• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2012년도 추계학술발표대회
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• pp.1209-1211
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• 2012

최근 들어 모바일 단말기의 보급이 확대되면서 스마트 워크, NFC, USN등 사회 전반적으로 많은 분야에서 활용도가 높아지고 있다. 이에 본 논문에서는 모바일 단말기를 활용하여 농가에서 시설 원예작물의 생장 및 생산량을 예측하고 데이터를 관리하기 위한 연구를 진행하여 농가에서의 모바일 단말기 활용을 돕고 시설 원예작물의 재배에 도움이 되고자 한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2012년도 추계학술발표대회
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• pp.1212-1214
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• 2012

생장예측모델이란 작물의 생장 시스템 내에서 일어나는 기작이나 생산과정을 수식으로 묘사하는 것이다. 신뢰성 있는 생장예측모델을 만들기 위해서는 생장과 관련된 대량의 데이터가 필요하다. 본 논문에서는 IT와 농업을 융합한 시설 원예작물 생장예측모델을 위한 생장 및 생장환경 데이터 수집 시스템 설계사례를 소개하고자 한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.580-582
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• 2011

최근 들어 네트워크 카메라는 플랫폼 독립적인 서비스 제공을 위해 웹서비스를 기반으로 확장 가능한 공통인터페이스를 정의하고, 이를 지원하는 제품을 개발하고 있는 추세이다. 본 논문은 웹서비스 기반의 네트워크 카메라의 관리 및 응용 인터페이스 구축 사례에 관한 것으로 이를 통해 다수의 네트워크 카메라 관리 및 응용 시스템과의 인터페이스를 담당 하는 미들웨어를 구축 및 개발에 도움을 주고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.539-542
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• 2004

The $ZnGa_2O_4$ phosphor target is synthesized through solid-state reactions at the calcine temperature of $700^{\circ}C$ and sintering temperature of $1300^{\circ}C$ in order to deposit $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film by rf magnetron sputtering system. The $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is deposited on Si(100) substrate and prepared $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is annealed by rapid thermal processor(RTP) at $700^{\circ}C$, 15sec. The x-ray diffraction patterns of $ZnGa_2O_4$ phosphor target and thin film show the position of (311) main peak. The cathodoluminescenre(CL) spectrums of $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film show main peak of 420nm and maximum intensity at the substrate temperature of $500^{\circ}C$ and annealing temperature of $700^{\circ}C$ 15sec.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1264-1267
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• 1998

$Cu(In_xGa_{1-x})Se_2$ thin films were prepared and characterized with various Ga contents. As the Ga content increased, the grain size of CIGS film became smaller. The 2 $\theta$ values in XRD patterns were shifted to larger values and the overlapped peaks were splitted. The energy bandgap increased from 1.04 to 1.67 eV and the resistivity decreased. The solar cell fabricated with ZnO/CdS/$Cu(In_{0.7}Ga_{0.3})Se_2/Mo$ structure yielded an efficeincy of 14.48% with an acitive area of 0.18 $cm^2$. The efficiency decreased with further increase of Ga content.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.85-90
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• 2002

$RuO_2$/GaN and related contacts were investigated for Schottky contacts in GaN-Based optical and electronic devices. We demonstrated that an $RuO_2$ film forms a stable Schottky contact on a GaN layer with a barrier height (${\Phi}_B$) of 1.46 eV and transmittance of 70% in the visible and near UV region. $RuO_2$/GaN Schottky diode showed a breakdown at over -50V and leakage current of only 0.3 nA at -5V. The $RuO_2$/GaN Schottky type photodetector had the UV/Visible rejection ratio of over $10^5$ and the responsivity of 0.23 A/W at 330 nm. The $RuO_2$ gate AlGaN/GaN EFET exhibited high drain current ($I_d$) of 689.3 mA/mm and high transconductance ($g_m$) of 197.4 mS/mm. Cut-Off frequency ($f_t$) and maximum operating frequency ($f_{max}$) were measured as 27.0 GHz and 45.5 GHz, respectively.

• 한국약용작물학회지
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• 제9권3호
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• pp.198-204
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• 2001

자소엽의 연중생산에 필요한 파종전처리 기술을 확립하기 위하여, 자소종자의 $GA_3$ 처리시 적정 처리농도, 침지시간 및 고온발아에 미치는 영향을 조사하였고, 만기파종시 포장에서 $GA_3$ 처리, 복토깊이 및 왕겨피복 등이 출아에 미치는 상호작용을 비교하였다. $GA_3$ 처리농도에 따른 발아특성은 100 ppm에서 가장 좋았으며, 100 ppm $GA_3$ 처리시 종자의 침지시간에 따른 발아특성은 12시간 이상에서는 유의한 차이가 없었다. 발아온도에 따른 100 ppm $GA_3$ 처리효과는 온도가 높을수록 발아속도와 발아일수가 빨라졌으며, 11일째에는 발아온도에 관계없이 95%이상의 높은 발아율을 보였으나, 무처리구는 $20^{\circ}C$ 이상 온도가 높을수록 발아율이 낮았다. 만기파종시 출아율은 파종시기에 관계없이 100 ppm $GA_3$용액에 침지파종후 5 mm의 복토와 10 mm 왕겨피복구에서 가장 높았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1459-1461
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• 1996

The optical and electrical properties of High Power AlGaAs/AlGaAs Infrared LED with DDH( Double power Double Hetero Junction) structure are investigated. The high power LED is recently studied in order to apply to high speed communication devices. The power out of AlGaAs/AlGaAs with DDH structure is 13.0[mW], the forward voltage is 1.45[V], and the average decrease rate of power out is about 5[%] after aging test. The optical and electrical properties of DDH structure LED are superior than that of SH structured LED. The DDH structured LED is suitable to the high speed communication devices.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제36권2호
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• pp.69-74
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• 2019

Spacecraft requires sufficient power in orbit to perform its mission. So as to comply with system requirements, the sufficient power should be made by a solar cell array by photovoltaic power conversion. A life time of space program depends on its mission considering parts reliability and parts grade. Based on the mission life time, power equipment might be designed to meet specifications. In outer space, solar cell array might generate the dc power by photovoltaic conversion effects and GaInP/GaAs/Ge solar cells are used in this study. Space programs that require more than five years should select parts for high reliability applications. Therefore, reliability analysis for high reliability applications should be performed to check its fulfilment of the requirements. This program should also require more five years for its mission and we performed its analysis using parts count method (PCM) for its reliability. Finally, we performed reliability analysis and obtained quantitative figures found out 99.9%. In this study, we presented the reliability analysis of the 300 W GaInP/GaAs/Ge solar cell array.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.1022-1025
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• 2002

This paper presents the reliability of planar InP/InGaAs avalanche photodiodes (APD's) with recess etching, which is very crucial for the commercial 10-Gb/s optical receiver application. A versatile design for the planar InP/InGaAs APD's and bias-temperature tests to evaluate long-term reliability at temperature from 200 to $250^{\circ}C$. The reliability is examined by accelerated life tests by monitoring dark current and breakdown voltage. The lifetime of the APD's is estimated by a degradation activation energy. Based on the test results, it is concluded that the planar InP/InGaAs APD's with recess etching shows the sufficient reliability for practical 10-Gb/s optical receivers.