• 기술혁신연구
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• 제9권2호
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• pp.77-97
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• 2001

The 21st century is not only the knowledge-based society but also the unifie era for Korea. It implies that Korea should prepare for the unification, especially in the area of knowledge, science, and technology. Under this background, this paper deals with how we can prepare for the unification of South and North Korea in science and technology (S&T) area. There have been no sufficient theoretical studies in this area. This paper, therefore, argues that regional innovation system, which has been developed since the beginning of the 1990s, could be effectively applied to the S&T cooperation and unification between both Koreas. It argues that regional innovation systems can formulate sectoral innovation systems effectively, which lead to a competent national innovation system. According to this study, South and North Korean regions have complementary sectoral innovation systems that could effectively cooperate with each other. Such S&T cooperation could make a great contribution to the S&T integration between two Koreas in the future. This paper argues, therefore, that S&T cooperation between two Koreas should target the unification of South and North Korean regional innovation systems. This paper names it as the unified national innovation system.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2003년도 생물공학의 동향(XIII)
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• pp.642-642
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• 2003

• 기술혁신연구
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• 제23권3호
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• pp.1-19
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• 2015

본 연구는 지금까지 해외 및 국내에서 진행되어온 표준(standards)과 기술혁신(technological innovation)의 연관성에 대한 연구동향과 주요 연구과제를 파악하고 전망한다. 먼저 표준과 기술혁신의 상호작용에 관한 쟁점을 다루고 혁신단계별 및 혁신유형별로 표준의 역할과 관련된 쟁점들을 파악한 다음, 거시적 및 제도적 차원에서 표준과 기술혁신의 관계를 다룬다. 이를 토대로 기술혁신연구 금번 특집호에 실린 표준 관련 논문들을 구분하고 소개한다. 마지막으로 표준과 기술혁신에 대한 향후 연구과제를 전망한다. 아직도 국내에서 표준 및 표준화에 대한 경제적 측면에서의 연구가 매우 미흡한 상황에서 본 연구는 연구동기를 자극할 뿐만 아니라 앞으로의 연구방향을 제시할 수 있을 것이다.

• 기술혁신학회지
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• 제1권3호
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• pp.313-325
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• 1998

Government-Supported Research Institutes(GSRI) have done complex product(CP) development with national needs. The products to be developed have very limited demand. The most important things at CP development are technology innovation through knowledge creation and acquisition. Then, this paper suggests the technology innovation system for CP development. In CP development like satellite, government must do strategic management at national level and technology management at program level. Two managements are tools to achieve the strategic goals. The key points in CP are integration and interface among subsystems and person. From these factors and innovation system, R&D planning and practice are based on sharing and creation of knowledge. CP development projects ought to overlap and parallel for sustainable acquisition and creation of knowledge.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권4호
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• pp.45-50
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• 2004

본 논문에서는 소자 결합 구조를 통해 발진전력이 합쳐지는 회로를 이용한 저전압, 고효율 Q-band MIMIC 발진기를 제안한다. 0.1 ㎛ GaAs PHEMTS와 CPW 전송라인을 사용하여 제안된 구조의 발진기를 성공적으로 집적화하였다. 제작된 발진기는 34.56 ㎓ 주파수에서 2.6 ㏈m의 출력 전력일때 19 %의 높은 효율특성을 가졌다. 이때 회로에 인가된 전압은 2.2 V로 현재까지 Q-band에서 발표된 발진기보다 낮은 구동전압 특성을 얻었다. 또한 최대 출력 전력은 34.56 ㎓ 주파수에서 6.7 ㏈m을 얻었다.

