Kim, Sora;Park, TaeWon;Choi, SeokMoon;Park, Gi-Jeong;Lee, DoHoon;Cho, Hwan-Gue
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2011.11a
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pp.1119-1122
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2011
오늘날에는 HGP(Human Genome Project)로 인해 인간과 같은 고등생물은 높은 비율로, 단백질을 만들어낼 때 유전자 개수를 늘려 나가는 것이 아니라 유전자의 활용도를 높임으로써 다양한 단백질을 만들어낸다 새로운 사실이 밝혀졌다. 이로 인해 alternative splicing에 대한 관심이 높아지고 있다. Alternative splicing의 비중이 높아지며 이에 따라 이를 찾아내기 위한 다양한 방법들이 생겨나고, 이러한 방법 중 하나가 splice junction을 찾아내는 것이다. 본 논문에서는 splice junction 탐색을 위한 도구를 개발하기에 앞서 이미 기존에 존재하는 도구들을 조사하여 해당 도구들이 어떠한 사양과 알고리즘을 사용하는지를 분석 및 비교하였다.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.50
no.9
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pp.444-449
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2001
In this paper, a novel ultraviolet sensor is presented based on a photoluminescent porous silicon. Porous silicon layer was formed by chemical etching of surface of pn junction in a $HF(48%)-HNO_3(60%)-H_20$ solution. Incident ultraviolet(UV) light is converted to visible light by photoluminescent porous silicon layer, and then this visible light generates electron-hole pairs in the pn junction, which produces a photocurrent flow through the device. In order to maximize detection efficiency, the peak sensitivity wavelength of the pn junction diode was matched with the peak wavelength of Photoluminescence from porous silicon layer. The porous silicon ultraviolet sensor showed a large output current as UV intensity increases and but very low sensitivity to visible light. The detection sensitivity of porous silicon sensor was calculated as 2.91mA/mW. These results are expected to open up a possibility that the present porous silicon sensor can be used for detecting UV light in a visible background, compared to silicon UV detectors which have an undesirable response to visible light.
We have fabricated and analyzed photodiodes for optical link with Si pin structures. As the results of experiment, the web patterned photodiode(type C) with $p^{+}$-guard ring showed low junction capacitance of 6~7 pF at $V_{R}$=-5V and high separation ability for optical signal(dark current : $\leq$ 5 nA, optical signal current : $\geq$ 340 nA) due to the small effective $p^{+}$-n junction area and the expanded electric field region. The fabricated Si pin photodiode can be applicable for detecting an optical signal with the wavelength of about 660~670 nm. It can also be integrated with the twin well CMOS structure to develope an one chip based optical receiver IC. IC.C.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.2
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pp.88-93
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1994
We fabricated a large-scale photovoltaic device for detecting-3-5$\mu$m IR, by forming of n$^{+}$-p junction in the $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te (MCT) layer which was grown by LPE on CdTe substrate. The composition x of the MCT epitaxial layer was 0.295 and the hole concentration was 1.3${\times}10^{13}/cm^{4}$. The n$^{+}$-p junction was formed by B+ implantation at 100 keV with a does 3${\times}10^{11}/cm^{2}. The n$^{+}$ region has a circular shape with 2.68mm diameter. The vacuum-evaporated ZnS with resistivity of 2${\times}10^{4}{\Omega}$cm is used as an insulating layer over the epitaxial layer. ZnS plays the role of the anti-reflection coating transmitting more than 90% of 3~5$\mu$m IR. For ohmic contacts, gole was used for p-MCT and indium was used for n$^{+}$-MCT. The fabrication took 5 photolithographic masks and all the processing temperatures of the MCT wafer were below 90$^{\circ}C$. The R,A of the fabricated devices was 7500${\Omega}cm^{2}$. The carrier lifetime of the devices was estimated 2.5ns. The junction was linearly-graded and the concentration slope was measured to be 1.7${\times}10^{17}/{\mu}m$. the normalized detectivity in 3~5$\mu$m IR was 1${\times}10^{11}cmHz^{12}$/W, which is sufficient for real application.
Reverse transcription (RT)-PCR and nested PCR methods (2-step PCR) were tested for their ability to detect marine birnavirus (MBV) in cultured rockfish, Sebastes schlegeli. One set of primers for RT-PCR was designed, based on a gene of infectious pancreatic necrosis virus (IPNV), and another set of primers for nested PCR was designed based on the VP2/NS junction region of MBV. This 2-step PCR method was specific for MBV and sensitivity was heightened when nested PCR was combined to RT-PCR. This 2-step PCR method was useful for detecting MBV not only in diseased fish, but also in asymptomatic fish. These results indicate that this 2-step PCR method is useful for detecting MBV in rockfish.
