Perpendicular magnetic anisotropy (PMA) is the phenomenon of magnetic thin film which is preferentially magnetized in a direction perpendicular to the film's plane. Amorphous multilayer with PMA has been studied as the good candidate to realization of high density STT-MRAM (Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory). The current issue of high density STT-MRAM is a decrease in the switching current of the device and an application of amorphous materials which are most suitable devices. The amorphous ferromagnetic material has low saturated magnetization, low coercivity and high thermal stability. In this study, we presented amorphous ferromagnetic multilayer that consists of an amorphous alloy CoSiB and a nonmagnetic material Pd. We investigated the change of PMA of the $[CoSiB\;t_{CoSiB}/Pd\;1.3nm]_5$ multilayer ($t_{CoSiB}$ = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6 nm, and $t_{Pd}$ = 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, 1.6 nm) and $[CoSiB\;0.3nm/Pd\;1.3nm]_n$ multilayer (n = 3, 5, 7, 9, 11, 13). This multilayer is measured by VSM (Vibrating Sample Magnetometer) and analyzed magnetic properties like a coercivity ($H_c$) and a magnetization ($M_s$). The coercivity in the $[CoSiB\;t_{CoSiB}\;nm/Pd\;1.3nm]_5$ multi-layers increased with increasing $t_{CoSiB}$ to reach a maximum at $t_{CoSiB}$ = 0.3 nm and then decreased for $t_{CoSiB}$ > 0.3 nm. The lowest saturated magnetization of $0.26emu/cm^3$ was obtained in the $[CoSiB\;0.3nm/Pd\;1.3nm]_3$ multilayer whereas the highest coercivity of 0.26 kOe was obtained in the $[CoSiB\;0.3nm/Pd\;1.3nm]_5$ mutilayer. Additional Pd layers did not contribute to the perpendicular magnetic anisotropy. The single domain structure evolved in to a striped multi-domain structure as the bilayer repetition number n was increased above 7 after which (n > 7) the hysteresis loops had a bow-tie shapes.
Kim, B.K.;Lee, J.Y.;Kim, S.S.;Hwang, D.G.;Lee, S.S.;Hwang, J.Y.;Kim, M.Y.;Rhee, J.R.
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.13
no.5
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pp.187-192
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2003
The magnetic and thermal properties of NiFe/[IrMn-Mn]/CoFe with Mn additions have been studied. As-deposited CoFe pinned layers with [IrMn-Mn]layer had dominantly larger exchange biasing field ( $H_{ex}$) and blocking temperature ( $T_{b}$) than those with pure I $r_{22}$M $n_{78}$ used. The $H_{ex}$ and $T_{b}$ improved with 76.8-78.1 vol% Mn, but those of the NiFe/IrMn/CoFe dropped considerably with more addition of 0.6 vol % Mn. The average x-ray diffraction peak ratios of fcc [(111)CoFe, NiFe]/(111)IrM $n_3$ textures for the Mn inserted total vol of 75.5, 77.5, and 79.3% were about 1.4, 0.8, and 0.6, respectively. For the sample without Mn inserted layer, the $H_{ex}$ between IrMn and CoFe layers was almost zero, but it increased to 100 Oe after annealing of 250 $^{\circ}C$. For as-grown two multilayers samples with ultra-thin Mn layers of 77.5 and 78.7 vol %, the $H_{ex}$s were 259 and 150 Oe, respectively. In case of IrMn with 77.5 vol% Mn, the $H_{ex}$ was increased up to 475 Oe at 350 $^{\circ}C$ but decreased to 200 Oe at 450 $^{\circ}C$, respectively. The magnetic properties and thermal stabilities of NiFe/[IrMn-Mn]/CoFe multilayer were enhanced with Mn additions. In applications where higher $H_{ex}$ and $T_{b}$ are required, proper contents of Mn can be used. be used. used.
The effects of Si impurity on electronic structures and magnetism of bcc Fe are investigated by using a first-principles method by considering spin-orbit coupling. In order to describe the Si impurity, a 27 atomic bcc Fe supercell has been considered. The Kohn-Sham equation was solved in terms of the all-electron full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method within the generalized gradient approximation (GGA). The effects of spin-orbit coupling were calculated self-consistently by considering spin-diagonal terms based on second variation method. For the ferromagnetic (FM) state without considering SOC, the spin magnetic moment of the Si impurity was calculated to be $-0.143{\mu}B$, while the magnetic moments of Fe atoms were calculated to be $2.214{\mu}B$, $2.327{\mu}B$, and $2.354{\mu}B$ in away from the Si atom, respectively. However, the FM state with considering SOC, the spin magnetic moment of the Si impurity was calculated to be $-0.144{\mu}B$, which is not affected significantly by SOC, but the spin magnetic moments of Fe atoms were calculated $2.189{\mu}B$, $2.310{\mu}B$, and $2.325{\mu}B$, respectively, which are much reduced value compared to those of the FM state without SOC. Comparing the total charge density and spin density, those features are thought to be originated by the screening distortions of the Fe $t_{2g}$ orbital, which can be obtained by considering SOC.
