• 제목/요약/키워드: Lead-borosilicate

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Lead Borosilicate Glass Frit의 소결시 기공의 형성 기구 (Formation of Pores during Sintering of Lead Borosilicate Glass Frits)

  • 황건호;김용석
    • 한국분말재료학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.38-42
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    • 2002
  • Effects of chemical compositions on the sintering behavior of the lead borosilicate glass developed for barrier ribs of plasma display panels were investigated in this study. Formation of pores during sintering of the glass was noted and their formation mechanism was investigated using XPS, TG/DTA, and XRD. The results indicated that pores are formed by the oxygen released from Pb-oxides during sintering.

전기영동법을 이용한 Glass Passivation막에 관한 연구 (A Study on the Glass passivation film by electrophoretic method)

  • 박인배;허창수
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권5호
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    • pp.473-480
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    • 1997
  • Surface passivation using glass powders results in good reliability for high voltage silicon power devices. In this paper Zinc borosilicate glass and Lead borosilicate glass were prepared for the purpose of passivating, and a deposition technique of glass films on the silicon surface by electrophoresis in which acetone is used as a suspension medium has been investigated. Their physical properties were compared using DTA, SEM, XRD, as a function of firing temperature, I can get the fine films of 22${\mu}{\textrm}{m}$ thickness with Lead borosilicate glass under 300 volts applied, 3 minutes and $700^{\circ}C$ firing temperature. Also I can get the fine films of 17${\mu}{\textrm}{m}$ thickness with Zinc borosilicate glass under same conditions. As a result of investigation of glass films from which glass layer was removed by placing it in HCl, it has been found that pre-firing and annealing play an important role to achieve uniform and fine glass deposition films. And also it was found that relative dielectric constant is independence of frequency.

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후막 구리도체용 유리에 관한 연구 (A study on the Glass Frit for Thick Film Copper Conductor)

  • 이준;이상원
    • 공업화학
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    • 제2권3호
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    • pp.289-299
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    • 1991
  • 후막 구리도체에 적합한 유리를 얻기 위하여 연붕규산계 및 무연 붕규산계 유리를 기반으로 하는 9종의 유리를 제조하고 후막 구리도체에의 적합성을 시험하였다. 그 결과 모든 유리들이 후막 구리도체의 쉬트 저항치, 납땜성 및 땜납 침식저항에는 양호하게 기여하는 것을 확인하였다. 그러나 후막과 알루미나 기판간의 노화후의 부착강도는 연붕규산계 유리로 만들어진 구리 도체막 만이 유용한 값을 가졌고, 그 외의 유리로 만들어진 구리 도체막의 노화후 부착강도는 사용하기에 부적합할 정도로 낮은 것이었다. 특히 $Cu_2O$ 가 첨가된 연붕규산계 유리가 후막 구리도체 제조에 가장 양호한 것으로 확인되었다.

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Lead-Borosilicate Glass계 LTCC용 유전체에 대한 고찰 (Investigation on Lead-Borosilicate Glass Based Dielectrics for LTCC)

  • 윤상옥;오창용;김관수;조태현;심상흥;박종국
    • 한국세라믹학회지
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    • 제43권6호
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    • pp.338-343
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    • 2006
  • The effects of lead-borosilicate glass frits on the sintering behavior and microwave dielectric properties of ceramic-glass composites were investigated as functions of glass composition of glass addition ($10{\sim}50vol%$), softening point (Ts) of the glass, and sintering temperature of the composites ($500{\sim}900^{\circ}C$ for 2 h). The addition of 50 vol% glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. Sintering characteristics of the composites were well described in terms of Ts. PbO addition in to the glass enhanced the reaction with $Al_{2}O_3$ to form liquid phase and $PbAl_{2}Si_{2}O_8$, which was responsible to lower Ts. Dielectric constant(${\epsilon}_r$), $Q{\times}f_0$ and temperature coefficient of resonant frequency (${\tau}_f$) of the composite with 50 vol% glass contents ($B_{2}O_{3}:PbO:SiO_{2}:CaO:Al_{2}O_3$ = 5:40:45:5:5) demonstrated 8.5, 6,000 GHz, $-70\;ppm/^{\circ}C$, respectively, which is applicable to substrate requiring a low dielectric constant. When the same glass composition was applied sinter $MgTiO_3\;and\;TiO_2,\;at\;900^{\circ}C$ (50 vol% glass in total), the properties were 23.8, 4,000 GHz, $-65ppm/^{\circ}C$ and 31.1, 2,500 GHz, $+80ppm/^{\circ}C$ respectively, which is applicable to filter requiring an intermidiate dielectric constant.

