• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.62-63
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• 2006

In this paper, the characteristics of polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) fabricated on polymer substrates are investigated. The a-Si films was laser annealed by using a XeCl excimer laser and a four-mask-processed poly-Si TFT was fabricated with fully self-aligned top gate structure. The fabricated nMOS TFT showed field-effect mobility of $30cm2/V{\cdot}s$, on/off ratio of 105 and threshold voltage of 5 V.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제17권6호
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• pp.486-490
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• 2013

A portable infrared laser transmitter delivering a highly uniform detectable beam was demonstrated. It incorporates a flexible beam shaper, comprising a perforated diffuser sheet in conjunction with a pinhole. The beam shaper plays the prominent role of flexibly tailoring the incoming light via both scattering and diffraction, in order to equalize the effective beam width over a long distance. The intensity profile of a generated beam was practically observed, demonstrating that a substantially uniform beam of 70-cm width was achieved for a given threshold detection level, with an average deviation of 6% over a range of 600 m.

• Current Optics and Photonics
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• 제6권2호
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• pp.191-195
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• 2022

We investigate the lateral far-field pattern characteristics, including divergence angle change and far-field pattern analysis as output power increases, of narrow-emitter-width 850 nm GaAs/AlGaAs laser diodes (LDs). Each LD has a cavity of 1200 and 1500 ㎛ and narrow emitter width of 2.4 ㎛ for the top and 4.6 ㎛ for the bottom. The threshold currents are 35 and 40 mA, and L-I kinks appear at power levels of 326 and 403 mW, respectively. The divergence angle tends to increase due to the occurrence of first-order lateral mode and the thermal lensing effect. But with the L-I kink, the divergence angle decreases and the far-field pattern becomes asymmetric. This is due to coherent superposition between the fundamental and the first-order lateral mode. We provide detailed explanations for these observations based on high-power laser diode simulation results.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제30권4호
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• pp.465-473
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• 2005

냉온자극 또는 잇솔질에 불편감을 호소하는 치과 외래 환자를 72명을 대상으로 레이저 조사를 시행한 실험군(45명)과 모의 레이저 조사를 시행한 대조군(27명)으로 나누어 지각 과민 치아의 치경부에 냉자극 및 기계적 자극을 가하여 대상자가 느끼는 불편감을 NPS로 평가하였다. 치아의 통증역치 평가를 위하여 전기치수검사기(EPT)를 사용하였다. 각 치아에 대한 레이저 조사에는 pulsed Nd:YAG 레이저를 사용하였고 조사조건은 1.5W, 20Hz, 75mJ/pulse으로 4분간 비접촉식으로 시행하였다. 대상자의 반응을 레이저 조사 전과 직후, 1주 이내, 2주 이내 각각 평가하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 지각 과민 치아에 대한 Nd:YAG 레이저 조사는 지각 과민을 완화시켜 주었으며 대조군에 비해 그 효과가 현저하였다. 2. 심한 지각 과민을 호소하는 치아에 대한 위약 효과는 존재하였으나 중등도의 지각 과민을 호소하는 치아에 대한 위약효과는 배제할 수 있었다. 3. 지각 과민 치아에 대한 Nd:YAG 레이저 조사는 전기치수검사에 의한 통증역치에 영향을 주지 않았다. 4. 지각 과민 치아에 대한 Nd:YAG 레이저 조사의 효과는 최소 2주는 지속되었다. 따라서 지각 과민 치아에 대한 치료법의 하나로 Nd:YAG 레이저 조사가 임상적으로 유용할 것으로 사료된다.

• 한국융합학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.79-87
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• 2019

본 연구는 건강한 성인남녀를 대상으로 경혈지점에 은침전기자극과 침형 경피신경전기자극을 적용하여 혈류량과 통증 역치에 미치는 효과를 알아보고자 하였다. 성인남녀 32명을 대상으로 SSP group (n=18), A-TENS group (n=14)으로 무작위 배정하여 적용하였다. 혈류량을 측정하기 위해 레이저 도플러 영상을 사용하였고, 통증 역치를 측정하기 위해 압통측정기를 사용하였다. 집단 내 혈류량의 변화는 두 그룹 사이에서 유의한 차이가 있었고(p<0.05), 압통 역치의 변화는 SSP group에서만 유의한 차이가 있었다(p<0.05). 중재 후 집단 간 혈류량과 압통 역치의 변화에서는 SSP group과 TENS group 사이에서 유의한 차이가 있었다(p<0.05). 결과적으로 경혈지점에 SSP와 A-TENS을 적용한 결과 혈류량과 압통 역치의 변화가 있었으며, 특히 SSP을 경혈지점에 적용할 때 더욱 큰 변화를 볼 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 경혈과 전기자극치료의 융합이 다양한 환자를 위한 방법의 하나로 유용하게 적용할 수 있으며, 지속적인 융합중재개발이 필요하다.

