Kim, Je-Hyeong;O, Chung-Seok;Go, Yeong-Ho;Go, Seok-Min;Jo, Yong-Hun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.48-48
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2011
We have developed a chemically-driven top-down approach using vapor phase HCl to form various GaN nanostructures and successfully demonstrated dislocation-free and strain-relaxed GaN nanostructures without etching damage formed by a selective dissociation method. Our approach overcomes many limitations encountered in previous approaches. There is no need to make a pattern, complicated process, and expensive equipment, but it produces a high-quality nanostructure over a large area at low cost. As far as we know, this is the first time that various types of high-quality GaN nanostructures, such as dot, cone, and rod, could be formed by a chemical method without the use of a mask or pattern, especially on the Ga-polar GaN. It is well known that the Ga-polar GaN is difficult to etch by the common chemical wet etching method because of the chemical stability of GaN. Our chemically driven GaN nanostructures show excellent structure and optical properties. The formed nanostructure had various facets depending on the etching conditions and showed a high crystal quality due to the removal of defects, such as dislocations. These structure properties derived excellent optical performance of the GaN nanostructure. The GaN nanostructure had increased internal and external quantum efficiency due to increased light extraction, reduced strain, and improved crystal quality. The chemically driven GaN nanostructure shows promise in applications such as efficient light-emitting diodes, field emitters, and sensors.
Saline conditions invoke oxidative stress attributed to the overproduction of reactive oxygen species (ROS). Changes in quantum efficiency and antioxidative enzyme activity upon salt treatment were examined in a salt-tolerant plant, Atriplex gmelini, to test the hypothesis that salt tolerance of A. gmelini is due to the increased activity of antioxidative enzymes. A. gmelini showed optimum growth at 100 mM NaCl producing 116% of the shoot dry weight over control plants in 0 mM NaCl treatment. Healthy growth persisted up to 300 mM NaCl treatment maintaining normal internal water content and dry weight. No photochemical stress or damages on antioxidative defense system was obvious in plants of 2 and 4 day salt treatment which was indicated by increased quantum efficiency (Fv/Fm value), decreased stress index (Fo/Fm value), and increased activity of antioxidative enzymes such as SOD, APX, GR. However, the plants treated with 400 mM NaCl showed decrease in growth and in antioxidative enzyme activity although the enzyme activity was still higher than that of the 0 mM NaCl treated plants (l31%, 114%, and 134% of the SOD, APX, and GR activity, respectively). Interestingly, another important antioridative enzyme that scavenges H₂O₂ in plant cells, CAT, showed rapid decrease in its activity as salt concentration increased; 38%, 22%, 15% of the 0 mM NaCl treated plants at 200, 300, 400 mM NaCl treatments, respectively. It appears that the enzymes in ascorbate-glutathione cycle such as APX and GR play the major roles in scavenging ROS produced by salt stress in A. gmelini. After 6 days of salt treatment, the damage in photochemical and antioxidative defense system was indicated by decreased Fv/Fm value and increased Fo/Fm value. A. gmelini appears to cope with short term salt treatment by enhanced activity of the antioxidative defense system, whereas long term stress invoke oxidative stress by increased ROS due to the damages in photochemical and antioxidative system.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.386-386
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2012
For white light emitting diode (LED) applications, it has been reported that Y3Al5O12:Ce3+ (YAG:Ce) in nano-sized phosphor performs better than it does in micro-sized particles. This is because nano-sized YAG:Ce can reduce internal light scattering when coated onto a blue LED surface. Recently, there have been many reports on the synthesis of nano-sized YAG particles using bottom-up method, such as co-precipitation method, sol-gel process, hydrothermal method, solvothermal method, and glycothermal method. However, there has been no report using top-down method. Top-down method has advantages than bottom-up method, such as large scale production and easy control of doping concentration and particle size. Therefore, in this study, nano-sized YAG:Ce phosphors were synthesized by a high energy beads milling process with varying beads size, milling time and milling steps. The beads milling process was performed by Laboratory Mill MINICER with ZrO2 beads. The phase identity and morphology of nano-sized YAG:Ce were characterized by X-ray powder diffraction (XRD) and field-emission scanning electron microscopy (FESEM), respectively. By controlling beads size, milling time and milling steps, we synthesized a size-tunable and uniform nano-sized YAG:Ce phosphors which average diameters were 100, 85 and 40 nm, respectively. After milling, there was no impurity and all of the peaks were in good agreement with YAG (JCPDS No. 33-0040). Luminescence and quantum efficiency (QE) of nano-sized YAG:Ce phosphors were measured by fluorescence spectrometer and QE measuring instrument, respectively. The synthesized YAG:Ce absorbed light efficiently in the visible region of 400-500 nm, and showed single broadband emission peaked at 550 nm with 50% of QE. As a result, by considering above results, high energy beads milling process could be a facile and reproducible synthesis method for nano-sized YAG:Ce phosphors.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.328-328
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2007
Large area matrix-addressed image detectors are a recent technology for x-ray imaging with medical diagnostic and other applications. The imaging properties of x-ray pixel detectors depend on the quantum efficiency of x-rays, the generated signal of each x-ray photon and the distribution of the generated signal between pixels. In a phosphor coated detector the light signal is generated by electrons captured in the phosphor screen. In our study we simulated the lateral spread distributions for phosphor coupled detector by Monte Carlo simulations. Most simulations of such detectors simplify the setup by only taking the conversion layer into account neglecting behind. The Monte Carlo code MCNPX has been used to simulate the complete interaction and subsequent charge transport of x-ray radiation. This has allowed the analysis of charge sharing between pixel elements as an important limited factor of digital x-ray imaging system. The parameters are determined by lateral distribution of x-ray photons and x-ray induced electrons. The primary purpose of this study was to develop a design tool for the evaluation of geometry factor in the phosphor coupled optical imaging detector. In order to evaluate the spatial resolution for different phosphor material, phosphor geometry we have developed a simulation code. The developed code calculates the energy absorption and spatial distribution based on both the signal from the scintillating layer and the signal from direct detection of x-ray in the detector. We show that internal scattering contributes to the so-called spatial resolution drop of the image detector. Results from the simulation of spatial distribution in a phosphor pixel detector are presented. The spatial resolution can be increased by optimizing pixel size and phosphor thickness.
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