$TiO_2$ 의 첨가가 Lead-Zinc-Borosilicate 봉착 유리에 미치는 영향 (Effect of $TiO_2$ in the Lead-Zinc-Borosilicate Solder Glass)

  • 채수철;김철영
    • 한국세라믹학회지
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    • 제21권4호
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    • pp.349-354
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    • 1984
  • The purpose of present study is to find the structure crystallization mechanism and physical properties in $TiO_2$ containing lead zinc borosilicate glass system. The experiments such as differential thermal analysis infrared spectral analysis. X-ray diffraction analysis and thermal expansion measurements have been done. Differential thermal analysis of coarse and fine glass powder showed bulk nucleating mechanism for high $TiO_2$ containing glasses and surface nucleation mechanism for low $TiO_2$ containing glasses. The prepared glasses crystallized to crystalline mixture of PbO.2ZnO. $B_2O_3$ .4PbO.2ZnO.$5B_2O_3$and 2PbO.ZnO.$B_2O_3$ when heat-treated in the range of 480 and 51$0^{\circ}C$ and crystallized to PbTiO3 when heat-treated at $600^{\circ}C$. Obtained crystalline phase of $PbTiO_3$ in glass matrix strongly affects to thermal expansion coefficient and the value of crystallized glass varied 68.0 to $107.1{\times}10-7$/$^{\circ}C$ depending on the amount of $TiO_2$added. Infrared spectral analysis showed that [$BO_3$] triangle and [$BO_3$] tetrahedral units were coexisted in the glass with high content of PbO.

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화학증착법에 의한 $PbTiO_3$ 박막의 재료 (Fabrication of $PbTiO_3$ Thin Film by Chemical Vapor Deposition Technique)

  • 윤순길;김호기
    • 한국세라믹학회지
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    • 제23권6호
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    • pp.33-36
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    • 1986
  • The $PbTiO_3$is well known materials having remarkable ferroelectric piezoelectric and pyro-electric properties. Thin films of the lead titanite has been successfully fabricated by Chemical Vapor Deposition on the borosilicate glass and titanium substrate. The $PbTiO_3$ thin film deposited on the borosilicate glass using the $PbCl_2$, $TiCl_4$ dry oxygen and wet oxygen at different temperatures (50$0^{\circ}C$-$700^{\circ}C$) grows along the (001) preferred orientation. On the other hand the $PbTiO_3$ thin film deposited on the titanium substrate using the PbO grows along the (101) preferred orientation. Growth orientation of deposited $PbTiO_3$ depends on the reaction species irrespective of substrate materials. Maximum dielectic constant and loss tangent of the $PbTiO_3$ thin film deposited on the titanium substrate are about 90 and 0.02 respectively, . Deposition rates of $PbTiO_3$ deposited on the borosilicate glass and titanium substrate are 10-15 ${\mu}{\textrm}{m}$/hr. Titanium dioxide interlayer formed be-tween $PbTiO_3$ film and titanium substrate material, It improved the adhesion of the film.

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플라즈마 디스플레이용 투명 유전체 페이스트의 개발 (Development of transparent dielectric paste for PDP)

  • 김형종;정용선;주경;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.50-54
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    • 1999
  • 플라즈마 디스플레이는 후막기술을 이용하여 화면의 크기를 늘리는 것이 쉽기 때문에 고선명 TV의 가장 유력한 후보이다. 본 연구에서는 플라즈마 디스플레이용 유전체의 조건을 만족하는 lead borosilicate 유리를 이용한 투명 유전체 재료를 개발하였다. 또한 이 유리를 이용하여 페이스트를 제조하였다. 페이스트는 스크린 프린팅에 적합한 요변성을 나타내었고, 입자 크기가 작아질수록 더욱 강한 요변성을 나타내었다. 열처리 후 후막의 파단면을 전자현미경으로 관찰하였다. 후막의 기공은 서로 다른 크기의 평균입경을 갖는 powder를 사용함으로써 제거 될 수 있었다. 소성된 후막은 좋은 융착 특성을 나타내었다.

