Due to the large window area, the lighting environment of the educational space between the window and deep part of the room is not uniformly illuminated, and the phenomenon of glare is severe. For this reason, the daylight performance of DSC-BIPV windows was analyzed in order to improve the natural lighting in the educational sector. The method derives the correlation with natural lighting by measurement and simulation. Dynamic simulation confirmed that the average illuminance of the target space was higher at later than the early afternoon. The performance of natural lighting at 40% and 30% transmission of DSC has the effect of significantly reducing the amount of excess light in existing windows. Nevertheless, the actual average illuminance in all seasons corresponds to the standard illuminance of the educational facility, 300 Lux. In addition, the uniformity is also seen through the skylight illuminance ratio.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.93-93
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2010
Semiconductor nanocrystal quantum dots (NQDs) have recently attracted considerable interest for use in photovoltaics. Band gaps of NQDs can be tuned over a considerable range by varying the particle size thereby allowing enhance absorption of solar spectrum. NQDs, synthesized using colloidal routes, are solution processable and promise for a large-area fabrication. Recent advancements in multiple-exciton generation in NQD solutions have afforded possible efficiency improvements. Various architectures have attempted to utilize the NQDs in photovoltaics, such as NQD-sensitized solar cell, NQD-bulk-heterojuction solar cell and etc. Here we have fabricated CdSe NQDs with the band gap of 1.8 eV to 2.1 eV on thin-layers of p-type organic crystallites (1.61 eV) to realize a donor-acceptor type heterojuction solar cell. Simple structure as it was, we could control the interface of electrode-p-layer, and n-p-layer and monitor the following efficiency changes. Specifically, surface molecules adsorbed on the NQDs were critical to enhance the carrier transfer among the n-layer where we could verify by measuring the photo-response from the NQD layers only. Further modifying the annealing temperature after the deposition of NQDs on p-layers allowed higher conversion efficiencies in the device.
Thin film solar cells based on CIGS continue to be a leading candidate for thin film photovoltaic devices due to their appropriate bandgap, long-term stability, and low-cost production. To date, the most successful technique for the deposition of a CIGS absorber layer has been based on the co-evaporation However, the evaporation process is difficult to scale-up for large-area manufacturing the sputtering and Selenizaton process has been a promising method for low-cost and large-scale production of high quality CIGS In this study, we have used Cu and CuIn alloy targets for precursor deposition the precursor deposited by sputtering Cu and CuIn targets and $CuInSe_2$ thin film is manufactured by Selenization process
Graphene has attracted considerable attention since its first production from graphite in 2004, due to its outstanding physical and chemical properties. The development of production methodsfor large scale, high quality graphene films is an essentialstep toward realizing graphene applications such as transparent, conductive film. Chemical deposition methods, using metal catalystsand gaseous carbon sources, have been extensively developed for large area synthesis. In this paper, wereview recent progress ingraphene production, and survey the role of graphene electrodes in various electronic devices such as touch panels, solar cells, solid statelighting and microelectronic devices.
Recently, domestic energy environment is facing new challenges owing to the depletion of fossil fuel such as oil. Renewable energy resources including solar and wind energy are attracting more interests than ever before. However, solar power system is costly in comparison with the conventional power generation systems and also the energy density is low. Furthermore, large area is required in order to install solar power system. Generally, performance of solar power system is affected by weather conditions and alignment of sun and the solar cell modules. In this study, a new type of sun tracking system for solar power system is proposed. To verify the feasibility of the proposed system, actual implementation of prototype system and experiments are carried out.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.23
no.2
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pp.236-242
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1986
The dependence of the current-voltage characteristics of hydrogenated amorphous silicon pin solar cells on the illumimination light intensity has been investigated. The open circuit voltage increases linearly with increasing the logarithm of light intensity up to AM 1, and nearly saturates above AM 1, indicating the open circuit voltage approaching the built-in potential of the pin solar cell above AM 1. The short circuit current density increase with light intensity in proportion to I**0.85 before and I**0.97 after light exposure. Since the series resistance devreses and shunt resistance increases with light intensily, the fill factor increases with light illumination. To increase the fill factor at high illumination in large area solar cells, t6he grid pattern on the ITO substrates should be made. Long light exposure on the solar cells gives rise to the increase of bulk resistance and defect states, resulting in the decrease of the fil factor and short circuit current density. The potential drop in the bulk of the a-Si:H pin solar cells at short circuit condition increases with decreasing temperature, and increases after long light exposure.
