In the past, the efficiency of solar cells had been increased in order to increase the efficiency of solar modules. However, in recent years, in order to increase output in the solar industry and market, the competitiveness of solar cells based on large-area solar cells and multi-bus bar has been increasing. Multi-busbar solar module is a technology to reduce power loss by increasing the number and width of the front busbar of the solar cell and reducing the current value delivered by the busbar by half through half-cutting. In the case of the existing M2 (156.75×156.75 mm2) solar cell, even with a half-cut, power loss could be sufficiently reduced, but as the area of the solar cell is enlarged to more than M6 (166×166 mm2), the need for more divisions emerged. This affected not only solar cells but also inverters required for module array configuration. Therefore, in this study, the electrical characteristics of a large-area solar cell and after division were extracted using Griddler simulation. The output characteristics of the module were predicted by applying the solar cell parameters after division to PSPice, and a guideline for the large-area solar module design was presented according to the number of divisions of the large-area solar cell.
Solar energy had become the main energy industry of renewable energy along with hydroelectric power generation. One of the technologies that contributed to the popularization of photovoltaic power and the decrease in the unit price of photovoltaic modules was the large-area solar cell. However, as the area increased, the light receiving area increased and the current value increased accordingly. Since power loss occurs when the current value was large, the number of busbar was increased to increase the current collection rate, and a technology to lower the current value through half-cutting was developed. The bus bar of the solar cell served as a passage through which the generated current was transmitted. This was because when the number of busbar decreases, the moving distance of electrons increased, so the amount of power generation decreases and when it increases, shadows occured. An important aspect of the electrode design was the optimal balance of these busbars and number of fingers. Therefore, in this study, the characteristics of the solar cell according to the number of front bus bars of the large-area solar cell were simulated using Griddler 2,5 pro. After selecting the number of busbar with the best characteristics, the difference was compared by varying the number of fingers and a better direction for the number of cutting was presented.
페로브스카이트 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지를 대체하는 차세대 태양전지로서, 페로브스카이트 구조를 가진 유-무기 하이브리드 물질을 광 활성층으로 사용하는 태양전지 소자로 고효율, 저가의 용액 공정 및 저온 공정에 유리한 장점들을 가지고 있으며 지난 10년간 빠른 효율 향상을 보여주었다. 이러한 페로브스카이트 태양전지의 상용화 과정에서 대면적 코팅 방법에 대해서 연구개발이 진행되어야 한다. 대면적 페로브스카이트 태양전지 대면적 코팅 방법 중 하나로 슬롯-다이 코팅방법에 대해서 연구 진행하였다. 메니스커스를 이용하여 기판 위를 지나가며 용액을 코팅하는 방법으로 3D printer에 메니스커스를 장착하여 코팅을 할 수 있도록 하였다. 코팅 시 작용하는 변수로는 bed 온도, coating speed, N2 blowing간격, N2 blowing 높이, N2 blowing세기등이 있으며 이를 조절하여 페로브스카이트 흡수층을 제작 진행하였으며, 대면적 소자 제작을 위한 코팅 조건을 최적화 하였다.
Cadmium telluride (CdTe) is one of the most attractive photovoltaic materials due to its low cost, high efficiency and stable performance in physical, optical and electronic properties. Few researches on the influences of uniform surface on the photovoltaic characteristics in large-area CdTe solar cell were not reported. As the preceding study of the effects of thickness-uniformity on the photovoltaic characteristics for the large-area CdTe thin film solar cell, chemical mechanical polishing (CMP) process was investigated for an enhancement of thickness-uniformity. Removal rate of CdTe thin film was 3160 nm/min of the maximum value at the 200 $gf/cm^2$ of down force (pressure) and 60 rpm of table speed (velocity). The removal rate of CdTe thin film was more affected by the down force than the table speed which is the two main factors directly influencing on the removal rate in CMP process. RMS roughness and peak-to-valley roughness of CdTe thin film after CMP process were improved to 96.68% and 85.55%, respectively. The optimum process condition was estimated by 100 $gf/cm^2$ of down force and 60 rpm of table speed with the consideration of good removal uniformity about 5.0% as well as excellent surface roughness for the large-area CdTe solar cell.
