• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.155-158
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• 1988

The fabrication of devices using plans technology could lend to n serious degradation in the breakdown voltage as a result of high electric field at the edges. An elegant approach to reducing the electric field at the edge is by using field limiting ring. The presence of surface charge has n strong influrence on the depletion layer spreading at the surface region because this charge complements the charge due to the ionized acceptors inside the depletion layer. Surface charge of either polarity can lower the breakdown voltage because it affects the distribution of electric field st the edges. In this paper we discuss the influrences of fixed oxide charge on the breakdown voltage of the p+/n junction with field limiting ring(or without field limiting ring).

• 폴리머
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• 제25권5호
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• pp.719-727
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• 2001

유기광도전체에 있어서의 액정은 종래의 분자 배향성을 가지지 않는 비정성 고체계와는 달리 분자 배향성을 가지기 때문에 분자 사이의 질서도가 높아지게 되고, charge-carrier의 hopping을 방해하는 hopping site의 공간적인 틈이 작아져 고 이동도의 특성을 가질수 있다. 본 연구에서는 유기광도전체의 전하 수송층에 액정5CT를 혼합하여, charge-carrier수송특성에 있어서의 액정5CT의 영향을 관찰하였다. 액정5CT를 함유한 유기광도전체는 액정의 혼합비가 증가함에 따가 초기전위는 증가하였으며, 암감쇄는 감소하는 경향을 나타내었다. 감도는 5CT를 TNF와 OXD 각자에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우에 가장 우수하게 나타났다. 형광거동을 관찰한 결과, 이는 전하수송재료와 액정5CT의 전하 수송착체에 의한 것으로, 액정5CT를 TNF와 OXD 각각에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우가 다른 시료에 비해 전하 수송착체가 가장 잘 형성되어, 성공을 잘 수송하기 때문으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.127-128
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• 2008

The electrical characteristics of VARIOT (variable oxide thickness) with various $HfO_2$ thicknesses on thin $SiO_2$ or $Al_2O_3$ layer were investigated. Especially, the charge trapping characteristics of $HfO_2$ layer were intensively studied. The thin $HfO_2$ layer has small charge trapping characteristics while the thick $HfO_2$ layer has large memory window. Therefore, the $HfO_2$ layer is superior material and can be applied to charge storage as well as tunneling barrier of the non-volatile memory applications.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제1권2호
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• pp.251-256
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• 2006

To design the effective usage of electric double layer capacitors (EDLCs) used for a storage device of dye sensitized solar cell (DSC) energy, we first investigated the accumulation state of electrical charges and the charge behavior in the EDLCs. Based on the results, the voltage characteristics of EDLCs connected to DSC energy were evaluated. The results showed that the charge accumulation region concentrated on the central part of the carbonaceous electrode in EDLCs and the required times for charging and discharging were almost the same.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2005년도 제17회 워크샵 및 추계학술대회
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• pp.673-676
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• 2005

To design the effective usage of electric double layer capacitors (EDLCs) used for a storage device of dye sensitized solar cell(DSC) energy, we first investigated the accumulation state of electrical charges and the charge behavior in the EDLCs. Based on the results. the voltage characteristics of EDLCs connected to DSC energy were evaluated. The results showed that the charge accumulation region concentrated on central part of the carbonaceous electrode in EDLCs and the required times for charging and discharging were almost the same.

• Electronic Materials Letters
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• 제14권6호
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• pp.657-668
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• 2018

Organic-inorganic hybrid lead halide perovskites have been extensively investigated for various optoelectronic applications. Particularly, owing to their ability to form highly crystalline and homogeneous films utilizing low-temperature solution processes (< $150^{\circ}C$), perovskites have become promising photoactive materials for realizing high-performance flexible solar cells. However, the current use of mesoporous $TiO_2$ scaff olds, which require high-temperature sintering processes (> $400^{\circ}C$), has limited the fabrication of perovskite solar cells on flexible substrates. Therefore, the development of a low-temperature processable charge-transporting layer has emerged as an urgent task for achieving flexible perovskite solar cells. This review summarizes the recent progress in low-temperature processable electron- and hole-transporting layer materials, which contribute to improved device performance in flexible perovskite solar cells.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권3호
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• pp.130-134
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• 2015

This research proposes the use of a composition modulated (ZrO₂)_x(Al₂O₃)_1-x film as a charge trapping layer for charge trap flash memory; this is possible when the Zr (Al) atomic percent is controlled to form a variable bandgap as identified by the valence band offsets and electron energy loss spectrum measurements. Compared to memory devices with uniform compositional (ZrO₂)_0.1(Al₂O₃)_0.9 or a (ZrO₂)_0.92(Al₂O₃)_0.08 trapping layer, the memory device using the composition modulated (ZrO₂)_x(Al₂O₃)_1-x as the charge trapping layer exhibits a larger memory window (6.0 V) at the gate sweeping voltage of ±8 V, improved data retention, and significantly faster program/erase speed. Improvements of the memory characteristics are attributed to the special energy band alignments resulting from non-uniform distribution of elemental composition. These results indicate that the composition modulated (ZrO₂)_x(Al₂O₃)_1-x film is a promising candidate for future nonvolatile memory device applications.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.571-573
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• 2007

It is known that the main source of the area image sticking is the ion charge adsorption on the alignment layer. We found out that the adsorption of the ion charge of the liquid crystal in the cell was physisorption, which takes place between all molecules on any surface providing the adsorption force is small.

