• 한국진공학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.624-629
• /
• 2006

Nd을 이온주입한 GaN를 이용하여 GaN와 Nd 이온 사이의 에너지 전달과정을 분석하고 Mg을 도핑 하였을 때의 효과를 보았다. Nd의 $^4F_{3/2}{\rightarrow}^4I_{9/2}$ 전이에 대하여 Photoluminescence (PL)와 PL excitation 방법을 이용하여 에너지 전달 경로에 적어도 3가지 이상의 밴드갭 내의 trap이 있음을 확인하였다. Mg이 doping된 GaN : Nd에서는 isoelectronic trap으로 생각되는 특정한 trap의 수가 증가되었음이 관측되었고 이로 인해 전기적으로 여기될 시료의 특성을 보여줄 밴드갭보다 큰 에너지를 이용한 여기 상태의 효율이 더욱 높아짐을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.379-387
• /
• 1996

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2007년도 하계학술발표회 논문집
• /
• pp.361-362
• /
• 2007

• 산업공학
• /
• 제14권4호
• /
• pp.374-384
• /
• 2001

The objective of this paper is to design the dynamic route guidance system(DRGS) and develop a genetic algorithm(GA) for finding the multiple shortest paths in real traffic network. The proposed GA finds a collection of paths between source and destination considering turn-restrictions, U-turn, and P-turn that are genetically evolved until an acceptable solution is reached. This paper also shows the procedure to find the multiple shortest paths in traffic network of Seoul.

• 미생물학회지
• /
• 제52권1호
• /
• pp.32-39
• /
• 2016

독도에 자생하는 번행초의 뿌리로부터 순수 분리하여 형태적으로 상이한 17개의 내생균류를 선별하였다. 또한 분리된 균류들에 대하여 각각의 염농도와 pH 농도 구배에 따라 생장 시험을 확인하였다. 내생균류에 대해 각각 난장이벼의 유묘에 식물생장활성시험을 진행하였고, 그 결과 YH103 균주가 가장 높은 활성을 나타내었다. 계통분석은 Maximum likelihood 방법을 활용하여 결합된 ITS영역, beta-tubulin 및 calmodulin 유전자 염기서열을 분석하여 분리된 균주의 유연관계를 분석하였다. YH103 균주의 배양여과액을 HPLC와 GC/MS SIM을 이용하여 분석한 결과 식물호르몬인 지베렐린 $GA_4$, $GA_7$, $GA_8$ 및 $GA_{19}$가 확인되었다. 최종적으로 YH103 균주의 형태학적 관찰 및 결합된 유전자 염기서열의 분자적 분석을 통해 GA를 생산하는 새로운 Aspergillus tubingensis로 동정되었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제28권1호
• /
• pp.1-9
• /
• 2017

본 논문에서는 한국전자통신연구원(ETRI)에서 구축한 $0.25{\mu}m$ GaN MMIC 공정 및 소자특성을 소개하고, 이를 이용한 X-대역 3 W GaN 전력증폭기 MMIC 설계 제작 결과를 논의한다. X-대역 동작에 적합한 GaN HEMT 소자를 선정하여 GaN 전력증폭기 MMIC를 1단으로 설계하고 제작하였으며, 이를 통하여 ETRI $0.25{\mu}m$ GaN MMIC 공정 및 특성을 평가하고 분석하였다. X-대역 GaN 전력증폭기 MMIC 제작 결과, 출력전력 3.5 W, 이득 10 dB 및 전력부가효율 35 % 특성을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.161-161
• /
• 2012

