• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2007년도 추계학술대회 및 제23회 정기총회
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• pp.230-232
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• 2007

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권3호
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• pp.175-181
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• 2006

Wide band-gap semiconductor electron devices have made great progresses to produce very high power amplifiers for various wireless standards. The advantages of wide band-gap electronic devices and their progresses are summarized in this paper.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2005년도 추계학술연구발표회 및 정기총회
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• pp.26-26
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• 2005

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.110.2-110
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• 1998

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2008년도 Asian Magnetics Conference
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• pp.62.2-62.2
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• 2008

• 한국작물학회지
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• 제30권4호
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• pp.471-480
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• 1985

수도품종의 GA$_3$에 대한 절간신장반응을 지베렐린 생합성 저해제인 Paclobutrazol과 관련시켜 평가하여 효과적으로 벼의 절간신장을 조절하고자 본 실험을 수행하였다. 진흥, 미네히까리, 한강찰벼를 공시하여 생육시기별(최고분얼기, 유수형성기 및 감수분열기)로 GA$_3$는 0, 20, 50, 100ppm 용액을 엽면살포하였고, Paclobutrazol은 10a당 성분량으로 0, 10, 20, 30 g을 각각 토양에 처리하여 얻은 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. GA$_3$는 최고분얼기와 유수형성기에 처리하였을때, 제 5절간 이하의 신장을 촉진하였으며, 감수분열기에 처리하였을 때는 제 3절간의 신장을 현저히 촉진하였다. 2. GA$_3$는 100ppm 용액을 처리하였을 때 진흥에서는 최고분얼기에, 미네히까리는 유수형성기에, 한강찰은 감수분열기에 처리하였을 때 간장은 대조구에 비해 각각 15.6, 15.9, 44.1%로 신장이 촉진되었으며, 한강찰이 GA$_3$에 가장 민감하게 반응하였다. 3. Paclobutrazol은 최고분얼기와 유수형성기에 처리하였을 때 제4, 5절간의 신장을 억제하였으며, 감수분열기에 처리하였을 때는 제 2,3절간, 특히 제 3절간의 신장을 현저히 억제하였다. 4. Paclobutrazol은 처리농도가 증가함에 따라 간의 신장이 억제되었으며, 감수분열기에 처리할 때 가장 억제되어, 대조구에 비해 진흥은 25.3%, 미네히까리는 22.8%, 한강찰은 13.9%정도 간장이 단축되었고, 한강찰이 Paclobutrazol에 가장 둔감한 반응을 나타냈다. 5. Paclobutragol은 주내 모든 이삭들의 간장을 고르게 감소시켜 주내 간장의 변이는 대조구와 거의 차이가 없었다. 6. 감수분열기에 GA$_3$를 처리하면 세 품종 모두에서 다소 수장이 길어지나, GA$_3$를 100ppm의 고농도로 감수분열기 이전에 처리하면 진흥과 미네히까리 품종에서만 수장이 짧아졌다. 7. Paclobutrazol을 유수분화기 이후에 처리하면 수장은 처리농도가 증가함에 따라 짧아지는 경향이었다. 8. GA$_3$나 Paclobutrazol을 처리하였을 때 간장과 수장과의 상관관계는 Paclobutrazol을 진흥과 미네히까리에 처리한 경우에만 고도의 정의 상관관계를 인정할 수 있었다. 9. 수당 영화수는 GA$_3$를 최고분얼기에 처리한 경우, 진흥과 미네히까리에서만 감소되었으나 한강찰에서는 차이가 없었다. Paclobutrazol 처리에 의해서는 최고분얼기나 유수분화기에 처리하면 수당 영화수가 감소하였으나 감수분열기에 처리하면 수당 영화수가 변하지 않았다.

• 생물환경조절학회지
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• 제23권2호
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• pp.77-82
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• 2014

개량머루의 과립 크기와 생산량을 증가시키기 위한 $GA_3$와 TDZ 처리의 효과와 적정 처리 농도를 구명하기 위하여 본 실험을 수행하였다. $GA_3$ 처리는 모든 처리구에서 모두 과립 비대 효과를 보였으며 100과 $200mg{\cdot}L^{-1}$ 처리구의 과립이 가장 컸다. 또한 $GA_3$ 처리구는 착립수가 증가하여 과방중이 크게 생산되었으나 당도 및 산도에 전혀 차이가 없었다. $200mg{\cdot}L^{-1}$ 처리구에서 과피 오염 및 탈립과 같은 약해가 발생되었다. $GA_3$와 TDZ 혼용 처리에서는 $GA_3$ 혹은 TDZ의 농도가 높은 처리구의 과립이 크기는 크지만 과실의 성숙이 지연되어 당도가 낮고 산도가 높은 과실이 수확되었다. $GA_3$와 TDZ를 처리했을 때 과피 조직은 세포층수에는 변화 없이 유관속 조직까지의 길이가 증가하였다. 따라서 개량머루의 $GA_3$ 와 TDZ처리는 세포 분열에는 영향 없이 세포 크기가 증가됨으로 인해 과립 크기가 증가하였다. 개량머루는 착립이 결정되는 시기가 짧기 때문에 착립 직후 2~3회에 나누어 처리해야 착립률을 향상시킬 수 있었다. 개량머루의 과립 비대와 착립률을 향상시키기 위해서는 $GA_3$ $100mg{\cdot}L^{-1}$ 이하의 단독 처리 혹은 $GA_3$ 50+TDZ $1.25mg{\cdot}L^{-1}$의 혼용 처리가 적합할 것으로 판단되었고 TDZ 처리에 의해 과실의 성숙이 지연되므로 성숙과를 수확하도록 주의해야 할 것으로 생각된다.

