In this paper, an Inverted Pendelum is made and its state equation is formulated. Inverted Pendelum position and stabilization control is performed by variable structure system. Because conventional linear controller has difficulty in controlling inverted pendelum by precise method, VSS controller is chosen as a model to stabilize the Pendelum at the unstable equiblium point. In the experiment, the controller is implemented with the PC and it can stabilize the Inverted Pendelum.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.683-686
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2009
We report inverted white OLEDs fabricated by full wet processes. We utilized inverted structure OLEDs since the structure was better for the realization of full wet fabrication of OLEDs. It was found that the performance of inverted OLEDs is comparable to that of conventional OLEDs. In this presentation, we will discuss in detail a few important issues on the full wet fabrication of OLEDs.
LQ-Servo controller inherits the stability-robustness from rational LQR structure and also, satisfies performance-robustness that is lacking in LQR structure by importing partial output feedback. In this paper, LQ-Servo controller is suggested for strengthening the performance-robustness. For this, Several executings are effectively performed by implementing to the rotational inverted pendulum system.
본 논문에서는 Takagi-Sugeno(T-S) 퍼지모델에 대한 가변구조제어방식을 제안하며 이를 이용한 바퀴구동 도립 진자의 자세제어를 보인다. 비선형 시스템이 T-S 퍼지모델로 모델링 될 수 있다는 가정 하에서 바퀴구동 도립진자에 대하여 몇 개의 대표 동작점을 기준으로 시스템을 선형화하여 퍼지모델을 얻고 이를 통해 가변구조제어이론을 도입하여 제어기를 설계한다. 제안된 제어법칙은 퍼지모델을 구성하는 각각의 선형 부 시스템의 입력이득 행렬을 동일한 행렬로 단일화하고 그 단일화된 제어이득행렬을 토대로 설계되어진다. 이득행렬의 단일화 과정에서 생성되는 불확실성은 가변구조제어 이론의 입력 외란으로 해석되어질 수 있으며 이러한 단일화 외란은 기존 가변구조제어의 강인성에 의해 해결되어질 수 있다. 바퀴구동 도립진자 시스템 예를 통해 제안된 제어알고리즘의 타당성과 유용성을 보인다.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.51-54
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2007
Top-emission 3.5 inch qVGA IOD (Inverted AMOLED) was fabricated with inverted EL structure driven by a-Si TFT backplane. In order to get stable driving TFT, we used FCP(Field Control Plate) layer which was connected with the source of the driving TFT. And we developed planarization process to planarize the cathode layer which was the bottom layer of inverted OLED. Our unique IOD structure is “a-Si TFT/ Al(Cathode)/ LiF/ LG-201(ETL)/ EML(RGB)/ HTL/ LG-101(HIL & Buffer layer)/ IZO(Anode)”. LG-201(ETL) layer was studied for more efficient electron injection from cathode to EML, and LG-101(HIL & Buffer layer) covered by IZO anode was also explored for decreasing the EL surface damage.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제36권1호
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pp.149-156
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2012
본 논문에서는 기존의 PACD (Periodically Arrayed Capacitive Devices) 선로구조가 가지는 고 손실 특성의 문제점을 개선하기 위하여, 단파장 특성이 있는 Inverted PACD 구조를 제안하였다. Inverted PACD 선로구조의 손실특성은 종래의 PACD 구조와 비교하여 훨씬 개선되었으며, 구체적으로 ${\lambda}$/4의 길이를 가지는 Inverted PACD 선로구조의 손실특성은 4GHz에서 0.41dB이다. 그리고 상기 Inverted PACD 선로구조는 종래의 마이크로스트립 선로보다 단파장 특성을 보여주었으며, 구체적으로 종래의 전송선로 파장의 11.85%로 파장이 대폭 축소되었다. MMIC용 초소형 수동소자로서의 응용가능성을 제시하기 위하여, Inverted PACD 선로구조를 이용하여 GaAs MMIC상에 임피던스 변환기를 제작 및 측정하였다. 그 결과 Inverted PACD 선로구조를 이용하여 제작한 임피던스 변환기의 크기는 0.012 $mm^2$이며, 종래의 임피던스 변환기 크기의 1.7%의 면적을 차지하였다. 상기 임피던스 변환기는 2.25~6.5GHz 대역에서 -10dB 이하 반사손실과 -1dB이하의 삽입손실 등 양호한 RF 특성을 보여주었다.
유사도 검색에서는 효율적으로 유사성을 만족하는 문자열을 찾기 위해서 데이터에 대한 역 색인을 구축하여 이용한다. 일반적으로 기존의 기법들은 빠른 응답속도의 질의처리를 위해서 역 색인을 메모리에 상주시킨다. 하지만 구축된 역 색인은 그 크기가 매우 크다는 문제점을 가지고 있다. 따라서 데이터의 크기가 매우 큰 경우나 자원이 제약적인 환경에서는 역 색인을 이용한 질의처리가 불가능할 수 있다. 본 논문에서는 동일한 q-그램을 포함하는 문자열들이 서로 인접한 위치가 되도록 재배치시킨 후 해당 문자열들을 범위로 표현한다. 실험을 통하여 질의처리의 성능을 희생하지 않으면서도 색인의 크기가 줄어드는 것을 보인다.
Experimental study was conducted to evaluate the performance of a miniature loop heat pipe (MLHP) with non-inverted meniscus type capillary structure. All parts of MLHP in this study were made of copper including the capillary structure and the distilled water was used as a working fluid of MLHP. The outer diameter of evaporator was 9 mm and its length was 119 mm. The effective pore size of the capillary structure was 30 micron and its porosity was 60%. The vapor transport line, the liquid transport line and the condenser were consisted of single 4.0 mm copper tube. The distance between the evaporator and the condenser region was 200 mm and the length of the loop was 969 mm. This MLHP was operated successfully at any orientation but the gravity highly influenced the thermal performance of the MLHP. The maximum thermal load was 130 watts at the bottom heat mode and the 20 watts at the top heat mode.
Chu, Ta-Ya;Chen, Szu-Yi;Chen, Jenn-Fang;Chen, Chin H.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.972-974
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2005
For display drivers employ typically a-Si n-channel field effect transistors, they require an inverted OLED structure with a cathode as the bottom contact. ITO is regarded as the bottom cathode and can be applied to large size AM-OLED and transparent inverted OLEDs. We report the effective structure to improve the efficiency of electron injection from ITO cathode to $Alq_3$. We report the effective structure to improve the efficiency of electron injection from ITO cathode to Alq3 and studied the current density-voltage characteristics of trilayer ($Alq_3-LiF-Al$), LiF and Mg inserted between ITO and $Alq_3$, respectively. We discovered that 1 nm Mg afforded the highest efficiency.
We analysed perovskite $CH_3NH_3PbI_{3-x}Cl_x$ inverted planer structure solar cell with nickel oxide (NiO) and spiroMeOTAD as hole conductors. This structure is free from electron transport layer. The thickness is optimized for NiO and spiro-MeOTAD hole conducting materials and the devices do not exhibit any significant variation for both hole transport materials. The back metal contact work function is varied for NiO hole conductor and observed that Ni and Co metals may be suitable back contacts for efficient carrier dynamics. The solar photovoltaic response showed a linear decrease in efficiency with increasing temperature. The electron affinity and band gap of transparent conducting oxide and NiO layers are varied to understand their impact on conduction and valence band offsets. A range of suitable band gap and electron affinity values are found essential for efficient device performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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