아이폰을 비롯한 새로운 스마트 기기의 도입으로 촉발된 폭발적인 데이터 트래픽의 증가는 사회.경제적으로 큰 변화를 가져 왔으며, 앞으로도 그 추세가 계속될 것으로 예측되고 있다. 국내의 경우 증가하는 데이터 트래픽을 수용하기 위해 10MHz의 LTE 시스템을 도입하여 상용 서비스를 시작한 바 있으며, 올해 하반기부터는 20MHz의 광대역 LTE 서비스와 함께 2개의 반송파를 집성하는 CA(Carrier Aggregation) 기술이 적용된 LTE-Advanced, 즉 4G 상용 서비스를 이미 개시하였다. LTE 상용 서비스가 본격화 되기 시작하면서 제조업체와 대학, 연구소 등을 중심으로 다음 세대 이동통신 기술에 대한 관심이 보다 높아졌으며, 최근 LTE-Advanced 상용 서비스 개시를 계기로 5G 이동통신에 대한 논의가 본격적으로 시작되고 있다. ITU-R WP(Working Party) 5D는 2012년 7월에 개최된 제13차 회의에서 2020년 및 그 이후의 미래 IMT 시스템을 위한 비전(Vision) 및 기술동향 연구를 수행하기로 결정하였으며, 2013년부터 본격적인 연구에 착수하여 미래 IMT 기술동향 보고서와 미래 IMT 비전 권고를 각각 2014년과 2015년까지 개발할 계획이다. 이와 관련하여 3GPP와 IEEE 802도 현재 표준화가 진행되거나 진행 예정인 최신 기술들을 중심으로 미래 IMT 기술동향 보고서에 대한 기고를 제출하였다. 향후 ITU-R WP 5D는 전례로 볼 때 현재 진행 중인 2020년 및 그 이후의 미래 IMT 시스템을 위한 비전 및 기술동향 연구 작업이 마무리하면, 4G인 IMT-Advanced의 경우와 마찬가지로 5G의 기술적 요구사항을 정의하고, 5G 후보 기술규격을 외부 표준화 기구들로부터 제안 받아 5G 기술로 승인하는 과정을 밟게 될 것이며, 이후 이 요구사항을 만족하는 시스템을 5G 이동통신 시스템이라고 명명하게 될 것이다. 5G 이동통신 시스템에 대한 요구사항은 다양한 의견 교류를 통해 큰 틀에서 컨센서스를 이루어가는 중이며, 이러한 내용이 ITU-R WP 5D의 기술적 요구사항에 반영되어 보다 구체화 될 것이다. 반면 5G에 대한 기술적 접근방법에 대해서는 여러 시각들이 존재하는 것이 사실이나, 현재 이에 대한 논의가 활발히 진행되고 있으며, 결국은 관련 표준화 기구들에서의 논의를 통해 그 접근방법이 최종적으로 결정될 것으로 보인다. 본 고에서는 먼저 5G 이동통신 요구사항과 4G 이후의 표준화 기술에 대해 살펴 본 후, 향후 이동통신 기술이 어떤 시나리오에 따라 발전할 것인지, 5G 네트워크는 어떤 구조를 갖게 될지, 그리고 어떤 기술이 적용될 지 등에 대해 개인적인 시각에서 전망해보고자 한다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.29
no.4
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pp.290-298
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2018
Herein, an S-band internally-matched power amplifier that shows a power capability of 300 W in a Long Term Evolution(LTE) band 7 is designed and fabricated using a CGHV40320D GaN HEMT from Wolfspeed. Based on the nonlinear model, the optimum source and load impedance are extracted from the source-pull and load-pull simulations at the fundamental and harmonic frequencies, and the harmonic impedance tuning circuits are implemented inside a ceramic package. The internally matched power amplifier, which is fabricated using a thin-film substrate with a high relative permittivity of 40 and an RF35TC PCB substrate, is measured at the pulsed condition with a pulse period of 1 ms and a duty cycle of 10%. The measured results show a maximum output power of 257~323 W, a drain efficiency of 64~71%, and a power gain of 11.5~14.0 dB at 2.62~2.69 GHz. The LTE-based measurement shows a drain efficiency of 42~49% and an ACLR of less than -30 dBc(excluding 2.62 GHz) at an average power of 79 W.
