Lim, Ji-Ho;Kim, Seung-Wook;Kim, Samjung;Kang, Eun-Young;Lee, Min Lyul;Samal, Sneha;Jeong, Dae-Yong
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.9
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pp.488-495
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2021
Solid state grain growth (SSCG) is a method of growing large single crystals from seed single crystals by abnormal grain growth in a small-grained matrix. During grain growth, pores are often trapped in the matrix and remain in single crystals. Aerosol deposition (AD) is a method of manufacturing films with almost full density from nano grains by causing high energy collision between substrates and ceramic powders. AD and SSCG are used to grow single crystals with few pores. BaTiO3 films are coated on (100) SrTiO3 seeds by AD. To generate grain growth, BaTiO3 films are heated to 1,300 ℃ and held for 10 h, and entire films are grown as single crystals. The condition of grain growth driving force is ∆Gmax < ∆Gc ≤ ∆Gseed. On the other hand, the condition of grain growth driving force in BaTiO3 AD films heat-treated at 1,100 and 1,200 ℃ is ∆Gc < ∆Gmax, and single crystals are not grown.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.263-266
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1998
ZnO varistors have an excellent non-linearity and a large surge-energy absorption capability. For these reasons, the ZnO varistors are widely used to protect electrical/electronic circuits from an abnormal surge and/or noise signal. In order to obtain the low-voltage varistor with randomly distributed large seed grain within bulk, the ZnO varistors are made by a new three-composition seed grain method. And a conduction mechanism of varistors, which was observed in the temperature range of 30 ∼ 120$^{\circ}C$ and at the current range of 10$\^$-8/∼10$^2$ A/cm$^2$, was classified by the three regions of different mechanism when the current was increased.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.429-429
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2010
TFT 제조 방법 중 LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)는 저온과 저비용 등의 이점으로 인하여 flat panel display 제작에 널리 사용된다. 이동도와 전류 점멸비 등에서 이점을 가지는 ELA(Excimer Laser Annealing)가 널리 사용되고 있지만, 이 방법은 uniformity 등의 문제점을 가지고 있다. 이를 극복하기 위한 방법으로 MICC(Metal Induced Capping Crystallization)이 사용되고 있다. 이 방법은 $SiN_x$, $SiO_2$, SiON등의 capping layer를 diffusion barrier로 위치시키고, Ni 등의 금속을 capping layer에 도핑 한 뒤, 다시 한번 열처리를 통하여 a-Si에 Ni을 확산시키킨다. a-Si 층에 도달한 Ni들이 seed로 작용하여 Grain size가 매우 큰 film을 제작할 수 있다. 채널의 grain size가 클 경우 grain boundary에 의한 캐리어 scattering을 줄일 수 있기 때문에 MIC 방법을 사용하였음에도 ELA에 버금가는 소자의 성능과 안정성을 얻을 수있었다. 본 연구에서는 large grain TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 안정성 측정 및 분석에 목표를 두었다.
Kim, Chan-Joong;Joo, Jin-Ho;Han, Young-Hee;Han, Sang-Chul;Sung, Tae-Hyun;Hong, Gye-Won;Kim, Ho-Jin
한국초전도학회:학술대회논문집
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v.10
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pp.293-297
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2000
Multiseeding with (100)/(100) grain junctions of top-seeded melt growth (TSMG) processed YBCO superconductors was studied. The effect of the number of seeds and the distance between two seeds on the levitation forces and the trapped magnetic fields of the TSMG-processed YBCO samples was investigated. Multiple seeding shortened the processing time for the fabrication of TSMC-processed YBCO superconductors. The large magnetic field was trapped at the grain junction when two seeds was placed without spacing, while the amount of the magnetic field decreased when the seed distance increased. This is attributed to the increased amount of the residual melt phases around the grain junctions.
Kang, Seung Mo;Ahn, Kyung Min;Moon, Sun Hong;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.2
no.1
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pp.1-7
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2014
We developed a method of growing thin Si film at $600^{\circ}C$ by hot wire CVD using a very thin large-grained poly-Si seed layer for thin-film Si solar cells. The seed layer was prepared by crystallizing an amorphous Si film by vapor-induced crystallization using $AlCl_3$ vapor. The average grain size of the p-type epitaxial Si layer was about $20{\mu}m$ and crystallographic defects in the epitaxial layer were mainly low-angle grain boundaries and coincident-site lattice boundaries, which are special boundaries with less electrical activity. Moreover, with a decreasing in-situ boron doping time, the mis-orientation angle between grain boundaries and in-grain defects in epitaxial Si decreased. Due to fewer defects, the epitaxial Si film was high quality evidenced from Raman and TEM analysis. The highest mobility of $360cm^2/V{\cdot}s$ was achieved by decreasing the in-situ boron doping time. The performance of our preliminary thin-film solar cells with a single-side HIT structure and $CoSi_2$ back contact was poor. However, the result showed that the epitaxial Si film has considerable potential for improved performance with a reduced boron doping concentration.
