Kim, Bo Gyeong;Kwon, Ra Hee;Seo, Jae Hwa;Yoon, Young Jun;Jang, Young In;Cho, Min Su;Lee, Jung-Hee;Cho, Seongjae;Kang, In Man
Journal of Electrical Engineering and Technology
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v.12
no.6
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pp.2324-2332
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2017
This paper presents the electrical performances of novel AlGaSb/InGaAs heterojunction-based vertical-tunneling field-effect transistor (VTFET). The device performance was investigated in views of the on-state current ($I_{on}$), drain-induced barrier thinning (DIBT), and subthreshold swing (SS) as the gate length ($L_G$) was scaled down. The proposed TFET with a $L_G$ of 5 nm operated with an $I_{on}$ of $1.3mA/{\mu}m$, a DIBT of 40 mV/V, and an SS of 23 mV/dec at a drain voltage ($V_{DS}$) of 0.23 V. The proposed TFET provided approximately 25 times lower DIBT and 12 times smaller SS compared with the conventional $L_G$ of 5 nm TFET. The AlGaSb/InGaAs VTFET showed extremely high scalability and strong immunity against short-channel effects.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.2
no.2
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pp.93-101
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2002
We have proposed and fabricated two lateral type field emission diodes, poly-Si emitter by utilizing the local oxidation of silicon (LOCOS) and GaN emitter using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. The fabricated poly-Si diode exhibited excellent electrical characteristics such as a very low turn-on voltage of 2 V and a high emission current of $300{\;}\bu\textrm{A}/tip$ at the anode-to-cathode voltage of 25 V. These superior field emission characteristics was speculated as a result of strong surface modification inducing a quasi-negative electron affinity and the increase of emitting sites due to local sharp protrusions by an appropriate activation treatment. In respect, two kinds of procedures were proposed for the fabrication of the lateral type GaN emitter: a selective etching method with electron cyclotron resonance-reactive ion etching (ECR-RIE) or a simple selective growth by utilizing $Si_3N_4$ film as a masking layer. The fabricated device using the ECR-RIE exhibited electrical characteristics such as a turn-on voltage of 35 V for $7\bu\textrm{m}$ gap and an emission current of~580 nA/l0tips at anode-to-cathode voltage of 100 V. These new field emission characteristics of GaN tips are believed to be due to a low electron affinity as well as the shorter inter-electrode distance. Compared to lateral type GaN field emission diode using ECR-RIE, re-grown GaN emitters shows sharper shape tips and shorter inter-electrode distance.
Kim, Joonki;Lee, Hye-Jung;Nogoy, Franz Marielle;Yu, Dal-A;Kim, Me-Sun;Kang, Kwon-Kyoo;Nou, Illsup;Cho, Yong-Gu
Journal of Plant Biotechnology
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v.43
no.3
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pp.332-340
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2016
Seed size traits are controlled by multiple genes in crops and determine grain yield, quality and appearance. However, the molecular mechanisms controlling the size of plant seeds remain unclear. We performed functional analysis of BrPATL4 encoding Sec14-like protein to determine the genetic architecture of seed size, shape and their association analyses. We used 60 $T_3$ transgenic rice lines to evaluate seed length, seed width and seed height as seed size traits, and the ratios of these values as seed shape traits. Pleiotropic effects on general architecture included small seed size, erect panicles, decreased grain weight, reduced plant height and increased sterility, which are common to other mutants deficient in gibberellic acid (GA) biosynthesis. To test whether BrPATL4 overexpression is deleterious for GA signal transduction, we compared the relative expression of GA related gene and the growth rate of second leaf sheath supplied with exogenous $GA_3$. Overexpression of BrPATL4 did not affect GA biosynthesis or signaling pathway, with the same response shown under GA treatment compared to the wild type. However, the causal genes for the small seed phenotype (D1, SRS1, and SRS5) and the erection of panicles showed significantly decreased levels in mRNA accumulation compared to the wild type. These results suggest that the overexpression of BrPATL4 can control seed size through the suppression of those genes related to seed size regulation. Although the molecular function of BrPATL4 is not clear for small seed and erect panicles of BrPALT4 overexpression line, this study provides some clues about the genetic engineering of rice seed architecture.
Park, Jung Won;Won, Chang Min;Kwon, Jun Beom;Lee, Hyukjae
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.6
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pp.220-225
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2020
Gallium oxide nano-powder, the key starting material for IGZO target, is fabricated by gas phase synthesis using a new apparatus consist of reaction, transportation, and collection parts. As a result of gallium metal evaporation above 1150℃, Ga2O3 nano-powders, are successfully synthesized. The SEM images of the synthesized powders displace the spherical shaped powders without severe agglomeration. X-ray diffraction and PSA analysis show that the higher temperature at the reaction part results in the better crystallinity and larger powder size of the synthesized Ga2O3. To see the applicability to IGZO target, Ga2O3 nano-powders synthesized at 1250℃ are mixed with indium oxide and zinc oxide (In2O3 : Ga2O3 : ZnO = 1 : 1 : 1), and then sintered at 1400~1500℃. The highest sintered density of 5.83 g/㎤ (= 91 % of relative density) is achieved when sintered at 1450℃, showing better sinterability compared to the commercially available Ga2O3 powder, which has 5.61 g/㎤ of sintered density at the same condition.