In this paper, we designed and implemented the MIMO (Multiple-Input Multiple-Output) antenna for the mobile handset that could be used for multiple services. Simulation results were obtained using SEMCAD X by SPEAG based on the FDTD (Finite Difference Time Domain) Method which showed that S11 values were less than -6 dB (VSWR < 3) for LTE (Long Term Evolution) 700/2300/2500, K-PCS (Korea-Personal Communication Service : 1,750 ~ 1,870 MHz), US-PCS (US-Personal Communication Service : 1,850 ~ 1,990 MHz), Wibro (2,300 ~ 2,390 MHz), Bluetooth (2,400 ~ 2,483 MHz), and US-WiMAX (US-World interoperability for Microwave Access: 2,400 ~ 2,590 MHz) frequency bands. Measured results of the fabricated antenna also showed that it could be used for LTE 700/2300/2500, K-PCS, US-PCS, Wibro, Bluetooth, and US-WiMAX. services.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.19
no.4
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pp.772-779
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2015
In this paper,a reconfigurable multi-band mobile antenna with switching line for LTE band 13, GSM, K-PCS, WCDMA band. The proposed antenna is planar strip line design and composed of stub shorted to the ground plane and two switching line for proposed band operation. To obtain the optimized parameters, we used the simulator, Using the obtained parameters is fabricated. The numerical and experiment results demonstrated that the proposed antenna satisfied the -6 dB impedance bandwidth requirement while simultaneously covering when the state of sw1 and sw2 on for LTE band 13, the state of sw1 off and sw2 on for GSM, K-PCS, the state of sw1 off and sw2 off for WCDMA. Respectively and characteristics of gain and radiation patterns are determined for a reconfigurable multi-band mobile terminal.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.15
no.2
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pp.112-116
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2017
In this work, we demonstrated a low noise and high linearity low noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with novel active bias circuit for LTE applications. The device technology used in this work relies on a process involving a $0.25-{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The LNA MMIC with a novel active bias circuit has a small signal gain of $19.7{\pm}1.5dB$ and output third order intercept point (OIP3) of 38-39 dBm in the frequency range 1.75-2.65 GHz. The noise figure (NF) is less than 0.58 dB over the full bandwidth. Compared with the characteristics of the LNA MMIC without using the novel active bias circuit, the OIP3 is improved about 2-3 dBm. The small signal gain and NF showed no significant change after using the active bias circuit. The novel active bias circuit indeed improves the linearity performance of the LNA MMIC without degradation.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.38A
no.3
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pp.277-288
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2013
3GPP LTE-Advanced (Third Generation Partnership Project Long Term Evolution-Advanced) as a next generation mobile communication standard introduced small base stations such as femto cells or pico cells, and D2D (Device-to-Device) communications between mobiles in the proximity in order to satisfy the needs of rapidly growing wireless data traffic. A diverse range of topics has been studied to solve various interference situations which may occur within a single cell. In particular, an introduction of a small base station along with D2D communication raises important issues of how to increase the channel capacity and frequency efficiency in HetNets (Heterogeneous Networks). To this end, we propose in this paper methods to manage the interference between the macro cell and other small cells in the HetNet to improve the frequency efficiency. The proposed CCN (Cluster Coordinator Node)-assisted ICI (Inter-Cell Interference) avoidance methods exploit the CCN to control the interference in HetNet comprising of an MeNB (Macro enhanced Node-B) and a large number of small cells. A CCN which is located at the center of a number of small cells serves to avoid the interference between macro cell and small cells. We propose methods of resource allocation to avoid ICI for user equipments within the CCN coverage, and evaluate their performance through system-level computer simulations.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.27
no.3
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pp.269-276
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2016
This paper presents a 2.65 GHz Doherty power amplifier with internally-matched GaN HEMT. Internal matching circuits were adopted to match its harmonic impedances inside the package. Simultaneously, due to the partially matched fundamental impedance, input and output matching networks become simpler. Bond wires and parasitic elements of transistor package were predicted by EM simulation. For the LTE signal with 6.5 dB PAPR, the implemented Doherty power amplifier shows a power gain of 13.0 dB, a saturated output power of 55.4 dBm, an efficiency of 49.1 %, and ACLR of -26.3 dBc at 2.65 GHz with an operating voltage of 48 V.
Patent information, which is generated under a specific, objective rule for a prolonged period of time, has the properties of technology, right, and management. Because of these characteristics of patents, patent analysis is used to identify R&D capacities and performances, and management strategies of a given nation or enterprise. In this paper, we analyze LTE essential patents which are key IPRs for implementing standardized LTE technology and major weapons in a global patent war. Total of 2,307 LTE essential patents, published and registered applications from European Telecommunications Standards Institute(ETSI)'s online IPR database as of January 2011, are analyzed in quantitative methods. The analysis results present status and statistics of LTE essential patents by major countries, applicant companies and technical fields. And a comparative study is done using 4 patent indices limited to the LTE essential patents issued in the United States. It is expected that results herein are useful for not only figuring out the technological competitiveness of countries and companies in LTE market, but also suggesting a guide to strategic IPR management for related industries.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.12
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pp.22-31
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2015
Recently, 3rd Generation Partnership Project (3GPP) has developed device-to-device (D2D) communication to cope with the explosively increasing mobile data traffic. The D2D communication uses sidelink based on single carrier-frequency division multiple access (SC-FMDA) due to its low peak-to-average power ratio (PAPR). In addition, demodulation reference signal (DMRS) is designed to support multiple input multiple output (MIMO). In this paper, we propose the DFT-based channel estimation scheme for sidelink in D2D communication. The proposed scheme uses the 2-Dimensional Minimum Mean Square Error (2-D MMSE) interpolation scheme for the user moving at a high speed. We perform the system level simulation based on 20MHz bandwidth of 3GPP LTE-Advanced system. Simulation results show that the proposed channel estimation scheme can improve signal-to-interference-plus-noise ratio (SINR), throughput and spectral efficiency of conventional scheme.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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