• 한국재료학회지
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• 제7권6호
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• pp.522-528
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• 1997

RF-magnetron Sputtering Process를 이용하여 Pt/Ti/Si(100)기판위에 lanthanum-modified lead titanate 박막을 제작하였다. 기판온도와 증착시간이 증가함에 따라 증착율은 감소하였다. 기판온도가 증가함에 따라 fine grain들은 large grain으로 변화하였다. Perovskite구조는 기판온도 54$0^{\circ}C$, gas pressure 30mtorr에서 나타나기 시작하였다. 본 실험에서 perovskite 박막제작에 대한 조건은 기판온도 58$0^{\circ}C$, gas pressure 30mtorr였다. Pt/Ti/Si(100) 우선 배향된 박막을 얻었다. La양이 증가함에 따라 유전율, 항전계, 잔류분극량은 증가하였다. 중심주파수가 44.7MHz, 전파속도는 2680m/sec를 가지는 SAW filter 특성을 얻었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권2호
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• pp.124-128
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• 1997

An attempt was made to understand the dissolution and reprecipitation behavior of the constituent phases such as TiC, TiN, and Ti(CN) in TiC-TiN-Ni system. During the liquid-phase sintering the TiC phase was found to dissolve preferentially in Ni binder. The solid-solution phase, Ti(CN), formed around the TiN phase, resulting in a core/rim structure. This result was reproduced when large TiC particles were used with fine TiN particles. The path for the microstructural change in TiC-TiN-Ni system was largely controlled by the difference in the interfacial energy of each phase with the liquid binder phase. The results were discussed with thermodynamic principles.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.617-619
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• 2008

Inorganic-organic hybrid multilayers were formed on the plastic substrate to enhance the barrier properties of substrate to water vapor and oxygen transport. Plasma pretreatment of substrate with $Ar/O_2$ lead to adhesion improvement and the densification of inorganic layer on the substrates. Combination of $SiO_xN_y$ layer and silanenanoclay composite layer offered quite good barrier properties (WVTR and OTR) to PES substrate.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권3호
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• pp.306-314
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• 1994

자체 제작한 EFG 장치를 이용하여 ${\alpha}-Al_2O_3 ribbon$ 형태의 단결정을 육성하였다. EFG법의 원리를 연구하여 성장 조건을 수립하였고 성장한 단결정의 특성을 분석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권1호
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• pp.15-18
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• 2012

Transparent conductive indium zinc oxide thin films were prepared by spin-coating a sol-gel solution. Zinc acetate dihydrate [$Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O$] and indium acetate [In$(CH_3COO)_3$] were used as starting precursors, and 2-methoxyethanol with 1-propanol as solvents. Upon annealing in a temperature range from 500 to $1000^{\circ}C$, the thin film crystallizes into polycrystalline $In_2O_3$(ZnO). The lowest electrical resistivity was obtained at an annealing temperature of $700^{\circ}C$ as $2{\Omega}{\cdot}cm$. Average optical transmittances were higher than 80% at all annealing temperatures. These experimental results confirm that the sol-gel spin-coating can be a good simplified practical method for forming transparent electrodes.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제4권1호
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• pp.5-8
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• 1998

Flat belt(FB) type high pressure apparatus has been succesfully utilized in various high pressure experimental stations in Korea and Japan to conduct HPHT (high pressure and high temperature) diamond synthesis. Present paper discusses pressure calibration of FB apparatus at high temperature to establish P-T condition of diamond synthesis. We also present some examples of controling P-T condition through careful experimental set-up of the high pressure sample cells. Finally we discuss reproducibility of pressure and temperature condition of the HPHT diamond synthesis.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.43-50
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• 1989

This experiment was conducted to investigate correlation between microstructure and electrical properties according to Zr/Ti mole ratio in Rhombohedral Phase PZT. Domain behavoir was investigated by the change of thermal expansion coefficient. Piezoelectric properties, the temperature dependence of dielectric constant and the change of dielectric constant before and after poling were measured. Crystal structure, the measurement of lattice parameter were carried by X-ray analysis. Domain pattern before and after poling was examined by SEM.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.171-171
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• 2008

본 연구는 초음파 알루미늄 웨지 및 금 볼 본딩을 동시에 적용 가능한 본딩 Pad의 금속학적 안정성을 고려한 표층전극 형성 방법에 관한 것이다. 특히, 이동통신 및 전장용 모듈의 복합 및 융합화로 LTCC기판 패키징에 있어서 다양한 본딩 기술이 요구되고 있다. 전통적인 interconnection 기술인 Au ball 본딩 및 초음파 에너지를 이용한 Al wedge 본딩 기술이 동시에 사용되어야 하는 패키지 구조의 경우 본딩 패드의 표층전극 설계는 서로 상충되는 조건이 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 LTCC기판의 표층전극의 Metal finish 방법으로 이용되는 ENEPIG(무전해 Ni/Pd/Au도금)공법으로 Au ball 본딩 및 초음파 Al wedge 본딩을 동시에 가능하게 하는 solution을 제시하여 패키징 자유도뿐만 아니라 Interconnection 신뢰성을 확보할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권2호
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• pp.111-118
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• 1994

Crystal growth chamber 상부에 있는 reservoir에서 polycrystalline silicon powder를 연속적으로 feeding하면서 도가니 하부에 용융대를 형성시키고 seed를 meed를 dipping하여 회전시키면서 하부로 끌어내려 단결정을 성장시키는 연속성장법의 기본 원리를 확립하였고, 직접 고안 설계 제작한 연속성장 장치로 silicon 단결정을 성장시켰다. 본 연속성장법은 melt에 미치는 중력, 진동, melt의 표면장력, melt와 solid의 계면 장력, seed의 회전에 따른 원심력 등의 힘들이서로 상쇄되고 power, feeding양과 성장속도가 비례하여 적당한 조합을 이룰 때 안정한 연속성장을 할 수있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권2호
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• pp.190-198
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• 1994

자체 제작한 EFG 장치를 이용하여 ${alpha}-Al_2O_3$ rod 형태의 단결정을 육성하였다. EFG법의 원리를 연구하여 성장 조건을 수립하였고 성장한 단결정의 결함 voids, striation, 균열, 과 냉각 현상을 광학현미경으로 분석하였다.