For a human being's smooth activity, the clean air and comfortable lighting environment are needed. The suitable lighting environment is obtained generally by making it available for being formed the bright situation easy for seeing object and the visually comfortable atmosphere. In this way, even the lighting environment was changed along with economic development. Even a light source was diversified. Thus, several kinds of new light sources such as LED, OLED, PLS, and CNT came to appear. Halogen lamp, which has low efficiency due to high color rendering among lamps of being used now, is being much used yet. However, owing to radiation of UV and IR, there are many limitations to the subject in general exhibition lighting, museum, and art museum. Accordingly, a research was performed on filter that is blocked UV and IR at the same time, by using halogen lamp that is excellent in color rendering and in life.
한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.177-177
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2006
Copolymers containing oxime-urethane groups, which led to the formation of pendant amino groups photochemically, were applied to a fluorescent image-recording material through the reaction with fluorescamine, a prefluorescent dye for amino groups. This imaging method permits the fluorescent image to be erased or restored by treatment with base or acid. Copolymers containing phthalimide carbamate groups were applied to a bicolor fluorescent imaging material through the consecutive reaction with fluorescamine and rhodamine. A various colored fluorescent micropattern (green, red or red-yellow) was observed through the changes of excitation wavelength by using a conforcal microscope.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.569-571
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2008
The structural and optical properties on $Bi^{3+}$ addition in (Y,Gd)(V,P)$O_4:Eu^{3+}$ red phosphor were investigated. With the addition of $Bi^{3+}$, the band edge in excitation spectrum shifts toward longer wavelength region, resulting in remarkable enhancement of the red emission intensity at 619 nm.
Kim, Jae-Myung;Kim, Kyung-Nam;Park, Joung-Kyu;Kim, Chang-Hae;Jang, Ho-Gyeom
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1623-1626
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2005
The thiogallate phosphors which are well known for a long time as phosphor materials for CRT or EL device were reported. Those have high luminescent properties at long-wavelength region. Among those phosphors, the samples with divalent europium doped CaGa2S4 were prepared by a simple process under the reduction atmosphere $(5%\;H_2/\;95%\;N_2)$ without toxic gas such as H2S or CS2. The prepared phosphor shows a higher luminescent efficiency (about 120%) than that of $YAG:Ce^{3+}$ phosphor. Consequently, this phosphor is possible to be applicable to white LED lamp because of the high luminescent efficiency.
AZO:H films were prepared by RF magnetron sputtering system with a AZO (2wt% $Al_2O_3$) ceramic target at a temperature of $150^{\circ}C$. The annealing treatments were carried out in hydrogen ambient for 1hr at a temperature of $400^{\circ}C$. The AZO:H films were etched with 1 % HCl. The influence of the properties of AZO:H films deposited in various working pressures is investigated. As a result, the AZO:H film deposited in 4mTorr showed excellent electrical property of $\rho=5.036{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and strongly oriented (002) peak. The transmittance in the wavelength of 450nm was above 80%. It can be used as front electrode for increasing efficiency of GaN LED.
The authors investigated the InGaN/GaN multi-quantum well blue light emitting diodes with the implements of the photonic crystals fabricated at the top surface of p-GaN layer or the bottom interface of n-GaN layer. The top photonic crystals result in the lattice-dependent photoluminescence spectra for the blue light emitting diodes, which have a wavelength of 450nm. However, the bottom photonic crystal shows a big shift of the photoluminescence peak from 444 nm to 504 nm and played as a role of quality enhancement for the crystal growth of GaN thin film. The micro-Raman spectroscopy shows the improved epitaxial quality of GaN thin film.
A polymeric photobase generator containing oxime-urethane groups is applied to a fluorescence micropatterning material. Polymer bearing oxime-urethane groups was prepared by copolymerization of methyl methacrylate with methacryloyloxyethyl benzophenoneoxime urethane (MBU). The reaction of amino groups in the irradiated copolymer film with dansyl chloride (Dns-Cl) was monitored by using UV absorption, IR absorption and fluorescence spectroscopy. The fluorescence spectrum of the Dns-Cl-treated irradiated copolymer film shows a strong fluorescence with a fluorescence maximum wavelength at 510 nm. A blue fluorescent micropattern with a line width of $2{\sim}3{\mu}m$ was obtained. Treatment of the irradiated copolymer film with Dns-Cl and rhodamine B mixture led to the formation of green, red, and orange-colored fluorescence micropatterns. Thus, various colored micropatterns on a single polymer film can be obtained by selective excitation of each dye molecules.
AL-Mansoori, Mohammed Haydar;Noordin, Nor Kamariah;Saripan, M. Iqbal;Mahdi, Mohd Adzir
Journal of Communications and Networks
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제10권1호
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pp.1-4
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2008
This paper reports the design of a multiwavelength fiber laser source that utilizes a linear cavity of hybrid Brillouin/Erbium fiber laser (BEFL). The output power, threshold power and free running cavity modes were investigated against the pump powers. The structure exhibited low threshold operation of 4 mW at 2.3 mW injected Brillouin pump power. The optimization of Brillouin pump wavelength, power and Erbium gain led to a maximum possible number of channels generated. Simultaneous and stable operation of 21 channels with 10.88 GHz channels spacing were obtained from this architecture at 1 mW injected Brillouin pump power and 90 m W Erbium doped fiber pump power in the 1555 nm region.
The origin of the inhomogeneous distribution of photoluminescence (PL) peak wavelength on a commercial 2" GaN wafer for green light emitting diode has been investigated by wide momentum transfer (Q) range x-ray diffraction (XRD) profile of InGaN/GaN multiple quantum wells. Near the GaN (0004) Bragg peak, wide-Q range XRD (${\Delta}Q$ > $1.4{\AA}-1$) was measured along the growth direction. Wide-Q XRD gives precise and direct information of ultra-thin InGaN quantum well structure. Based on the QW structural information, the variation of PL spectra can be explained by the combined effect of temperature gradient and slightly uneven flow of atomic sources during the QW growth. In narrow variations of indium composition and thickness of QW, an effective indium composition can be a good character to match structural data to PL spectra.
Head up display is in increasing demand for advanced devices in the modern luxury vehicles. It helps drivers focus on driving environment on the road. While HUD technology with LED has advanced, the brightness in daylight can be still an issue to be resolved. Laser light source is a possible solution to overcome the brightness problem and optimal optics design is required for the best performance. Sample design of optics is proposed and detail procedure of lens design evaluation is presented in this paper. The results were characterized by using a ray tracing method and qualitative analysis for spot and DEE is also presented. The overall error or image distortion remained in the target range of $25{\mu}m$ and the simulated image demonstrated possible use in the automotive applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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