Yun, Seok Kyu;Bae, Haejin;Yoon, Ik Koo;Nam, Eun Young;Kwon, Jung Hyun;Jun, Ji Hae;Chung, Kyeong Ho
Journal of Bio-Environment Control
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v.22
no.4
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pp.309-315
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2013
Fruit drop is a serious problem in plum trees during fruit development after pollination and fertilization. In order to increase fruit yields, physiological fruit drop in plum trees at the early stages of fruit development must be reduced. In this study, the effect of gibberellic acid paste (GA paste 2.7%) applied on 'Formosa' plum was determined to reduce fruit drop. GA paste was applied one time on one set of the fruit stalk at 3 days after full bloom (DAFB), and on another set of the fruit stalk at 13 DAFB, and then the fruit-set rate was observed at 70 DAFB. GA paste application increased the fruit-set rate up to 61%. In 'Formosa', the time of GA application had a strong influence on reducing fruit drop. GA application increased the fruit-set rate up to 61% in treatments at 3 DAFB, and to 15% in treatments at 13 DAFB when the fruit-set rate was 5% in the control group. The same results were observed in 'Honey Red' and 'Akihime' plums. GA application impacted on fruit enlargement in the 'Formosa' cultivar, compared with the control trees, which had no GA application. The rate of fruit enlargement with GA application was similar to that of the control fruits until 70 DAFB, whereas the enlargement rate was slightly higher in the GAtreated trees than the control from 70 DAFB until harvest. In GA-treated fruit, fruit weight increased more than in the control, while total acidity and firmness was lower than in the control group. Additionally, GA application accelerated sucrose increase in maturing fruit. Our data indicated that GA paste application can reduce fruit drop, and subtly promote fruit enlargement and maturation in plum trees.
This experiment was conducted to find the effects of a $GA_3$ and thidiazuron (TDZ) on seedless rate, harvest time, fruit cracking and fruit quality in 'Kyoho' grapes over two years from 2008 to 2009. In 2008, fruit clusters were dip treated with $GA_3$$25.0mg{\cdot}L^{-1}$ twice at full bloom (FB) and 14 days after full bloom (DAFB) in a combination with TDZ 0 or $2.5mg{\cdot}L^{-1}$. Berry seedless rate and berry enlargement were slightly improved only when TDZ was added to the second $GA_3$ treatment at 14 DAFB, compared to $GA_3$ + TDZ treatments at both FB and 14 DAFB. However, berry cracking rate was significantly increased by any plant growth regulator (PGR) treatments compared to non treatment. In 2009, $GA_3$ at $12.5mg{\cdot}L^{-1}$ and $25.0mg{\cdot}L^{-1}$ was dip treated twice at FB and 14 DAFB while TDZ $2.5mg{\cdot}L^{-1}$ was treated only at 14 DAFB. Berry cracking rate was depended on the concentration of $GA_3$ applied. The higher concentration at $25.0mg{\cdot}L^{-1}$ significantly increased berry cracking rate while the lower concentration at $12.5mg{\cdot}L^{-1}$ had no effect. Also, the addition of TDZ to $GA_3$$25.0mg{\cdot}L^{-1}$ at 14 DAFB, substantially decreased the cracking rate to the level of untreated control. Although all PGR treatments advanced fruit maturity, the most significant advance occurred when TDZ was added to $GA_3$$12.5mg{\cdot}L^{-1}$ only at the second dip. Considering the overall aspects related to fruit maturity and quality, we concluded that the double applications of $12.5mg{\cdot}L^{-1}$$GA_3$ at FB and 14 DAFB with addition of $2.5mg{\cdot}L^{-1}$ TDZ only at 14 DAFB was appropriate to produce about 400-500 g size of seedless 'Kyoho' grape cluster having 35-40 berries.
The femoral nerve innervates the quadriceps muscles and its dermatome supplies anteromedial thigh and medial foot. Paralysis of the quadriceps muscles due to the injury of the femoral nerve results in disability of the knee joint extension and loss of sensory of the thigh. A child could walk independently even though he had injured his femoral nerve severely due to the penetrating wound in the medial thigh. We measured and analyzed his gait performance in order to find the mechanisms that enabled him to walk independently. The child was eleven-year-old boy and he could not extend his knee voluntarily at all during a month after the injury. His gait analysis was performed five times (GA1~GA5) for sixteen months. His temporal-spatial parameters were not significantly different after the GA2 or GA3 test, and significant asymmetry was not observed except the single support time in GA1 results. The Lower limb joint angles in affected side had large differences in GA1 compared with the normal normative patterns. There were little knee joint flexion and extension motion during the stance phase in GA1 The maximum ankle plantar/dorsi flexion angles and the maximum knee extension angles were different from the normal values in the sound side. Asymmetries of the joint angles were analyzed by using the peak values. Significant asymmetries were found in GA1with seven parameters (ankle: peak planter flexion angle in stance phase, range of motion; ROM, knee: peak flexion angles during both stance and swing phase, ROM, hip: peak extension angle, ROM) while only two parameters (maximum hip extension angle and ROM of hip joint) had significant differences in GA5. The mid-stance valleys were not observed in both right and left sides of vertical ground reaction force (GRF) in the GA1, GA2. The loading response peak was far larger than the terminal stance peak of vertical ground reaction curve in the affected side of the GA3, GA4, GA5. The measured joint moment curves of the GA1, GA2, GA3 had large deviations and all of kinetic results had differences with the normal patterns. EMG signals described an absence of the rectus femoris muscle activity in the GA1 and GA2 (affected side). The EMG signals were detected in the GA3 and GA4 but their patterns were not normal yet, then their normal patterns were detected in the GA5. Through these following gait analysis of a child who had selective injuries on the knee extensor muscles, we could verify the actual functions of the knee extensor muscles during gait, and we also could observe his recovery and asymmetry with quantitative data during his rehabilitation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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