• 한국정밀공학회지
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• 제19권7호
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• pp.106-115
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• 2002

Growth characteristics of micro carbon structures fabricated by laser-assisted chemical vapor deposition are studied. Argon ion laser and ethylene were used as the energy source and reaction gas, respectively, to grow micro carbon rod through pyrolytic decomposition of the reaction gas. Experiments were performed at various conditions to investigate the influence of process parameters on growth characteristics such as the diameter or growth rate of the micro carbon rod with respect to reaction gas pressure and incident laser power. Reaction gas pressure in experiments ranges from 200 to 600Torr and the incident laser power from 0.3 to 3.8W. For these conditions, the diameter of the rod increases linearly with respect to the laser power but is almost independent of the reaction gas pressure. Growth rate of the rod changes little with gas pressure when the laser power remains below IW. For a constant reaction gas pressure, the growth rate increase with Increasing laser power, but the rate of increase decreases gradually, implying that the chemical vapor deposition condition changes from a kinetically-limited regime to a mass-transport-limited regime. When the carbon rod was grown at near threshold laser power, a very smooth surface is obtained on the rod. By continuously moving the focusing lens in the direction of growth, a micro carbon rod with a diameter of 287${\mu}{\textrm}{m}$ and aspect ratio of 100 was fabricated..

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제33권1호
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• pp.97-103
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• 2008

본 연구는 부산대학병원 구강내과로 내원하여 삼차신경통으로 진단되어 사전에 실험에 대한 동의를 한 환자 20명(여자 13명, 남자 7명, $42{\sim}77$세, 평균$58.20{\pm}16.99$세)을 연구대상으로 저출력레이저 조사전,후 전류인지역치검사를 하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 레이저 조사전,후 이환측과 비이환측의 CPT값의 차이는 없었다. 2. 레이저 조사후 이환측과 비이환측의 CPT값 변화에 유의성은 없었다. 3. 하지만 레이저 조사후 이환측과 비이환측의 $A{\beta}$섬유의 경우 CPT값이 증가하는 경향을 보였다.

• 한국광학회지
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• 제8권5호
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• pp.395-402
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• 1997

$\1.55mu\textrm{m}$ InGaAsP MQW FP 반도체 레이저 단면의 무반사 코팅 두께를 앞면에 무반사 코팅하는 동안 뒷면의 출력을 실시간으로 측정하여 결정하였다. 굴절률 1.85인 $SiO_x$ 박막의 최적 두께는 188 nm이고, 무반사 코팅 전, 후의 문턱전류비로 계산한 단면의 반사율은 약 2 $\times$ $10^{-4}$이었다. 무반사 코팅 후 주입전류 60 mA일 때 출력이 87%, 기울기 효율이 3.4배, 문턱전류가 2.64배 증가하였다. 또한 실시간으로 $Si/SiO_2$ 박막의 고반사 코팅을 뒷면에 한 후 코팅 전보다 출력이 약 160% 향상되었고, 기울기 효율이 3.8배 증가하였으며, 문턱전류는 1.07배로 코팅 전과 거의 비슷하여, 무반사 및 고반사 코팅 후 반도체 레이저의 출력특성이 크게 향상되었다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제15권2호
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• pp.201-207
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• 2012

Pulsed lasers at the 613 nm and 1064 nm wavelengths on nanoseconds have been utilized to characterize the damage on Si photodiode exposed to intense illumination. Morphological damages and structural changes at sites on the photodiode irradiated during microseconds of laser pulses were analyzed by FE-SEM images and XRD patterns, respectively. The removal of oxide coating, ripple, melting marks, ridges, and crater on photodiodes were definitely observed in order of increasing the pulse intensities generated above the damage threshold. Then, the degradation in photosensitivity of the Si photodiode irradiated by high power density pulses was measured as a function of laser irradiation time at the various wavelengths. The free charge carrier and thermal diffusion mechanisms could have been invoked to characterize the damage. The relative photosensitivity data calculated using the thermal diffusion model proposed in this paper have been compared with the experimental data irradiated above the damage threshold.

• 한국소프트웨어감정평가학회 논문지
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• 제15권2호
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• pp.101-109
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• 2019

광대역 광통신 시스템에 사용되는 레이저는 우수한 주파수 선택성과 모드 안정성을 가져야한다. DFB(Distributed Feedback) 레이저는 고주파로 전류 변조를 하더라도 발진 주파수의 변화가 적다. 본 연구에서는 무반사 코팅을 하지 않은, 두 거울 면을 가진 1.55um의 파장을 갖는 DFB 레이저에서 이득격자와 굴절률 격자가 동시에 존재할 때, 시뮬레이션 소프트웨어를 개발하여 종 방향으로의 발진 모드의 발진 이득과 발진 주파수를 해석하였다. 왼쪽 거울 면에서의 격자 위상은 π/2로 고정하고, 오른쪽 거울 면에서의 격자 위상 값은 변화시켰다. 오른쪽 거울 면에서의 격자 위상 값이 π와 0일 때, κL이 2~6의 범위에 있어야 주파수 안정도가 향상된다. 거울 면에서의 격자 위상에 관계없이 발진 모드의 문턱 전류를 낮추기 위해서는, κL이 8보다 커야한다.