• Title/Summary/Keyword: LB 박막

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Study on Morphology and Current-Voltage (I-V) property of Arachidic acid LB film (Arachidic acid LB 막의 표면 이미지와 I-V 특성 연구)

  • Ryu, Kil-Yong;Lee, Nam-Suk;Park, Sang-Hun;Park, Jae-Chul;Kwon, Young-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.61-62
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    • 2006
  • 본 연구에서는 대표적인 양친매성분자인 Arachidic acid를 이용하여 박막을 제작하였으며, 층수 변화에 따른 표면이미지와 전압-전류 특성을 측정하였다. Arachidic acid 는 포화지방산으로 ($CH_3(CH_2)_{18}$ COOH)의 구조를 가지며, 크기가 $27.5{\AA}$으로 $CH_3(CH_2)_{18}$의 소수기와 COOH의 친수기로 구성되어 있어, Langmuir-Blodgett (LB) Trough을 사용하여 박막제작과 분자제어가 쉽다. Chloroform을 용매로 하여 2 mmol/l의 농도를 조성하여 ${\pi}$-A 등온선을 통해 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태를 관찰하였다. LB 막의 제작 및 평가에서 막의 안정성은 ${\pi}$-A 곡선, AFM(Atomic force microscopy) 등을 통하여 확인하였다. 또한 LB 막을 Metal/유기물 LB막/Metal 구조의 소자로 제작하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

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Generated Electromotive Force of MIM Element for Electrical and Electronics Industrial using LB Insulating Thin Film (LB 절연박막을 사용한 전기전자산업용 MIM소자의 발생기전력)

  • ;;Taro Hino
    • The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.7 no.3
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    • pp.34-40
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    • 1993
  • 전기전자산업에 유기분자집합체에 대한 전자 device적 기능을 갖게 하는 초전막형성 기술의 하나로서 LB막이 이용되게 된다. 10여년전에 만들어 대기중에 방치되었던 Langmuir Blodgett(LB) 초전막 시료에 대해서 MIM구조소자에 전하가 발생하는 특성을 검토하였다.그 결과 LB막이 무극성일 때는 상하부전극을 동일 금속으로 하면 전압이 발생하지 않고, 서로 다른 금속전극으로 할 때는 전압이 발생하였는데 양전극금속의 일함수값의 차가 클수록 발생전압이 높았고 LB막이 유극성일때는 동일 전극이라도 전압이 발생하였다.따라서 LB초전막의 MIM 소자에서 발생하는 전하는 단순한 화학작용에 의한 것이 아니고양전극 금속의 일함수와 극성에 관계가 있다고 생각된다.

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Fabrication and Properties of OLEDs using PECCP Langmuir-Blodgett(LB) Films (PECCP LB 박막을 이용한 유기 발광 타이모드의 제작과 이의 특성)

  • Lee, Ho-Sik;Lee, Won-Jae;Park, Myung-Gyu;Songe, Min-Jeng;Park, Jong-Wook
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2000.07a
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    • pp.831-834
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    • 2000
  • Characteristics of organic light-emitting diodes(OLEDs) were studied with devices made by PECCP[poly(3,6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] Langmuir-Blodget(LB) films. The emissive organic material was synthesized and named PECCP, which has a strong electron donor group and an electron accepter group in main chain repeated unit. The LB technique was employed to investigate the identification of the recombination zone in the ITO/PECCP LB films/Alq$_3$/Al structure by varying the LB film thickness. PECCP was considered as an emissive layer and Alq$_3$was used as an electron-transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum, and EL spectrum of those devises.

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Analysis of Anisotropical Electrical Conduction Properties of Maleate System LB Ultra-thin Films (말레에이트계 LB초박막의 이방성 전기전도 특성의 해석)

