Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.490-493
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2002
Phase intergrowth some kinds of the Bi$_2$Sr$_2$Ca$\_$n-1/Cu$\_$n/O$\_$y/ phases is observed in the thin film fabrication at ultralow co-deposition with multi targets by means of ion beam sputtering. The molar fraction of the Bi2212 phase in the mixed crystal of the grown films is investigated as a function of the applied ozone pressure and the substrate temperature. The activation energy for the phase transformation from the Bi2201 to the Bi2212 is estimated in terms of the Avrami equation. This study reveals that the formation of a liquid phase contributes significantly to the construction of the Bi2212 phase in the thin films, differing from the bulk synthesis.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.183-183
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2014
Recently, multiferroic materials gain much attention due to their fascinating fundamental physical properties. These materials offer wide range of potential applications such as data storage, spintronic devices and sensors, where both electronic and magnetic polarizations can be coupled. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3$ is typical because of the room-temperature magnetoelectric coupling in view of long-range magnetic- and ferroelectric-ordering temperatures. However, $BiFeO_3$ is well known to have large leakage current and small spontaneous polarization due to the existence of oxygen vacancies and other defects. Furthermore the magnetic moment of pure $BiFeO_3$ is very weak owing to its antiferromagnetic nature. Recently, various attempts have been performed to improve the multiferroic properties of $BiFeO_3$ through the co-doping at the A and the B sites, by making use of the fact that the intrinsic polarization and magnetization are associated with the lone pair of $Bi^{3+}$ ions at the A sites and the partially-filled 3d orbitals of $Fe^{3+}$ ions at the B sites, respectively. In this study, $BiFeO_3$, $Bi_{0.9}Ho_{0.1}FeO_3$, $BiFe_{0.97}Ni_{0.03}O_3$ and $Bi_{0.9}Ho_{0.1}Fe_{0.97}Ni_{0.03}O_3$ bulk compounds were prepared by solid-state reaction and rapid sintering. High-purity $Bi_2O_3$, $Ho_2O_3$, $Fe_2O_3$ and $NiO_2$ powders with the stoichiometric proportions were mixed, and calcined at $500^{\circ}C$ for 24 h to produce the samples. The samples were immediately put into an oven, which was heated up to $800^{\circ}C$ and sintered in air for 1 h. The crystalline structure of samples was investigated at room temperature by using a Rigaku Miniflex powder diffractometer. The field-dependent and temperature-dependent magnetization measurements were performed with a vibrating-sample magnetometer and superconducting quantum-interference device.
Dang jonghae had written five books on chinese medicine, ${\ulcorner}$Hyeoljeungron${\lrcorner}$ is his most important work. He wanted to correct the fallacies of the theory of Jang and Bu by comparing with Oriental and Western medicine. He distinguished Bi from Cheomyuk by comparing the spleen with the pancreas. He recognized Stomach as the warehouse of foods, and explained that Bi took charge of digestion actually. Bi charged the function of Transportation and Blood-govering in addition to plain digestion, he wrote. Dang jonghae regarded the metabolism of the human body as the interaction of Gi, Blood, Water and Fire. And he explained that Bi adjusted them. He classified Syndrome of Blood into five sorts of syndrome and presented four kinds of treatment. Especially he took a serious view of the treatment connected with Bi and Stomach. He set up the theory of Bi and Stomach practically on basis of anatomy, but he didn ' t assorted the physiology and pathology of each organ clearly. However he proved the importance of Bi and Stomach by treating Syndrome of Blood and provided with the foundation of merging chinese and western medicine.
0.75BF-0.25BT ceramics were prepared by sintering at $980-1040^{\circ}C$ in air or under atmosphere powder. A sample with 1 mole %-excess $Bi_2O_3$ was also prepared to compensate for $Bi_2O_3$-evaporation. Physical and piezoelectric properties of these three samples were compared. When the sintering temperature increased from $980^{\circ}C$ to $1040^{\circ}C$, the density of the sample sintered in air decreased continuously due to Bi-evaporation. Due to the suppression of Bi-evaporation, the sample sintered under atmosphere powder had a higher density at sintering temperatures above $1000^{\circ}C$ than did the sample sintered in air. The addition of 1 mole %-excess $Bi_2O_3$ successfully compensated for Bi-evaporation and kept the density at the higher value until $1020^{\circ}C$. Grain size increased continuously when the sintering temperature increased from 980 to $1040^{\circ}C$, irrespective of the sintering atmosphere. When the sintering temperature increased, the piezoelectric constant ($d_{33}$) and the electromechanical coupling factor ($k_p$) increased for all samples. The sample with 1 mole % excess-$Bi_2O_3$ showed the highest density and the best piezoelectric properties at sintering temperature of $1020^{\circ}C$.