Kim, Eundo;Jeong, Ye-Sul;Jung, Da Woon;Eom, Gi Seog;Hwang, Do Weon;Cho, Seong Jin
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.85.1-85.1
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2010
$Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) thin film solar cell is currently 19.5% higher efficiency and developing a large area technology. The structure of CIGS solar cell that make five unit layers as back contact, light absorption, buffer, front transparent conducting electrode and antireflection to make them sequentially forming. Materials and various compositions of thin film unit which also manufacture a variety method used by the physical and chemical method for CIGS solar cell. The construction and performance test of evaporator for CIGS thin film solar cell has been done. The vapor pressures were changed by using vapor flux meter. The vapor pressure were copper (Cu) $2.1{\times}10^{-7}{\sim}3.0{\times}10^{-7}$ Torr, indium (In) $8.0{\times}10^{-7}{\sim}9.0{\times}10^{-7}$ Torr, gallium (Ga) $1.4{\times}10^{-7}{\sim}2.8{\times}10^{-7}$ Torr, and selenium (Se) $2.1{\times}10^{-6}{\sim}3.2{\times}10^{-6}$ Torr, respectively. The characteristics of the CIGS thin film was investigated by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy/energy dispersive spectroscopy (SEM/EDS) and photoluminescence (PL) spectroscopy using a He-Ne laser. In PL spectrum, temperature dependencies of PL spectra were measured at 1137 nm wavelength.
A photovoltaic system is getting the spotlight for a environment-friendly energy source. But its location is limited because a lot of land is necessary for photovoltaic arrays. Nevertheless, its dissemination is rapidly increasing more than 40 % every year and exceeded about 400 MW in 2009. The radical growth of a photovoltaic system aggravated a lack of sites, so that forests and farmland were destroyed. It is demanded to make use of a vacant lot or little piece of land for the way to solve the lack of sites and improve the location requirements for a photovoltaic system. General photovoltaic arrays are consist of a single layer structure and needs enough separation distances to maximize the amount of solar radiation and to eliminate influences by the shadow of other arrays. So that a large amount of land is required for the site. The solar cell arrays with long separation distances can not be placed in a small vacant lot and its site application efficiency is low. This study optimized photovoltaic arrays as multilayered structure with movable sleeves for the efficient photovoltaic in a small site. The existing photovoltaic arrays with a single layer structure were fixed or tracking systems. In this experimental equipment, photovoltaic arrays attached to the multilayers have rectilinear movement and rotary motion using sleeves. Therefore, shadow influences were removed and the generation capacity was improved. On the simulation result, generation increased by about 30% in the same site considering shadow influences and so on.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.4
no.2
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pp.119-130
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1994
To deposit silicon on borosilicate glass substrates, 18 different substrate combinations were investigated because of the difficulty of direct deposition of silicon. Sucessful results were obtained from Al-and Mg-treated glass and furnace annealed sputtered silicon deposited glass substrates. A continuous silicon thin film on a large area substrates was obtained in the temperatures ranges from $420^{\circ}C to 520^{\circ}C$. These thin films might be applied to lower the cost of solar cells and solar cell modules.
In the present work, we synthesize nano-sized ZnO, $SnO_2$, and $TiO_2$ powders by hydrothermal reaction using metal chlorides. We also examine the energy-storage characteristics of the resulting materials to evaluate the potential application of these powders to dye-sensitized solar cells. The control of processing parameters such as pressure, temperature, and the concentration of aqueous solution results in the formation of a variety of powder morphologies with different sizes. Nano-rod, nano-flower, and spherical powders are easily formed with the present method. Heat treatment after the hydrothermal reaction usually increases the size of the powder. At temperatures above $1000^{\circ}C$, a complete collapse of the shape occurs. With regard to the capacity of DSSC materials, the hydrothermally synthesized $TiO_2$ results in the highest current density of $9.1mA/cm^2$ among the examined oxides. This is attributed to the fine particle size and morphology with large specific surface area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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