Recent study shows that ordered alloy of $L1_2$$XPt_3$ (M = V, Cr, Mn, Co, and Fe) exhibits various magnetic phases such as ferromagnetic-to-antiferromagnetic transition at the $MnPt_3$ surface. Moreover, it has been argued that $CrPt_3$, in particular, possess large magnetocrystalline anisotropy and Kerr rotation with possible violation of Hund's rule. As such, we extend our work to thickness dependence of the magnetic structure of $CrPt_3$ thin film using density functional theory. Magnetic ground state of the bulk $CrPt_3$ turns out to be ferromagnetic (FM), where other magnetic phases such as A-type (A-AF), C-type (C-AF), and G-type antiferromagnetic (G-AF) state have higher total energies than FM by 0.517, 0.591, and 0.183 eV, respectively, and magnetic moments of Cr in bulk are respectively 2.807 (FM), 2.805 (A-AF), 2.794 (C-AF) and $2.869_{{\mu}_B}$ (G-AF). We extend our study to $CrPt_3$(001) thin films with CrPt-and Pt-termination. The thickness and surface-termination dependences of magnetism are investigated for 3-9 monolayers (ML), where different magnetic phases from bulk emerge: C-AF for CrPt-terminated 3 ML and G-AF for Pt-terminated 5 ML have energy difference relative to FM by 8 and 54 meV, respectively. Furthermore, thickness- and surface-termination-dependent magnetocrystalline anisotropies of the $CrPt_3$(001) films are discussed.
To obtain low switching field ($H_{SW}$) we introduced amorphous ferromagnetic $Co_{70.5}Fe_{4,5}Si_{15}B_{10}$ single and synthetic antiferromagnet (SAF) free layers in magnetic tunnel junctions (MTJs). The switching characteristics for MTJs with structures $Si/SiO_2/Ta$ 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/AlOx/CoFeSiB 7 or CoFeSiB (t)/Ru 1.0/CoFeSiB (7-t)/Ru 60 (in nm) were investigated and compared to MTJs with $Co_{75}Fe_{25}$ and $Ni_{80}Fe_{20}$ free layers. CoFeSiB showed a lower saturation magnetization of $560 emu/cm^3$ and a higher anisotropy constant of $2800\;erg/cm^3$ than CoFe and NiFe, respectively. An exchange coupling energy ($J_{ex}$) of $-0.003erg/cm^2$ was observed by inserting a 1.0 nm Ru layer in between CoFeSiB layers. In the CoFeSiB single and SAF free layer MTJs, it was frond that the size dependence of the $H_{SW}$ originated from the lower $J_{ex}$ experimentally and by micromagnetic simulation based on the Landau-Lisfschitz-Gilbert equation. The CoFeSiB SAF structures showed lower $H_{SW}$ than that of NiFe, CoFe and CoFeSiB single structures. The CoFeSiB SAF structures were proved to be beneficial far the switching characteristics such as reducing the coercivity and increasing the sensitivity in micrometer to submicrometer-sized elements.
Background: To evaluate the therapeutic benefits of the treat-to-target (T2T) strategy for Asian patients with early rheumatoid arthritis (RA) in Korea. Methods: In a 1-year, multicenter, open-label strategy trial, 346 patients with early RA were recruited from 20 institutions across Korea and stratified into 2 groups, depending on whether they were recruited by rheumatologists who have adopted the T2T strategy (T2T group) or by rheumatologists who provided usual care (non-T2T group). Data regarding demographics, rheumatoid factor titer, anti-cyclic citrullinated peptide antibody titer, disease activity score of 28 joints (DAS28), and Korean Health Assessment Questionnaire (KHAQ) score were obtained at baseline and after 1 year of treatment. In the T2T group, the prescription for disease-modifying antirheumatic drugs was tailored to the predefined treatment target in each patient, namely remission (DAS28 < 2.6) or low disease activity (LDA) ($2.6{\leq}DAS28$ < 3.2). Results: Data were available for 163 T2T patients and 162 non-T2T patients. At the end of the study period, clinical outcomes were better in the T2T group than in the non-T2T group (LDA or remission, 59.5% vs. 35.8%; P < 0.001; remission, 43.6% vs. 19.8%; P < 0.001). Compared with non-T2T, T2T was also associated with higher rate of good European League Against Rheumatism response (63.0% vs. 39.8%; P < 0.001), improved KHAQ scores (-0.38 vs. -0.13; P = 0.008), and higher frequency of follow-up visits (5.0 vs. 2.0 visits/year; P < 0.001). Conclusion: In Asian patients with early RA, T2T improves disease activity and physical function. Setting a pre-defined treatment target in terms of DAS28 is recommended.