The bi-materials with Al-Mg alloy and its composites reinforced with SiC and $Al_2O_3$ particles were prepared by conventional powder metallurgy method. The A1-5 wt%Mg and composite mixtures were compacted under $150{\sim}450\;MPa$, and then the mixtures compacted under 400 MPa were sintered at $773{\sim}1173K$ for 5h. The obtained bi-materials with Al-Mg/SiCp composite showed the higher relative density than those with $Al-Mg/Al_2O_3$ composite after compaction and sintering. Based on the results, the bi-materials compacted under 400 MPa and sintered at 873K for 5h were used for mechanical tests. In the composite side of bi-materials, the SiC particles were densely distributed compared to the $Al_2O_3$ particles. The bi-materials with Al-Mg/SiC composite showed the higher micro-hardness than those with $Al-Mg/Al_2O_3$ composite. The mechanical properties were evaluated by the compressive test. The bi-materials revealed almost the same value of 0.2% proof stress with Al-Mg alloy. Their compressive strength was lower than that of Al-Mg alloy. Moreover, impact absorbed energy of bi-materials was smaller than that of composite. However, the bi-materials with Al-Mg/SiCp composite particularly showed almost similar impact absorbed energy to $Al-Mg/Al_2O_3$ composite. From the observation of microstructure, it was deduced that the bi-materials was preferentially fractured through micro-interface between matrix and composite in the vicinity of macro-interface.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.17
no.5
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pp.187-192
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2017
We investigated the effects of the CSRR-metamaterial on microstrip comb-line array antennas. Microstrip comb-line array antennas was designed with 12 radiators, gain of 16.09dBi and bandwidth of 0.24GHz in the 24GHz ISM band. The designed antenna had radiation beam perpendicular to the antenna plane, co-polarization gain of 16.09dBi and cross-polarization gain of -10.86dBi. the CSRR-metamaterial increased largely the impedance bandwidth of the antenna from 0.24GHz to 3.6GHz. however as co-polarization gain became 10.08dBi and cross-polarization gain became 14.1dBi, co-polarization was mixed with cross-polarization. And the antenna gain lowered by 1.99dB. On the investigation of the dependence on the split-direction of the CSRR rings, it showed nearly the same characteristics for up-splitted ring used case and down-splitted ring used case. However in the case of arranging up-splitted ring and down-splitted ring in alternation, co-polarization gain decreased to -1.29dBi and cross-polarization gain increased to 13.9dBi, which meant the wave was transited to cross-polarization majority wave.
Bi-layered SrBi2Ta2O9(SBT) films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si sibstrates by rf magnetron sputt-ering at room temperature and then were annealed at 75$0^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$ and 85$0^{\circ}C$ for 1 hour in oxygen at-mosphere. The film composition of SrBi2Ta2O9 was obtained after depositing at room temperature and annealing at 80$0^{\circ}C$. Excess 20mole% Bi2O3 and 30 mole% SrCO3 were added to the target to compensate for the lack of Bi and Sr in SBT film. 200 nm thick SBT film exhibited and dense microstructure, adielectric constant of 210, and a dissipation factor of 0.05 at 1 MHz frequency. The films exhibited Curie temperature of 32$0^{\circ}C$ and a dielectric constant of 314 at that temperature under 100 kHz frequency. The remanent polarization(2Pr) and the coercive field(2Ec) of the SBT films were 9.1 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 85 kV/cm at an applied voltage of 3V, resspectively and the SBT film showed a fatigue-free characteristics up to 1010 cy-cles under 5V bipolar pulse. The leakage current density of the SBT film was about 7$\times$10-7A/$\textrm{cm}^2$ at 150 kV/cm. Fatigue-free SBT films prepared by rf magnetron sputtering can be suitable for application to non-volatile memory device.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.1
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pp.15-18
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2009
To enhance near UV-visible absorption region and to applied phosphor convert-white LEOs (PC-WLEDs), a red phosphor composed of ${Y_2}{SiO_5}:\;EU^{3+}$, $Bi^{3+}$ compounds was prepared by the conventional solid-state reaction. The photoluminescence (PL) shown that samples were excited by near UV light 395 nm for measurement of PL spectra. Emission spectra of samples have shown red emissions at 612 nm ($^5D_0{\to}^7F_2$). The enhanced near $UV{\sim}$ visible excitation spectrum with a broad band centered at 258 nm and 282 nm originated in the transitions toward the charge transfer state (CTS) due to the $Eu^{3+}-Bi^{3+}-O^{2-}$ interaction. The other excitation band at $350\;nm{\sim}480\;nm$, corresponding to the transitions $^7F_0{\to}^5L_9$ (364 nm), $^7F_0{\to}^5G_3$ (381 nm), $^7F_0{\to}^5L_6$ (395 nm), $^7F_0{\to}^5D_3$, (415 nm) and $^7F_0{\to}^5D_2$ (466 nm), occurred due to enhanced the f-f transition increasing $Bi^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions. The PL intensity increased with increased as concentration of $Bi^{3+}$ and the emission intensity becomes with a maximum at 0.125 mol.
The notion of bi-ideals in near-rings was effectively used to characterize the near-fields. Using this notion, various generalizations of regularity conditions have been studied. In this paper, we generalize further the notion of bi-ideals and introduce the notion of weak bi-ideals in near-rings and obtain various characterizations using the same in left self distributive near-rings.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.04b
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pp.47-47
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2009
The formation of variable one-dimensional structures including core/shell structure is of particular significance with respect to potential applications for thermoelectric devices with the enhanced figure of merit ($ZT=S2{\sigma}T/{\kappa}$). We report the fabrication of Bi-Te core/shell nanowire based on a novel stress induced method. Fig. 1 schematically shows the nanowire fabrication process. Bi nanowires are grown on the Si substrate by the stress-induced method, and then Te is evaporated on the Bi nanowires. Fig. 2 is a transmission electron microscopy image clearly showing a core/shell structure for which effective phonon scattering and quantum confinement effect are expected. Electrical conductivity of the core/shell nanowire was measured at the temperatures from 4K to 300K, respectively. Our results demonstrate that Bi-Te core/shell nanowire can be grown successfully by the stress-induced method. Based on the result of electrical transport measurement and characteristic morphology of rough surface, Seebeck coefficient and thermal conductivity of Bi-Te core/shell nanowires are presented.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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