• 제목/요약/키워드: LCD Process

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반도체/LCD 제조공정에서의 Silane에 대한 ALARP개념의 화재 폭발 위험성평가에 관한 연구 (A Study on the As Low As Reasonably Practicable (ALARP)-Concept Risk Assessment of Silane in Semiconductor and LCD Process)

  • 이중희;황성민;우인성
    • 대한안전경영과학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.93-98
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    • 2010
  • 본 연구에서는, 반도체, LCD 공정에서 금속막을 증착하기 위하여 PECVD장비에 화재, 폭발 위험성과 독성을 가진 Silane가스를 사용하게 되는 장비인 gas cabinet, pipeline, VMB(Valve manifold box), MFC(mass flow controller)장비 등, 전반적인 시스템에 대하여 영국 HES의 ALARP개념을 도입하여 위험성 평가를 실시하여 문제점을 도출하고 대책을 강구 하는데 목적이 있고, 여러 가지 문제점중 절대적으로 수용 할 수 없는 Critical Risk로는 Gas Cylinder를 사용하여 Silane을 공급하고자 할 때에는 필히 Gas Cabinet을 사용하여 공급하여야 하고, Tube Trailer를 사용하여 공급하고자 할 때에는 필수적으로 Purge System을 갖추어 공급하여야 한다. 선택적으로 수용할 수 있는 High, Medium Risk로는 Gas Cylinder 또는 Tube Trailer를 사용하여 Silane을 공급하고자 할 때는 Inlet 부분에 RFO(Resticted Flow Orifice)를 설치하여 사용하고 Gas Supply Room에는 CO2소화설비를 적용하지 말고 Water Mist등 물 분무설비를 적용하여야한다.

LCD 제작용 급속 열처리 시스템내의 광학 및 열전달 특성 (Optical and Heat Transfer Characteristics in a Rapid Thermal Annealing System for LCD Manufacturing Procedures)

  • 이성혁;김형준;신동훈;이준식;최영기;박승호
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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    • pp.1370-1375
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    • 2004
  • This article investigates the heat transfer characteristics in a RTA system for LCD manufacturing and suggests a way to evaluate the quality of a poly-Si film from the thin film optics analysis. The transient and one-dimensional conductive/radiative heat transfer equation considering wave interference effect is solved to predict surface temperatures of thin films. In dealing with radiative heat transfer, a one-dimensional two-flux method is used and the ray tracing method is also utilized to account for the wave interference effects. It is assumed that each interface is assumed diffusive but the spectral radiative properties are included. It is found that the selective heating region exists for various wavelengths and consequently may contribute to heat the poly-Si film. Using the formalism of the characteristic transmission matrix, the lumped structure reflectance, transmittance, and absorptance are calculated and they are compared with experimental data of the poly-Si film during the SPC process via the FE-RTA (Field-Enhanced RTA) technology.

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중소기업(中小企業)의 선진(先導) 기술능력(技術能力) 축적과정(蓄積過程)에 관(關)한 연구(硏究) - LCD 제조(製造) 장비업체(裝備業體)를 중심(中心)으로- (Knowledge Creation Perspective on Technological Capability Accumulation of a High-tech SMEs : Comparative Case Study and Strategic Implications)