  • Choe, Yong-Seong;Kim, Do-Gyun;Yu, Seung-Yeop;Gwon, Yeong-Su
    • The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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    • v.49 no.1
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    • pp.13-18
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    • 2000
  • We have fabricated LB ultra-thin films of maleate system by LB technique and evaluated the deposited status of LB ultra-thin films by I-V characteristics such as capacitance. It was found that the thickness of LB ultra-thin per layer is $27~30[{\AA}]$ by XRD. And, we have known that the conductivity along the horizontal direction of LB ultra-thin films was about $10^{-8}[S/cm]$, it corresponds to the semiconducting materials. Also, the I-V characteristics along the vertical direction of LB ultra-thin films was dominated by Schottky type current, the activation energy obtained by current-temperature characteristics was about 0.84[eV] and the conductivity was about $10^{-14}[S/cm]$, it corresponds to the insulator. And, the anisotropic conduction mechanism of the LB ultra-thin films in vertical direction and horizontal direction is determined by the hydrophilic group and the hydrophobic group in LB ultra-thin films. The above results are applicable to the semiconductor devices such as switching device, which function at the molecular level.

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Photo-electric conversion technique in ultra-thin organic films (유기 초박막의 광전변환 기술)

  • 김정수
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.5 no.4
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    • pp.361-373
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    • 1992
  • 이온이나 플라즈마를 사용해서 박막형성이나 MBE진공증착법에 비해서 분자배열이나 고차구조의 제어 및 그의 다양성에 있어서 LB법에 대한 기대가 크다. 특히 습식법인 점에서 생체기능을 짜넣을 수 있는 분자소자의 개발에는 불가능하다. 역으로 생체분자의 자기조직화나 정보전달기능을 분자 Level로 이해하는 점에서도 LB법은 중요하다고 본다. 또 저차원자성체 전도체 여기자등 물리량에 의한 차원성을 고찰하는 점에서도 LB막의 거동이 주목되고 있다. 또 자발분극된 강유전성의 고분자 즉 Poly등의 박막에 광조사를 하면 광생성된 캐리어가 내부전계에 따라서 이동하고 ~$10^{4}$V 정도의 높은 광기전력을 발생시키는 것도 나타났다. 얻어진 전류는 단지 초전효과를 상회하고 광전류라고 할 수 있다. 쇼트키형 소자의 금속-반도체의 절연막층을 MIS형이라고 하며 특성이 향상된다. SnO$_{2}$/NiPc/Polyethylene막/Al형 광전지가 만들어졌다. 광전변환막이 다양한 목적에 사용되리라 사료되며 지금은 초기 연구단계이나 실용화하는데는 많은 시간이 소요되나 간단한 디바이스 등과 같은 것은 제작이 가능할 것이며 광에너지로 힌한 화학, 전기, 역학 에너지로 변환되는 데는 시간 문제인것 같다. 1년간 일본 동경공업대학 생명이공학부에서 연구한 내용을 정리하여 보았으며 이에 협조하여 주신 문교부 학술진흥재단에 감사드리며 또 등평연구실에 감사드린다.

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Capacitance properties of DLPC LB films with MLS structure fabricated by moving wall type method (Moving wall형 LB법으로 제작된 MLS DLPC LB 박막의 제작과 캐패시턴스 특성)

  • Lee, Woo-Sun;Chung, Yong-Ho;Son, Kyeong-Choon
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1998.07d
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    • pp.1297-1299
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    • 1998
  • LB layers of L-$\alpha$-DLPC deposited by LB method were deposited onto n-type silicon wafer as Z-type film. Films made up of 8, 16 layers of lipid with long alkyl chain and the thickness of monolayer and multilayers was determined by ellipsometry. It was deposited Ag and Al onto LB layers and silicon wafer for electrode and small electrode exhibit high capacitance and low leakage current. The C-V curves of the MLS capacitor shows very high saturation value of capacitance. And cross-sectional SEM image of MLS capacitor indicated the presence of pore with Al electrode and we found that the Ag is good for electrode metal.

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Structural Properties of P(VDF-TrFE) LB Films (P(VDF-TrFE) LB박막의 구조특성)

  • Kwak, Eun-Hwi;Lee, Jin-Ho;Jung, Chi-Sup
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.22 no.8
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    • pp.698-703
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    • 2009
  • We report the studies on the structrural properties of Langmuir Blodgett (LB) films fabricated from the copolymer of vinylidenefluoride (VDF) with trifluoroethylene(TrFE). The formation of nanomesas induced by thermal annealing at $135\;^{\circ}C$ for 1 hour was investigated with the atomic force microscope (AFM) and the X-ray diffractometer (XRD). From the result of surface morphology change in 30 monolayer LB film, we find that the annealing treatment on the P(VDF-TrFE) LB film result in the plastic deformation of crystalline polymer. The ${\beta}$ phase crytalline structure in annealed LB film was clearly confirmed from the XRD peak at $19.7^{\circ}$.