This experiment was conducted to obtain the basic information for the increase ofgermination percent by the seed diameter, specific gravity, different grain filling period and stratification in Bupleurum falcatum seeds. The seed size of B.falcatum ranged from 2.0 to 3.9mm in diameter, The large seed showed the higher germinability, The optimum specific gravity of salt selection for seed screening was 1.05 resulting in screening out seeds with high germinability over 70%.The seeds needed grain filling period for 60 days or longer after flowering to keep high germinability The optimum period of stratification treatment to promote seed germination was about 80 days.
This study presents that various grain boundary junctions are prepared by controlling the seed orientation combined with an artificial hole in a melt process REBCO bulk superconductor. Large grain YBCO superconductors have been fabricated with various grain boundary junctions that the angle between the grain boundary and the <001> axis of Y123 crystal is $0^{\circ}$, $30^{\circ}$ and $45^{\circ}$, respectively. The presence of the artificial hole is beneficial for the formation of clean grain boundary junction and single peak trapped magnetic field profiles have been obtained. Artificial hole makes two growth fronts meet at a point on a periphery of the artificial hole. The presence of artificial hole is not likely to affect on the distribution of Y211 particles. The newly formed <110> facet lines are explained by the formation of new Y123/liquid interface with (010) crystallographic plane.
The unique features of spark plasma sintering process are the possibilities of a very fast heating rate and a short holding time to obtain fully dense materials. $\beta$-SiC powder with 0, 2, 6, 10 wt% of $\alpha$-SiC particles (seeds) and 4 wt% of Al-B-C (sintering aids) were spark plasma sintered at $1700-1850^{\circ}C$ for 10 min. The heating rate, applied pressure and sintering atmosphere were kept at $100^{\circ}C/min$, 40 MPa and a flowing Ar gas (500 CC/min). Microstructural development of SiC as function of seed content and temperature during spark plasma sintering was investigated quantitatively and statistically using image analysis. Quantitative image analyses on the sintered SiC ceramics were conducted on the grain size, aspect ratio and grain size distribution of SiC. The microstructure of SiC sintered up to $1700^{\circ}C$ consisted of equiaxed grains. In contrast, the growth of large elongated SiC grains in small matrix grains was shown in sintered bodies at $1750^{\circ}C$ and the plate-like grains interlocking microstructure had been developed by increasing sintering temperature. The introduction of $\alpha$-SiC seeds into $\beta$-SiC accelerated the grain growth of elongated grains during sintering, resulting in the plate-like grains interlocking microstructure. In the $\alpha$-SiC seeds added in $\beta$-SiC, the rate of grain growth decreased with $\alpha$-SiC seed content, however, bulk density and aspect ratio of grains in sintered body increased.
This study was carried out to develop a vacuum nozzle seeder for large seeds and performance was tested on seed feeding, arranging. and sowing peformance. The results of this study were as follows: The operation of feeding device of the seeder was programmed to operate a period of setting time after sowing 6 rows. The setting time was decided based on a discharged seed by the angular speed of feeding roller. The arranging accuracy of 'tuktozwa', 'hukjong' and 'chambak' was 96.4%, 95.2% and 89.4% respectively. The working performance was 75.6sheet/hr which was 3.8 times higher than that of manual work. An average seeding rate of 1 grain was 97.8%.
Soybean seeds deteriorate even before harvest, especially under high temperature and high relative humidity conditions. This study was conducted to determine the effect of harvest date on seed quality in early maturing soybean cultivars. Soybean cultivars used in the experiment were Damyang-native, having small seed with yellow color, and Yuhsuzumi, having large seed with green color. The length of physiological maturity to grain harvest was 24 days in Yuhsuzumi and 8 days in Damyang-native. The moisture contents of seed were 25.3 % in Yuhsuzumi and 14.5 % in Damyang-native cultivar when pod reached its mature pod color. The seed color of Yuhsuzumi started to turn yellow, and its germination rate was greatly decreased when harvest was delayed after maturity, However, Damyang-native cultivars produced seed of high quality regardless of delayed harvest.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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