Effect of annealing on the electrical properties of amorphous oxide semiconductor $InGaZnO_4$ films
(열처리에 의한 비정질 산화물 반도체 $InGaZnO_4$ 박막의 전기적 특성 변화 연구)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 2009.07a
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- pp.1277_1278
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- 2009