• 태양에너지
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• 제20권2호
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• pp.43-54
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• 2000

동시 진공증발법을 이용하여 coming glass, soda-lime glass, Mo가 증착된 soda-lime glass 위에 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막을 증착하였다. Soda-lime glass 위에서 제조된 $Cu(In_{0.5}Ga_{0.5})Se_2$ 박막의 전기비저항값과 정공농도는Cu/(In+Ga)비에 큰 영향을 받지 않았다. Soda-lime glass위에서의 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막내부와 표면에는 Na이 검출되었고, 표면의 Na는 산소와 결합하고 있었으며, Cu가 부족한 조성에서 이차상이 형성되었다. Ga/(In+Ga)비가 증가할수록 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막은 회절 peak들의 큰 회절각으로 이동, 초격자 peak등의 분리, 결정립 크기의 감소가 관찰되었다. $Cu_{0.91}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막은 Ga/(In+Ga)비에 무관하게 전기적으로 p-type을 나타내었다. Ag/n-ZnO /i-Zno/CdS/$Cu_{0.91}(In_{0.7}Ga_{0.3})Se_2$/Mo/glass구조의 태양전지를 제조하였으며, 태양전지변환효율(Eff.) = 14.48%, 단락전류밀도(Jsc) = $34.88mA/cm^2$, 개방전압(Voc) =581.5 mV, 충실도(F.F) = 0.714을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.138-139
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• 2006

Metal organic chemical vapor deposition has been investigated for growth of $Sb_{2-x}Bi_xTe_3$ films on (001) GaAs substrates using diisopropyltelluride, triethylantimony and trimethylbismuth as metal organic sources. The thermoelectric properties were measured at room temperature and include Seebeck coefficient, electrical conductivity and Hall effect. In-plane carrier concentration and electrical Hall mobility were highly dependent on precursor's composition ratio and deposition temperature. The thermoelectric Power factor($={\alpha}^2{\sigma}$) was calculated from theses properties. The best Power factor was $2.6\;{\times}\;10^{-3}W/mK^2$, given by grown $Sb_{1.6}Bi_{0.4}Te_3$ at $450^{\circ}C$. These materials could potentially be incorporated into advanced thermoelectric unicouples for a variety of power generation applications.

• 원예과학기술지
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• 제29권6호
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• pp.555-560
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• 2011

$GA_3$에 의한 화아수 증진효과는 산호수 1년생, 생장조절제의 종류 및 농도에 따른 착과, 비대 및 착색 증진효과는 산호수 2년생을 사용하여 본 실험을 수행하였다. 그 결과, 화아수는 $400mg{\cdot}L^{-1}$ 처리구에서 가장 많았으며, 이는 대조구보다 약 1.8배 많이 형성되었다. 착과율 증진을 위해 산호수 만개시기에 생장조절제를 처리한 결과, $GA_3$와 auxin처리구의 착과율이 증진되었으며, 이 중 $GA_3$가 더 효과적이었다. $GA_3$에 의한 착과율은 0.5와 $1.0mg{\cdot}L^{-1}$ 처리시 각각 약 70%와 77%로 대조구보다 약 1.8배 증가되었다. 또한 Auxin 중 Dichloprop triethanol amine도 약 7-12%가 향상되었지만, cytokinin과 anti-GA는 효과가 없었다. $GA_3$에 의한 산호수 열매 비대효과를 알아보기 위해 만개 2달 후 열매 지름이 약 2-3mm되었을 때 0.3, 0.6, $1.2mg{\cdot}L^{-1}$를 1달 간격으로 3회 처리한 결과, $0.6mg{\cdot}L^{-1}$에서 약 15% 향상되었다. 그러나, 과피의 안토시아닌 측정에 의한 착색정도는 $GA_3$ 처리농도에 따라 유의한 차이가 없었다. 즉, 산호수에 있어서 $GA_3$는 화아수, 착과, 열매 비대를 증진시키는데 효과적인 것으로 나타났다.