DaBin Na;JiMin Gu;JiMin Park;YunSeok Song;JiHun Moon;Sangyul Ha;SangJeen Hong
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.23
no.2
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pp.135-142
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2024
Cu-Cu bonding, one of the key technologies in advanced packaging, enhances semiconductor chip performance, miniaturization, and energy efficiency by facilitating rapid data transfer and low power consumption. However, the quality of the interface bonding can significantly impact overall bond quality, necessitating strategies to quickly detect and classify in-process defects. This study presents a methodology for detecting defects in wafer junction areas from Scanning Acoustic Microscopy images using a ResNet-50 based deep learning model. Additionally, the use of the defect map is proposed to rapidly inspect and categorize defects occurring during the Cu-Cu bonding process, thereby improving yield and productivity in semiconductor manufacturing.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.9
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pp.1643-1647
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2007
Recently, there is a need for research concerning the technologies and precaution methods against electronic bomb assaults. There lays perplex constitution and much coupling phenomenon in this type of system, and thus requires much time and memory in order to translate the system with the existing translation methods. Applying the EMT (Electromagnetic Topology) would prove much more efficient. In this paper, EMT has been applied to the circuit-like micro system, previously employed in micro systems. Also, each section has been interpreted using the BLT (Baum, Liu, Tesche) equation using the EMT, then reconstructed, consequentially interpreting an entire system. In this paper, a simple circuit containing active and passive elements based on a CPW has been interpreted employing the BLT equation, and has been proven by experiment using the circuit simulation, a simulation officially recognized for its accuracy in interpreting small structures. The interpretation results have been presented by an S-parameter, and by comparing the interpretation results attained through the BLT equation and that from common simulation to that from experimentation, that the BLT equation turned out to be the most reliable interpretation method could be found.
Ji, Youg-Seok;Kim, Young-Seop;An, Byeong-Man;Lim, Sang-Min
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.9
no.1
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pp.67-71
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2010
Head up display’s cooling system is auto-diagnosed resulting from the external environment. The quantity of heat depending on this Head up display’s cooling system layout determines the speed of FAN for system cooling. In other words, a system’s heat quantity is planned through the air density depending on altitude, the amount of wind in air depending on FAN control condition, and the algorithm that is proportional to delta temperature. To detect the altitude, we use the criteria of delta T, which is determined by the subtracted value of LED junction temperature, and atmospheric temperature that is recorded on the Head up display system. Depending on the classification of delta T value, the altitude section is determined. While we can use GPS as the tool to detect the altitude, we should predict the change of the air density as the altitude alters, and should not just measure the altitude. And the value of delta T is used as the criterion of detecting the altitude for increasing the cooling efficiency of the car’s inner Head up display system with reflecting the speed of the FAN dependent upon the air density. In our theory, altitude is depending on the value of delta T and stabilizing or maintaining the system’s temperature by changing FAN’s rpm depending on determined value of altitude.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.10
no.6
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pp.108-117
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2011
Seoul metropolitan government has been operating traffic signal control system with the name of COSMOS since 2001. COSMOS uses the degrees of saturation and congestion which are calculated by installing loop detectors. At present, inductive loop detector is generally used for detecting vehicles but it is inconvenient and costly for maintenance since it is buried on the road. In addition, the estimated queue length might be influenced in case of error occurred in measuring speed, because it only uses the speed of vehicles passing by the detector. A traffic signal control algorithm which enables smooth traffic flow at intersection is proposed. The proposed algorithm assigns vehicles to the group of each lane and calculates traffic volume and congestion degree using traffic information of each group using VANETs(Vehicular Ad-hoc Networks) inter-vehicle communication. It does not demand additional devices installation such as cameras, sensors or image processing units. In this paper, the algorithm we suggest is verified for AJWT(Average Junction Waiting Time) and TQL(Total Queue Length) under single intersection model based on GLD(Green Light District) Simulator. And the result is better than Random control method and Best first control method. In case real-time control method with VANETs is generalized, this research that suggests the technology of traffic control in signalized intersections using wireless communication will be highly useful.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.8
no.1
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pp.1-4
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2001
We have fabricated and evaluated a new Si pin photodetector for APF optical link. The fabricated device has the $p^{+}$-guard ring around the metal-semiconductor contact and the web patterned $p^{+}$-shallow diffused region in the light absorbing area. From the measurements of electo-optical characteristics under the bias of -5 V, the junction capacitance of 4 pF and the dark current of 180 pA were obtained. The optical signal current of 1.22 $\mu$A and the responsivity of 0.55 A/W were obtained when the 2.2 $\mu$W optical power with peak wavelength of 670 nm was incident on the device. The fabricated device showed the maximum spectral response in a spectrum of 650-700 nm. It is expected that the fabricated device can be very useful for detecting the optical signal in the application of red light optics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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