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Borosilicate glass에 따른 glass/ceramics 유전체의 소결 및 유전 특성 (Sintering and dielectric properties of glass/ceramics dielectrics due to the borosilicate glass)

  • 윤상옥;김관수;조태현;김경호;박종국
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.363-364
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    • 2005
  • LTCC(low temperature co-fired ceramics)용 glass/ceramic 복합체를 제조하기 위해 3종류 의 glass를 선정하고 filler로 $Al_2O_3$$TiO_2$를 사용하여 glass frit에 따른 소결 및 유전 특성에 대하여 조사하였다. Glass frit은 lead-borosilicate(PBS), zinc-borosilicate(ZBS), bismuth-borosilicate(BBS) glass 조성을 사용하였고 1100~$1400^{\circ}C$에서 melting시킨 후 quenching하여 frit화하였다. $Al_2O_3$$TiO_2$ filler에 10~50 vol%로 glass frit을 각각 혼합한 후 600~$950^{\circ}C$에서 2시간 동안 소결한 결과 50 vol% glass frit 일 때 $900^{\circ}C$ 이하에서 소성이 가능하였다. 유전특성은 $900^{\circ}C$에서 $Al_2O_3$-50vol%PBS($\varepsilon_{r}$=8.8, $Q{\times}f_o$=4,900, $\tau_f$=-24), $Al_2O_3$-50vol% ZBS($\varepsilon_{r}$=5.7, $Q{\times}f_o$=17,800, $\tau_f$=-21), $Al_2O_3$-50vol%BBS($\varepsilon_{r}$=11.1, $Q{\times}f_o$= 2,080, $\tau_f$=-48), $TiO_2$-50vol%PBS($\varepsilon_{r}$=18.6, $Q{\times}f_o$=3,800, $\tau_f$=+135), $TiO_2$-50vol%ZBS($\varepsilon_{r}$=36.4, $Q{\times}f_o$= 7,500, $\tau_f$=+159), $TiO_2$-50vol%BBS($\varepsilon_{r}$=56.4, $Q{\times}f_o$=520, $\tau_f$=+119)을 나타내었다. 따라서 LTCC용 기판재료 및 마이크로파 유전체로 응용이 가능한 것으로 확인되었다.

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Metal Ion Dissolution in Nitric Acid with Lead-Borosilicate Glass for Barrier Ribs in PDP

  • Kim, Jae-Myung;Lee, Chong-Mu;Kim, Hyung-Sun
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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    • pp.1252-1254
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    • 2005
  • Recently, PDP barrier ribs require the formation of complex structure so that they are usually formed by etching method. For producing the fine ribs structure, during the etching process the metal ions of matrix (glass) of barrier materials should be understood on the etching mechanism with etching condition. We analyzed the quantity of Pb, Si, and B ions from the etch solution as a function of etching time.

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$Tl_2O-B_2O_3-SiO_2$ 系 유리의 物理化學的 性質 및 그의 分相 (Physico-Chemical Properties of $Tl_2O-B_2O_3-SiO_2$ Glasses and Their Phase Separations)

  • 김기형
    • 대한화학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.65-80
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    • 1968
  • 9種의 選擇된 탈리움硼硅酸유리와 21種의 同類組成을 變化시킨 유리에 對하여 物理化學的 性質을 檢討하였다. 이들 組成에 依한 性質의 變化曲線은 여러 點에서 酸化리티움, 소다 및 酸化鉛들을 包含하는 다른 硼硅酸유리와 類似하였다. 탈리움 硼硅酸유리의 組成에 따른 成質의 變化曲線에 極少點이 나타났는데, 이는 $Na_2O-B_2O_3-SiO_2$유리에서 關察된 바와 같이 硼素結合의 變化에 基因되는 것 같다. 탈리움 이온이 硼硅酸유리에 미치는 主 影響을 綜合해 보면 다음과 같다. 1) 탈리움 이온을 添加함으로써 密度, 屈折率, 물에 對한 溶解度, 熱線膨脹係數, 誘電恒數 等이 增加되었다. 2) 탈리움 濃度을 增加시킴으로써 유리의 軟化點이 降下되었고, 紫外線 照射에 依하여 螢光이 생겼으며, 赤外線 $15{\mu}$까지의 吸收端이 不明確해 졌다. $Tl_2O-B_2O_3-SiO_2$ 系에서 廣範한 液體不混合性이 電子顯微鏡에 依해 밝혀졌다. 不混合性은 $B_2O_3-SiO_2$ 二成分系에 對하여 約 $Tl_2O$ 55wt.%의 組成範圍內에서 나타났다. 不混合性유리는 多硅酸과 多硅素相으로 分離 構成되어 있음이 酸處理에 依하여 밝혀졌다.

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