  • 이판국;정대용
    • 벤처창업연구
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    • 제4권3호
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    • pp.1-22
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    • 2009
  • 기업의 경쟁력은 기업 특유의 지식이 많을수록 강해진다. 기업 특유의 지식이란 그 기업만이 가지고 있는 고유의 지식을 말한다. 최근 들어 고유의 지식을 축적하고 경쟁력을 갖추기 위해서 어떻게 해야 할 것인가에 대한 연구들이 다양한 관점에서 진행되고 있다. 본 연구는 지식경영이론 관점에서 기존 이론에 대한 고찰을 총해 흡수능력 축적과정에 대한 개념적 틀을 도출하고, LCD 장치산업의 중소기업을 대상으로 하여 신제품개발 과정에 대한 사례분석을 통해서 기술능력 축적에 방법에 대한 명제를 도출하고 의의와 시사점을 제시하고 있다. 연구 결과 중소기업이 신속하게 기술능력을 축적하기 위해서는 흡수 능력의 3요소인 기반능력, 통합능력, 노력의 강도를 갖추어야 하며, 특히 노력의 강도가 중요한 역할을 한다. 또한 혁신적인 수준의 신제품을 개발하기 위해서는 탐험과 활용을 통한 학습 가속화가 요구되며, 적극적인 탐색과 탐험을 위해서는 이에 필요한 보완능력의 구축이 요구된다.

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중소기업(中小企業)의 선도(先導) 기술능력(技術能力) 축적과정(蓄積過程)에 관(關)한 연구(硏究) -LCD 제조(製造) 장비업체(裝備業體)를 중심(中心)으로- (Knowledge Creation Perspective on Technological Capability Accumulation of a High-tech SMEs : Comparative Case Study and Strategic Implications)

  • 이판국;정대용
    • 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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    • 한국벤처창업학회 2009년도 통합학술대회
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    • pp.67-88
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    • 2009
  • 기업의 경쟁력은 기업 특유의 지식이 많을수록 강해진다. 기업 특유의 지식이란 그 기업만이 가지고 있는 고유의 지식을 말한다. 최근 들어 고유의 지식을 축적하고 경쟁력을 갖추기 위해서 어떻게 해야 할 것인가에 대한 연구들이 다양한 관점에서 진행되고 있다. 본 연구는 지식경영이론 관점에서 기존 이론에 대한 고찰을 통해 흡수능력 축적과정에 대한 개념적 틀을 도출하고, LCD 장치산업의 중소기업을 대상으로 하여 신제품개발 과정에 대한 사례분석을 통해서 기술능력 축적에 방법에 대한 명제를 도출하고 의의와 시사점을 제시하고 있다. 연구 결과 중소기업이 신속하게 기술능력을 축적하기 위해서는 흡수 능력의 3요소인 기반능력, 통합능력, 노력의 강도를 갖추어야 하며, 특히 노력의 강도가 중요한 역할을 한다. 또한 혁신적인 수준의 신제품을 개발하기 위해서는 탐험과 활용을 통한 학습 가속화가 요구되며, 적극적인 탐색과 탐험을 위해서는 이에 필요한 보완능력의 구축이 요구된다.

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Printable organic TFT technologies for FPD applications

  • Ando, Masahiko
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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    • pp.57-60
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    • 2005
  • We have recently developed new organic TFT technologies such as self-aligned self-assembly (SALSA) process and a high-resolution color active-matrix LCD panel. A new method to realize high-resolution printable organic TFT array to drive active-matrix flat-panel display will be discussed.

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개선된 S-curve 모델과 RGB 칼라 LUT를 이용한 모니터와 모바일 디스플레이 장치간 색 정합 (Color matching between monitor and mobile display device using improved S-curve model and RGB color LUT)

  • 박기현;이명영;이철희;하영호
    • 대한전자공학회논문지SP
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    • 제41권6호
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    • pp.33-41
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    • 2004
  • 본 논문에서는 모니터와 모바일 디스플레이간의 복잡한 색 정합 과정을 단순화시키는 3차원의 색 정합 look-up table(LUT)을 설계하였다. 색 정합을 위해서는 우선 영상의 색을 CIEXYZ 혹은 CIELAB 등의 장치 독립적인 색 공간에서 처리하여야 한다. 장치 의존적인 RGB 색 공간의 데이터에서 장치 독립적인 색 공간의 데이터를 얻기 위해서는 디스플레이 특성화 과정이 필요하다. 기존의 S-curve 모델을 이용하여 LCD를 특성화 하면 LCD의 비선형적인 계조 특성으로 인해 특성화 오차가 허용 오차보다 커지게 된다. 본 논문에서는 X, Y, Z의 전기-빛 입출력 특성을 이용하여 S-curve 모델의 특성화 오차를 줄였다. 또한 모니터와 모바일 디스플레이간의 색 정합을 수행함으로써 색 표현력이 향상된 영상을 모바일 디스플레이에서 획득할 수 있었으며, 실험을 통하여 허용오차 내의 색 정합 LUT의 최소 크기가 64(4×4×4)라는 것을 확인하였다.