• 세라미스트
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• 제23권2호
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• pp.145-165
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• 2020

Halide perovskites are promising photovoltaic materials due to their excellent optoelectronic properties like high absorption coefficient, low exciton binding energy and long diffusion length, and single-junction solar cells consisting of them have shown a high certified efficiency of 25.2%. Despite of high efficiency, perovskite photovoltaics show poor stability under actual operational condition, which is the mostly critical obstacle for commercialization. Given that the stability of the perovskite devices is significantly affected by charge-transporting layers, the use of inorganic charge-transporting layers with better intrinsic stability than the organic counterparts must be beneficial to the enhanced device reliability. In this review article, we summarized a number of studies on the inorganic charge-transporting layers of the perovskite solar cells, especially focusing on their effects on the enhanced device reliability.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.261-261
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• 2016

플래시 메모리 (flash memory)는 DRAM(dynamic racdom access memory)이나 SRAM(static random access memory)에 비해 소자의 구조가 매우 단순하기 때문에 집적도가 높아서 기기의 소형화가 가능하다는 점과 제조비용이 낮다는 장점을 가지고 있다. 또한, 전원을 차단하면 정보가 사라지는 DRAM이나 SRAM과 달리 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 지워지지 않는다는 특징을 가지고 있어서 ROM(read only memory)과 정보의 입출력이 자유로운 RAM의 장점을 동시에 가지기 때문에 활용도가 크다. 또한, 속도가 빠르고 소비전력이 작아서 USB 드라이브, 디지털 TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 휴대전화, 개인용 휴대단말기, 게임기 및 MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있다. 특히, 낸드(NAND)형의 플래시 메모리는 고집적이 가능하며 하드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이며 일정량의 정보를 저장해두고 작업해야 하는 휴대형 기기에도 적합하며 가격도 노어(NOR)형에 비해 저렴하다는 장점을 가진다. 최근에는 smart watch, wearable device 등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 투명하고 유연한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있으며 유리나 플라스틱과 같은 기판 위에서 투명한 플래시 메모리를 형성하는 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 전하트랩형 (charge trap type) 플래시 메모리는 플로팅 게이트형 플래시 메모리와는 다르게 정보를 절연막 층에 저장하므로 인접 셀간의 간섭이나 소자의 크기를 줄일 수 있기 때문에 투명하고 유연한 메모리 소자에 적용이 가능한 차세대 플래시 메모리로 기대되고 있다. 전하트랩형 플래시메모리는 정보를 저장하기 위하여 tunneling layer, trap layer, blocking layer의 3층으로 이루어진 게이트 절연막을 가진다. 전하트랩 플래시 메모리는 게이트 전압에 따라서 채널의 전자가 tunnel layer를 통해 trap layer에 주입되어 정보를 기억하게 되는데, trap layer에 주입된 전자가 다시 채널로 빠져나가는 charge loss 현상이 큰 문제점으로 지적된다. 따라서 tunnel layer의 막질향상을 위한 다양한 열처리 방법들이 제시되고 있으며, 기존의 CTA (conventional thermal annealing) 방식은 상대적으로 높은 온도와 긴 열처리 시간을 가지고, RTA (rapid thermal annealing) 방식은 매우 높은 열처리 온도를 필요로 하기 때문에 플라스틱, 유리와 같은 다양한 기판에 적용이 어렵다. 따라서 본 연구에서는 기존의 열처리 방식보다 에너지 전달 효율이 높고, 저온공정 및 열처리 시간을 단축시킬 수 있는 마이크로웨이브 열처리(microwave irradiation, MWI)를 도입하였다. Tunneling layer, trap layer, blocking layer를 가지는 MOS capacitor 구조의 전하트랩형 플래시 메모리를 제작하여 CTA, RTA, MWI 처리를 실시한 다음, 전기적 특성을 평가하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 실시한 메모리 소자는 CTA 처리한 소자와 거의 동등한 정도의 우수한 전기적인 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서, MWI를 이용하면 tunnel layer의 막질을 향상시킬 뿐만 아니라, thermal budget을 크게 줄일 수 있어 차세대 투명하고 유연한 메모리 소자 제작에 큰 기여를 할 것으로 예상한다.