본 연구에서는 InGaAs을 이용한 테라헤르쯔(THz) 발생과 검출 특성을 GaAs에 의한 특성과 비교, 조사하였다. 고온성장(HTG, $530^{\circ}C$) InGaAs를 이용하여 photo-Dember (pD) 효과(표면방출)에 의한 THz 발생 특성을 조사하였으며, THz 검출 특성에는 저온성장(LTG, $530^{\circ}C$) InGaAs: Be을 이용하였다. HTG-InGaAs 기판 위에 패턴한 금속전극 (Ti/Au, ${\sim}500{\times}500{\mu}m$)의 가장자리에 Ti: Sapphire fs 펄스 레이저(30 ps/90 MHz)를 조사하여 LTG-GaAs 수신기(Rx)로 THz를 검출, 전류신호(a)와 Fourier transform (FT) 주파수 스펙트럼(b)을 얻었다. HTG-InGaAs에서 얻은 파형은 SI-GaAs에서와 거의 비슷한 모양이었으나, 주파수 범위(0.5~2 THz)는 SI-GaAs의 1~3 THz 보다 좁고 FT 스펙트럼의 세기는 약 1/8 정도로 낮았다. LTG-InGaAs 수신기 (Rx)의 안테나는 쌍극자 ($5/20{\mu}m$) 형태를 가지고 있으며, SI-GaAs Tx로 발생시킨 광원을 사용하여 THz 영역의 검출 특성을 조사하였다. HTG-InGaAs Tx 및 LTG-InGaAs Rx의 이득은 각각 약 $5{\times}10^{-8}$ A/W과 $2.5{\times}10^{-8}$ A/W인 것으로 분석되었다.

• Journal of Plant Biology
• /
• 제5권4호
• /
• pp.1-5
• /
• 1962

본 실험에서 지베레린이 자운영의 생육및 내부 성분에 미치는 영향을 토양재배를 통하여 조사하였다. 잎에 살포한 지베레린의 비교적 적은 농도 차는 자운영의 내부 성분에 현저한 차이를 나타내고 생육의 증가는 지베레린의 농도증가에 관련되었다. 엽녹소 및 Carotene 함량은 지베레린 농도와 상반되고 생장율은 엽록소와 Carotene 함량과 크게 상반되었다. Carotene 함량은 엽록소량과 함께 변하였는데 엽록소와 Carotene의 비는 Beck와 Redman이 얻은 결과처럼 높지 않았다. 엽록소와 Vitamin C의 함량은 발육이 진전함을 따라 차이가 생기는데 이 차이는 엽록소만 유의하다. Anthocyanim 함량은 지베레린의 농도가 증가함에 따라 Sucrose 및 Reducing Sugar의 함량과 함께 감소되었다. Anthocyanim 함량은 Jacob Straus의 옥수수에 대한 실험 결과와 같이 많지 않다.

• Journal of Welding and Joining
• /
• 제34권6호
• /
• pp.28-34
• /
• 2016

Galvannealed(GA) steels are now generally used in car body manufacturing for corrosion resistance. In this study, the weldability and joint mechanical behavior of a newly developed 1.2GPa grade GA ultra high strength TRIP(transformation induced plasticity) steel was investigated for three joining processes, such as adhesive bonding, resistance spot welding and weldbonding. Under both shear and peel stress conditions, the failure mode of the adhesive joints were the mixture of the adhesive cohesive failure, adhesive interface failure and coating layer failure. It means that the adhesion strength of GA coating onto the base metal was similar to that of adhesive bonding onto the GA coating. Under the shear stress condition, the weldbonding exerted to expand the optimal spot welding condition of 1.2GPa GA TRIP steel because the strength of adhesive bond overwhelmed that of the resistance spot weld. Under the peel stress condition, the weldbonding also exerted to expand the optimal spot welding condition of 1.2GPa GA TRIP steel by inducing the tear fracture mode rather than the partial plug fracture mode.

• 공업화학
• /
• 제25권4호
• /
• pp.414-417
• /
• 2014

습식제련 기술을 통한 Ga의 재활용을 위해 고결정성 GaN으로 구성되어 있는 LED 공정스크랩의 침출 거동을 연구하였다. 고결정성 GaN은 산성 및 염기성 조건에서 매우 안정하여 침출이 어려운 물질로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 볼밀링을 통해 원료와 $Na_2CO_3$를 1:1 비율로 섞은 후 관상로를 이용해 $1000-1200^{\circ}C$에서 열처리 하여 산화물로의 상변화를 유도하였다. 열처리 결과로써, $1100^{\circ}C$에서 GaN은 약 73 wt%의 Ga을 포함하는 산화물로 상변화 되었다. 이러한 열처리 샘플은 $100^{\circ}C$ 4 M HCl에서 96%의 높은 침출률을 나타냈다.