Conduction mechanism and fabrication properties of OLEDs using PECCP LB films (PECCP LB 박막을 이용한 유기 전기 발광 소자의 제작과 전도 기구 특성)

  • Lee, Ho-Sik;Shin, Hoon-Kyu;Kwon, Young-Soo;Lee, Won-Jae;Lee, Sung-Il;Park, Jong-Wook;Kim, Tae-Wan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1090-1093
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    • 2003
  • 최근에 각광을 받고 있는 전기 발광 소자를 Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용하여 제작하였다. 사용 시료는 본 연구팀에서 합성을 하였으며, 시료는 PECCP[poly(3,6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)]이며, 이 물질은 반복되는 주쇄에서 강한 전자 주게 그룹과 강한 전자 받게 그룹을 가지고 있다. PECCP 발광층을 제작하는데는 Langmuir-Blodgett(LB)법을 사용하였으며, 누적 층수에 의해 금속/고분자 계면의 특성을 조사하였다. 소자의 구조는 ITO/PECCP LB/Al과 ITO/PECCP LB/$Alq_3$/Al이며, ITO와 $Alq_3$ 사이에 발광층으로써 PECCP LB막을 도입하였다. 여기서 $Alq_3$는 전자 전달 층으로 사용되었다. PECCP LB막의 UV/visible 흡수 피크는 약 410mm에서, PL 피크는 약 536mm에서, 그리고 EL 피크도 역시 약 536nm에서 관찰되었다. 또한 $Alq_3$를 도입한 구조에서의 EL 피크 측정 결과 다양한 발광피크가 관측되었으며, Fowler-Nordheim 분석법을 이용하여 금속의 유기 막에 대한 일함수 값을 계산하였으며, 금속의 유기 막에 대한 일함수 값은 $0.18{\sim}0.26eV$이 계산되었다.

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Gas Response and Electrical Properties of Organic Ultra-thin Films (유기 박막의 전기적 특성 및 가스 반응 특성)

  • 박재철
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.11 no.10
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    • pp.820-825
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    • 1998
  • We deposited stearic acid LB films by using Langmuir-Blodgett (LB)method and investigated anisotropy electrical conduction characteristics by I-V measurement for horizontal direction and vertical direction. Also, we measured gad response between deposited LB films and organic gas for various temperature(0~8$0^{\circ}C$) by 9MHz At-cut quartz crystal microbalance. The LB films have electrical conduction characteristics such as semiconducting and insulating properties. The is, the conductivity of LB films for the horizontal and vertical direction is about 10\ulcornerS/cm and 10\ulcorners/cm, respectively. the frequency shift of stearic acid LB films for the organic gases depended on the mass change by the surface adsorption and the inner penetration to the sensing films. The resonant frequency shift of the quartz crystal microbalance for temperature properties of LB films is thought to the effect of the rearrangement or the damage pf LB films above the melting point and the mobility increasement of the organic gas by the temperature rising.

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J-aggregation Property of Merocyanine Dye LB Thin Film by UV Irradiation (UV 조사에 의한 메로시아닌 색소 LB박막의 J-aggregation 특성)

  • Yang, Chang-Heon;Lee, Ji-Yoon;Kwon, Young-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.04c
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    • pp.123-124
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    • 2008
  • We investigate characteristics of J-aggregation as take advantage of LB technic. In order to confirm the applications possible for the molecular electronic device, the morphological properties of merocyanine dye were investigated by AFM. $\pi$-A curves investigated the surface pressure of the LB film from a liquid to a solid state ranged between 90 and 100 mN/m. We observed aggregation and it's characteristics by using visible reflection spectroscopy. This paper focuses on results obtained in mercocyanide dye. When LB films of merocyanine dye are mixed with arachidic acid, J-aggregate formation is exhibited. J-aggregate formation has been serving as typical systems in revealing the physical and structural aspects of nano-sized molecular aggregates constructed as muiltilayers.

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