Background: Vitamin K antagonist (VKA) to prevent thromboembolism in non-valvular atrial fibrillation (NVAF) patients has limitations such as drug interaction. This study investigated the clinical characteristics of Korean patients treated with VKA for stroke prevention and assessed quality of VKA therapy and treatment satisfaction. Methods: We conducted a multicenter, prospective, non-interventional study. Patients with $CHADS_2{\geq}1$ and treated with VKA (started within the last 3 months) were enrolled from April 2013 to March 2014. Demographic and clinical features including risk factors of stroke and VKA treatment information was collected at baseline. Treatment patterns and international normalized ratio (INR) level were evaluated during follow-up. Time in therapeutic range (TTR) > 60% indicated well-controlled INR. Treatment satisfaction on the VKA use was measured by Treatment Satisfaction Questionnaire for Medication (TSQM) after 3 months of follow-up. Results: A total of 877 patients (age, 67; male, 60%) were enrolled and followed up for one year. More than half of patients (56%) had $CHADS_2{\geq}2$ and 83.6% had $CHA_2DS_2-VASc{\geq}2$. A total of 852 patients had one or more INR measurement during their follow-up period. Among those patients, 25.5% discontinued VKA treatment during follow-up. Of all patients, 626 patients (73%) had poor-controlled INR (TTR < 60%) measure. Patients' treatment satisfaction measured with TSQM was 55.6 in global satisfaction domain. Conclusion: INR was poorly controlled in Korean NVAF patients treated with VKA. VKA users also showed low treatment satisfaction.
The basic composition of Ni-Zn ferrite was $(Ni_{0.35}Cu_{0.2}Zn_{0.45})_{1.02}(Fe_2O_3)_{0.98}$ (group A) and $(Ni_{0.4}Cu_{0.2}Zn_{0.4})_{1.02}(Fe_2O_3)_{0.98}$(group B) with additional 0.1 mol% $CaCO_3$ and 0.03 mol% $V_2O_5$. For high permeability and acceleration of grain growth, $CaCO_3$ and $V_2O_5$ was added. The mixture of the law materials was calcinated at $600^{\circ}C$ for 2 hours and then milled. The compacts of toroidal type were sintered at different temperature ($1,050^{\circ}C,\;1,070^{\circ}C,\;1,100^{\circ}C$) for 2 hours in air followed by an air cooling. Then, effects of various composition and sintering temperatures on the microstructure and physical properties such as density, resistivity, magnetic induction, coercive force, initial permeability, quality factor, and curie temperature of the Ni-Zn ferrite were investigated. The density of the Ni-Zn ferrite was $4.90{\sim}5.10g/cm^3$, resistivity revealed $10^8{\sim}10^{12}{\Omega}-cm$. The average grain size increased with the increase of sintering temperatures. The magnetic properties obtained from the aforementioned Ni-Zn ferrite specimens were 4,000 gauss for the maximum induction, 0.25 oersted for the coercive force, 2,997 for the initial permeability, 208 for the quality factor, and $202^{\circ}C$ for the curie temperature. The physical properties indicated that the specimens could be utilized as the core of microwave communication and high permeability deflection yoke of high permeability.
The typical double-barrier magnetic tunnel junction (DMTJ) structure examined in this paper consists of a Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe7/$AlO_x$/free layer/AlO/CoFe 7/IrMn 10/Ru 60 (nm). The free layer consists of an $Ni_{16}Fe_{62}Si_8B_{14}$ 7 nm, $Co_{90}Fe_{10}$ (fcc) 7 nm, or CoFe $t_1$/NiFeSiB $t_2$/CoFe $t_1$ layer in which the thicknesses $t_1$ and $t_2$ are varied. The DMTJ with an NiFeSiB-free layer had a tunneling magnetoresistance (TMR) of 28%, an area-resistance product (RA) of $86\;k{\Omega}{\mu}m^2$, a coercivity ($H_c$) of 11 Oe, and an interlayer coupling field ($H_i$) of 20 Oe. To improve the TMR ratio and RA, a DMTJ comprising an amorphous NiFeSiB layer that could partially substitute for the CoFe free layer was investigated. This hybrid DMTJ had a TMR of 30%, an RA of $68\;k{\Omega}{\mu}m^2$, and a of 11 Oe, but an increased of 37 Oe. We confirmed by atomic force microscopy and transmission electron microscopy that increased as the thickness of NiFeSiB decreased. When the amorphous NiFeSiB layer was thick, it was effective in retarding the columnar growth which usually induces a wavy interface. However, if the NiFeSiB layer was thin, the roughness was increased and became large because of the magnetostatic $N{\acute{e}}el$ coupling.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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