CuO/ZnO, CuO/SiO,sub>2, and CuO/ZrO2 catalysts were prepared for investigating the support effects on methanol dehydrogenation. It was found that the conversion of methanol was proportional to the copper surface area on Cu/ZnO cat alysts and was independent on that on Cu/ZrO2 and Cu/SiO2. The highest copper surface area was obtained with the Cu/ZrO2 (9/1). The unusual deactivation of the Cu/ZnO, which showed the highest selectivity among the catalysts tested, was observed. Pulse reaction with methanol indicated that the lattice oxygen in ZnO could be removed by forming CO2 in the catalytic reaction, supporting that the ZnO reduction was responsible for the severe deactivation of the Cu/ZnO.
Gd1Ba2Cu3O9-x has been found to be a high Tc superconductor with a transitiion onset at 91K and zero resistance achieved at 87K. The structure as determined from x-ray diffraction is orthorhombic, with lattice constants b=3.842$\pm$0.002$\AA$, b=3.895$\pm$0.003$\AA$, and c=11.684$\pm$0.007$\AA$. The structural similarities between the Gd1Ba2Cu3O9-x compound and the well-studied single phase perovskite, Y1Ba2Cu3O9-x are discussed. A correlation between the observed x-ray spectrum and the effect of oxygen deficiencies in several of the unit cell planes is also discussed.
The temperature dependence of dc conductivity and magnetic properties of cation deficient {{{{ { {(LaMn) }_{1-λ }O }_{3 } }} systems has been investigated,. Above 160K the magnetic susceptibility of all samples followed the Curie-Weiss law. The Curie temperature decreased as the cation deficiency increased. This is due to a strong Jahn-Teller effect originated from electrons of {{{{ { Mn}^{3+ } }} In the case of samples annealed in air and oxygen at-mosphere the charge carriers responsible for conduction in the ferromagnetic regime below the Curie tem-perature are believed to have both magnetic and lattice characteristics. However the conduction carriers in the paramagnetic regime above the Curie temperature are though to be formed by hopping process of small polarons which were generated by assistance of the Jahn-Teller effect.
Residual stresses in epitaxial films were measured by X-ray diffraction method. Lattice strains of the (hkl) planes measured along particular Ψ-angles were converted to the in-plane stress according to the equation of stress-strain tensor conversion. Residual tensile stresses were observed in epitaxial PbTiO$_3$ films deposited on (100) SrTiO$_3$ substrate. Tensile stresses approximately 0.9 GPa were measured in Pb-rich films, while it increased to approximately 2.0 GPa with the decreasing of Pb content in the case of Pb-poor films, which ascribed to the formation of lead and oxygen vacancies (expressed as x in Pb$_1-x$TiO$_3-x$).
We studied the dependence of electrical conduction mechanism of Cupric Oxide on temperature and measured the specific resistivity of sintered specimen from $600^{\circ}C$ to 90$0^{\circ}C$ . We considered the relations between electrical conducti-vityand temperature with reheating the sintered specimen. X-Ray diffraction patterns showed that lattice parameters of cupric oxide increased above 20$0^{\circ}C$. Cupric oxide had nostoichiometric compositions$(CuO_{1+x})$ owing to the excess oxygen and showed hole conduction with energy gap of 0.15eV below $650^{\circ}C$$\pm$1$0^{\circ}C$ Above $650^{\circ}C$$\pm$1$0^{\circ}C$ cupic oxide had the stoichiometric composition and showed electron-hole conduction owing to the intrinsic ionization with energy gap of 1.04V.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.281-283
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2001
Bi$_2$Sr$_2$CuO$\_$x/(Bi-2201) thin films were fabricated layer-by-layer deposition using an ion beam sputtering method. 10 wt% and 90 wt% ozone mixed with oxygen were used ultraviolet light irradiation to assist oxidation. At early stages of the atomic layer by layer deposition, two dimensional epitaxial growth which covers the substrate surface would be suppressed by the stress and strain caused by the lattice misfit, then three dimensional growth takes place. Since Cu element is the most difficult to oxidize, only Sr and Bi react with each other predominantly, and forms a buffer layer on the substrate in an amorphous-like structure, which is changed to SrBi$_2$O$_4$ by in-situ anneal.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.11
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pp.995-999
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2008
ZnO nanowires with tetrapod shape were formed on the surface of the sample by direct melt oxidation of Al-Zn alloy at $1000^{\circ}C$ in air. X-ray diffraction (XRD) pattern revealed that the ZnO nanowires had wurtzite structure of hexagonal phase. Any other element except Zn and O was not detected in energy dispersive X-ray spectrum. The c- and a-axis lattice constants estimated from the XRD pattern were 0.520 and 0.325 nm, respectively. These are in well accordance with those of bulk ZnO single crystal, indicating high quality crystallinity. The green light emission at a wavelength of 510 nm was observed from the nanowires at room temperature, which was ascribed to high density of oxygen vacancies in nanowires.
At present studies, we are going to suggest the new type of Perovskite derived catalysts which modify the defects of transition metals impregnated. Perovskite type catalyst is a typical mixed metal oxides, and there are "defect"s (from like that oxygen, cation, crystallic structure) were made by difference from composition, preparing method and so forth. And because this, its electro-magnetic character could be much changed. By using this phenomena, it could utilize the modification of adsorption/desorption characters as well as the catalytic activities in NOx reduction. Because perovskite type catalyst can exchange the metal of the each lattice site freely and it is possible to represent the peculiar.
$Bi_2Sr_2CuO_x$ thin films were fabricated by atomic layer-by-layer deposition using an ion beam sputtering method, 10 wt% and 90 wt% ozone mixed with oxygen were used with ultraviolet light irradiation to assist oxidation. At early stages of the atomic layer by layer deposition, two dimensional epitaxial growth which covers the substrate surface would be suppressed by the stress and strain caused by the lattice misfit, then three dimensional growth takes place. Since Cu element is the most difficult to oxidize, only Sr and Bi react with each other predominantly, and forms a buffer layer on the substrate in an amorphous-like structure, which is changed to $SrBi_2O_4$ by in-situ anneal.
In oxides characterized by the $K_2NiF_4-type$ structure, the low-spin${\to}$high-spin transition of trivalent cobalt ion was studied in function of the nature of competing bonds in the perovskite-plane and along the c-axis. Using Slichter and Drickamer's model the calculated values of parameters characterizing such a transition are correlated with the covalency of competing bonds along the c-axis of the $K_2NiF_4$-structure and the local structural distortion of the $(CoO_6)$ octahedron.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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