Protection of solar cell surface is important to prevent from dust, pollen, sand, etc. Therefore, development of large area antifouling film is urgent for high performance of solar cells. The surface of silica spheres was modified to fabricate large area antifouling film. The surface of monodisperse silica spheres has been modified with 3-(trimethoxysilyl) propylmethacrylate (TMSPM) to fabricate large area photonic crystal. Although the surface modification of silica spheres with TMSPM has been failed for the base catalyst, the second trial using acid catalyst showed the following results. The FTIR absorption peak at $1721cm^{-1}$ representing C=O stretching vibration indicates that the TMSPM was attached on the surface of silica spheres. The methanol solution comprised of the surface modified silica spheres (average diameter of 380 nm) and a photoinitiator was poured in the patterned silicon wafer with the dimension of 10 cm x 10 cm and irradiated UV-light during the self-assembly process. The result showed large area crack and defect free nanostructures.
The solar energy conversion will take 10 % global energy need by 2033. A thin film type solar cell has been considered as one of the promising candidates for a large area applicable solar cell fabrication at a low cost. The metal-assisted growth of microcrystalline Si (mc-Si) films has been reported for a quality Si film synthesis at a low temperature. It discusses the spontaneous growth of a Si film above a metal-layer for a thin film solar cell. Quite recently, a substantial demand of nanomaterials has been addressed for cost-effective solar cells. The nanostructure provides a large photoactive surface at a fixed volume, which is an advantage in the effective use of solar power. But the promising of nanostructure active solar cell has not been much fulfilled due mainly to the difficulty in architecture of nanostructures. We present here the Si nanowire (SiNW)-embedded Schottky solar cell. Multiple SiNWs were connected to two different metals to form a Schottky or an ohmic contact according to the metal work function values. It discusses the scheme of rectifying contact between metals and SiNWs and the SiNW-embedded Schottky solar cell performances.
For the high efficiency of the photovoltaic module, a high-output solar cell, which is the basis of photovoltaic power generation, is required. As the light receiving area of the solar cell increases, the light receiving area of the photovoltaic module also increases. Accordingly, recent trend is to use large-area solar cells such as M6 and M8 instead of M2-based solar cells for manufacturing the photovoltaic module and a study on the mechanical stiffness of the module with increased size is required. In this study, a mechanical load test corresponding to IEC-61215 was performed among the reliability tests of large-area photovoltaic modules. In order to confirm the degree to which the mechanical load test affects the photovoltaic module, the output and EL images were checked by sequentially increasing the pressure by 600 Pa at a pressure of 2400 Pa. Also, factors such as output and efficiency of large-area photovoltaic modules were verified through mechanical load testing of actual large-area photovoltaic modules and the rate of change was very small at 1%.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권2호
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pp.73-78
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2008
We investigated for comparison of large-area i-a-Si:H and p-a-SiC:H film quality like thickness uniformity, optical bandgap and surface roughness using both ICP-CVD and PECVD on the large-area substrate(diameter of 100 mm). As a whole, films using ICP-CVD could be achieved much uniform thickness and bandgap of that using PECVD. For i-a-Si:H films, its uniformity of thickness and optical bandgap were 2.8 % and 0.38 %, respectively. Also, thickness and optical bandgap of p-a-SiC:H films using ICP-CVD could be obtained at 1.8 % and 0.3 %, respectively. In case of surface roughness, average surface roughness (below 5 nm) of ICP-CVD film could be much better than that (below 30 nm) of PECVD film. HIT solar cell with 2 wt%-AZO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/c-Si/Ag structure was fabricated and characterized with diameter of 152.3 mm in this large-area ICP-CVD system. Conversion efficiency of 9.123 % was achieved with a practical area of $100\;mm\;{\times}\;100\;mm$, which can show the potential to fabrication of the large-area solar cell using ICP-CVD method.
Dye-sensitized solar cell using transparent conducting oxide as electrode has large resistance such as surface resistance, charge transportation impedance in counter electrode and electrolyte, impedance between each interface. Among that resistances, surface resistance of transparent conducting oxide is relatively large. So the change of transparency has a large effect on internal resistance of dye-sensitized solar cell. Consequently, that change cause to increase or decrease the conversion efficiency. We tried to reduce the surface resistance by laser-scribing. The active area is seperated from total transparent conducting oxide by Nd:YAG laser-scribing. As a result, we achieved the improvement of efficiency about 7% and 11% in case of $0.25cm^2$ and $1.00cm^2$ dye-sensitized solar cells.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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