• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2002.11a
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• pp.201-204
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• 2002

Overlay margin 확보를 위한 oversizing과, design rule checking, jog filtering를 통하여 side-lobe를 추출하였다. 이렇게 추출한 side-lobe를 extent하고, Cr pattern을 정의하여 side-lobe 현상을 해결할 수 있었다. 하지만 이 방법은 mask제조 공정이 복잡하므로 Cr shield방식의 단점인 복잡한 mask제작공정과 구조를 단순화하기 위하여 scattering bar를 이용하였다. 따라서, scattering bar를 삽입하기 위한 rule을 생성하여 metal layer에 적용하고 aerial image simulation을 통해 side-lobe 현상이 억제되었음을 확인하였다. 그리고 앞에서와는 반대로 background clear의 경우에 발생하는 side-lobe에 scattering bar를 적용하여 억제됨을 확인하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2004.08c
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• pp.784-786
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• 2004

Overlap errors and side-lobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the side-lobes and to get additional pattern fidelity at the same time.