LCD 구동 IC를 위한 Power-Up 순차 스위치를 가진 Latch-Up 방지 기술 (Latch-Up Prevention Method having Power-Up Sequential Switches for LCD Driver ICs)

  • 최병호;공배선;전영현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권6호
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    • pp.111-118
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    • 2008
  • 액정 구동 IC에서 발생하는 기생 p-n-p-n 회로의 래치업 문제를 개선하기 위해 power-up 순서상에 순차 스위치를 삽입하는 방법을 제안하였다. 제안된 순차 스위치는 2차-승압회로와 3차-승압회로 내에 삽입되며, power-up 순서상에서 해당 승압회로가 동작하기 전에 기생 p-n-p-n 회로의 분리된 에미터-베이스 단자를 순차적으로 연결하게 된다. 제안된 구조의 성능을 검증하기 위해 0.13-um CMOS 공정을 이용하여 테스트 IC를 설계 제작하였다 측정 결과, 기존의 경우 $50^{\circ}C$에서 액정 구동 전압이 VSS로 수렴하면서 과전류를 동반하며 래치업 모드로 진입하였으나, 제안 회로를 삽입한 경우는 고온($100^{\circ}C$)에서도 정상 전류 0.9mA와 정상 액정 구동 전압을 나타내어 래치업이 방지되고 있음을 확인하였다.

Slit Wafer Etching Process for Fine Pitch Probe Unit

  • 한명수;박일몽;한석만;고항주;김효진;신재철;김선훈;윤현우;안윤태
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.277-277
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    • 2011
  • 디스플레이의 기술발전에 의해 대면적 고해상도의 LCD가 제작되어 왔다. 이에 따라 LCD 점등검사를 위한 Probe Unit의 기술 또한 급속도로 발전하고 있다. 고해상도에 따라 TFT LCD pad가 미세피치화 되어가고 있으며, panel의 검사를 위한 Probe 또한 30 um 이하의 초미세피치를 요구하고 있다. 따라서, 초미세 pitch의 LCD panel의 점등검사를 위한 Probe Unit의 개발이 시급하가. 본 연구에서는 30 um 이하의 미세피치의 Probe block을 위한 Slit wafer의 식각 공정 조건을 연구하였다. Si 공정에서 식각율과 식각깊이에 따른 profile angle의 목표를 설정하고, 식각조건에 따라 이 두 값의 변화를 관측하였다. 식각실험으로 Si DRIE 장비를 이용하여, chamber 압력, cycle time, gas flow, Oxygen의 조건에 따라 각각의 단면 및 표면을 SEM 관측을 통해 최적의 식각 조건을 찾고자 하였다. 식각율은 5um/min 이상, profile angle은 $90{\pm}1^{\circ}$의 값을 목표로 하였다. 이 때 최적의 식각조건은 Etching : SF6 400 sccm, 10.4 sec, passivation : C4F8 400 sccm, 4 sec의 조건이었으며, 식각공정의 Coil power는 2,600 W이었다. 이러한 조건의 공정으로 6 inch Si wafer에 공정한 결과 균일한 식각율 및 profile angle 값을 보였으며, oxygen gas를 미량 유입함으로써 식각율이 균일해짐을 알 수 있었다. 결론적으로 최적의 Slit wafer 식각 조건을 확립함으로써 Probe Unit을 위한 Pin 삽입공정 또한 수율 향상이 기대된다.

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