in many electronic components such as, organic light-emitting diodes (OLEDs), organic field-effect transistors (OFETs) and organic photovoltaic (OPVs). It is well known that organic light emitting diodes (OLEDs) have many advantages in comparison with inorganic light-emitting diodes LEDs. These advantages include the low price of manufacturing, large area of electroluminescent display, uniform emission and lower the requirement for power. The aim of this paper is to model polymer LEDs and OLEDs made with small molecules for studying the electrical and optical characteristics. The purpose of this modeling process is, to obtain information about the running of OLEDs, as well as, the injection and charge transport mechanisms. The first simulation structure used in this paper is a mono layer device; typically consisting of the poly (2-methoxy-5(2'-ethyl) hexoxy-phenylenevinylene) (MEH-PPV) polymer sandwiched between an anode with a high work function, usually an indium tin oxide (ITO) substrate, and a cathode with a relatively low work function, such as Al. Electrons will then be injected from the cathode and recombine with electron holes injected from the anode, emitting light. In the second structure, we replaced MEH-PPV by tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3). This simulation uses, the Poole-Frenkel -like mobility model and the Langevin bimolecular recombination model as the transport and recombination mechanism. These models are enabled in ATLAS- SILVACO. To optimize OLED performance, we propose to change some parameters in this device, such as doping concentration, thickness and electrode materials.
Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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2008.05a
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pp.301-305
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2008
An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/Znq2+DCJTB/Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.19-19
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2009
Recently, Light Emitting Diode(LED) has many advantages in comparison with conventional light sources; low power consumption, long lifetime, and less environmental pollution. Therefore, the use of LED is multiplying and increasing rapidly. In general, however, spherical lens is used in LED-lighting which cause many problems induces by optical aberration of spherical lens; low illumination, a yellow belt, unpleasant feeling in human eye. As a potential solution of this problem, aspherical lens can be employed. This study reports the improvement of LED-lighting performance by adopting aspherical lens. From the commercial program, $LightTools^{TM}$, the optical problem were ensured. And then, to improve this problem, optimum aspheric form was designed using Code $V^{TM}$.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.12
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pp.1033-1038
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2009
Recently, Light Emitting Diode (LED) has many advantages in comparison with conventional light sources; low power consumption, long lifetime, and less environmental pollution. Therefore, the use of LED is increasing rapidly. In general, however, spherical lens is used in LED-lighting which cause many problems induces by optical aberration of spherical lens; low illumination, yellow belt, unpleasant feeling in human eye. As a solution of these problem, aspherical lens can be employed. This study reported the improvement of LED-lighting performance by adopting aspherical lens. From the commercial program, $LightTools^{TM}$, the optical problem were ensured. And then, to improve these problem, optimum aspheric form was designed using Code $V^{TM}$.
A blue light emitting diode with 8 periods InGaN/GaN multi-quantum well structure grown by metal-organic chemical vapor deposition was fabricated with the inclusion of the metal-interconnection process in order to integrate the chips for light lamp. The quantum well structure provides the blue light photoluminescence peaked at 479.2 nm at room temperature. As decreasing the temperature to 20 K, the main peak was shifted to 469.7 nm and a minor peak at 441.9 nm appeared indicating the quantum dot formation in quantum wells. The current-voltage measurement for the fabricated LED chips shows that the metal-interconnection provides good current path with ohmic resistance of 41 $\Omega$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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