• 중소기업연구
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• 제42권4호
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• pp.103-122
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• 2020

본 연구는 중소기업 기술혁신에 대한 연구동향을 분석하고 향후 연구과제를 제시하였다. 중소기업 기술혁신 주제를 연구한 114편의 학술논문을 대상으로 연구주제와 방법론적 동향을 분석하였다. 연구주제에 있어서는 1980년대에는 기업의 기술능력과 기술축적에 대한 관심이 높았고, 2000년대 이후에는 외부 개방형혁신과 기술혁신 성과관련 주제 연구들이 증가하였다. 방법론적으로는 2000년대 이후에는 1차 자료 또는 2차 자료를 활용한 실증분석 연구가 주를 이루고 있음을 확인하였다. 향후 연구과제로는 중소기업 기술혁신 특성 연구, 기술혁신을 위한 외부환경과의 상호작용 연구 및 중소기업 기술혁신형 이론 및 방법론으로 구분하고 영역별 향후 연구방향을 제시하였다

• 기술혁신학회지
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• 제15권3호
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• pp.500-532
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• 2012

본 연구는 반도체 IP산업의 지식기반 기업에 있어 기술혁신전략에 대하여 분석한 것이다. 분석을 위한 이론적인 논의는 i)지식의 창조 보호 활용과 혁신에 관한 이론, ii)혁신으로부터 가치 창출에 대한 이론 iii)모듈화, 시장진입시기, 표준(지배적 디자인)의 등장 경쟁 등의 중심으로 수행되었다. 이러한 이론적인 선행 연구를 통해 지식기반 기업의 기술혁신전략에 대한 탐색적인 연구가설을 제시하였다. 그리고 최종적으로 이러한 반도체 IP산업의 대표적인 지식기반 기업으로 ARM과 INTEL의 기술혁신 전략 사례 분석을 분석하여, 제시된 연구 가설들을 확인하였다. 첫째, 기술 주기에 있어 초기단계에 진입하는 지식기반기업은 i)상호보완적 자산(지식)에 대한 접근성이 낮아 수직 통합하는 기술 전략을 선택하며, ii)환경변화로 인한 산업의 가치사슬 분화에도 불구하고 수직결합적인 기술 전략을 주요한 방향으로 유지한다. 둘째, 기술 주기에 있어 후기단계에 진입하는 지식기반 기업은 i)상호보완적 지식자산에 대한 접근성이 높아져 계약거래를 통한 기술 혁신 전략을 선호하며, ii)보유한 지식자산에 있어 불연속적인 특징의 존재여부에 따라 기술 혁신 전략의 경로를 다르게 선택한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.471-472
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• 2006

The passivation technology is very important, because this technology can protect a device against the influence of ambient environment, and prevent the performance reduction. In this paper, we fabricated the $0.1{\mu}m\;{\Gamma}$-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) on GaAs substrates using the low-k benzocyclobutene (BCB) and $Si_3N_4$ as a passivation and we performed the comparisons of characteristics of the MHEMTs. After passivation, the DC and RF measurement results were decreased either the conventional Si3N4 or BCB layers. The decrement of the BCB passivation was smaller than the $Si_3N_4$ passivation.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권12호
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• pp.7-12
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• 2004

본 논문에서는 0.1 $\mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 DC~45 GHz 대역의 광대역 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 분산 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 442 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 409 mS/mm를 얻었다. RF 특성으로 fT는 140 GHz fmax는 447 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 분산 증폭기를 설계하였다. 설계된 분산 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용하여 제작하였으며, MIMIC 분산 증폭기의 측정결과, DC ~ 45 GHz대역에서 6 dB 이상의 S21 이득을 얻었으며, 입력반사 계수는 45 GHz에서 -10 dB, 출력반사계수는 -7 dB의 특성을 나타내었다. 제작된 분산 증폭기의 칩 크기는 2.0 mm$\times$l.2 mm다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1133-1136
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• 2002

We designed and fabricated a low local oscillation (LO) power V-band CPW mixer module using a CPW-to-waveguide transition technology for the application of millimeter-wave wireless communication systems. The mixer was designed using a unique gate mixing architecture to achieve simultaneously a low LO input power, a high conversion gain, and good LO-RF isolation characteristics. The fabricated mixer exhibited a high conversion gain of 2 dB at a low LO power of 0 dBm. For data transmission of the 60 ㎓ wireless LNA systems, we fabricated a CPW-to-waveguide converter module of WR-15 type and mounted the fabricated mixer in the converter module. The fabricated V-band mixer exhibited a higher conversion gain and a lower LO input power than other reported V-band mixers.