This study was carred out to get the basic conditions for the mycelial growth of Morchella esculenta in shaking flask culture. The optimal temperature and initial pH of mycelial growth of Morchella escuzenta were 25$\pm$1$^{\circ}C$ and 6.5, respectively. The optimal medium was BG medium. Among the carbon sources tested, fructose was favorable for the mycelial growth and optimal fructose concentration was 5.0% (w/v). As nitrogen sources, peptone and NH$_4$Cl appeared to be favorable and optimal concentration was 4.0% [(w/v), ratio of 1:1].
The growth and removal capacity of nitrogen and phosphorus of Chlorella vulgaris were evaluated in artificial wastewater with different nitrogen and phosphorus concentrations as element growing components for microalgae growth. The nitrogen concentration was varied in 9, 15, 30 and 60 mg-N/L with fixed phosphorus concentration of 3 mg-P/L. The growth and phosphorus removal capacity of C. vulgaris were high at initial nitrogen concentration of 15 and 30 mg-N/L, and the corresponding N/P ratios calculated were 5 and 10. In the case of varying in 1.5, 3, 6 and 10 mg-P/L of phosphorus concentration with fixed nitrogen concentration of 30 mg-N/L, the growth and removal capacity of nitrogen and phosphorus were excellent with phosphorus concentration of 3 and 6 mg-P/L. The corresponding N/P ratios were shown as 10 and 5. Therefore, the appropriate N/P ratio was concluded between 5 and 10 for wastewater treatment using C. vulgaris.
The Purpose of this study is to analyze the contribution of the total human capital formation to economic growth in Korea. In order to assess the contribution of the total human capital formation to economic growth, aggregate production functions are estimated using two ways of ordinary least squares and polynomial distributed lags based on 1955 - 1988 time series data in Korea. The total amount of investment in human capital is calculated by adding each amount of investment in formal education, vocational training, inter-provincial migration, and health in pecuniary terms. The findings of this study could be summarized as follows ; (1) If we enumerate the variables in good order according to the importance, we get the following ; namely, total number of labor force, inter-provincial migration, vocational training, health, physical capital, and formal education. (2) The contribution of the human capital to economic growth is much more larger than that of physical capital. In particular, it appears that inter-provincial migration and vocational training make a great contribution to economic growth. (3) It appears that investment in formal education has a continuous effect for fifteen years and maximum effect is observed approximately eight years later. In the case of vocational training, the effect of investment lasts for about 12-14 years and its effect on economic growth reaches maximum with the passage of seven to eight years after initial investment. (4) Investment in vocational training contributes more in the long run compared with investment in formal education. The effect of investment in formal education lasts longer than that of vocational training, while the effect of investment in vocational training is considerably larger in the short run compared with the investment in formal education.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.43
no.4
/
pp.176-179
/
2010
The InAs thin films were grown on GaAs(100) substrate with $2^{\circ}C$ tilted toward [$0\bar{1}\bar{1}$] with different As beam equivalent pressure (BEP) by using molecular beam epitaxy. Growth temperature and thickness of the InAs thin films were $480^{\circ}C$ and 0.5 ${\mu}m$, respectively. We studied the relation between the As BEP and the properties of InAs thin films. The properties of InAs thin films were observed by reflection high-energy electron diffraction (RHEED), optical microscope, and Hall effect. The growth, monitored by RHEED, was produced through an initial 2D (2-dimensional) nucleation mode which was followed by a period of 3D (3-dimensional) island growth mode. Then, the 2D growth recovered after a few minutes and the streak RHEED pattern remained clear till the end of growth. The crystal quality of InAs thin films is dependent strongly on the As BEP. When the As BEP is $3.6{\times}10^{-6}$ Torr, the InAs thin film has a high electron mobility of 10,952 $cm^2/Vs$ at room temperature.
As a way to account for the variability of the primary model parameters in the secondary modeling of microbial growth, three different regression approaches were compared in determining the confidence interval of the temperature-dependent primary model parameters and the estimated microbial growth during storage: bootstrapped regression with all the individual primary model parameter values; bootstrapped regression with average values at each temperature; and simple regression with regression lines of 2.5% and 97.5% percentile values. Temperature dependences of converted parameters (log $q_o$, ${\mu}_{max}^{1/2}$, log $N_{max}$) of hypothetical initial physiological state, maximum specific growth rate, and maximum cell density in Baranyi's model were subjected to the regression by quadratic, linear, and linear function, respectively. With an advantage of extracting the primary model parameters instantaneously at any temperature by using mathematical functions, regression lines of 2.5% and 97.5% percentile values were capable of accounting for variation in experimental data of microbial growth under constant and fluctuating temperature conditions.
Kim, Dae-Jong;Oh, Seung-Jin;Jang, Chang-Heui;Kim, In-Sup;Chi, Se-Hwan
Carbon letters
/
v.7
no.1
/
pp.19-26
/
2006
Three point bending tests of single edge notched beam (SENB) specimens were carried out to evaluate the fracture behavior of the fine-grain isotropic nuclear grade graphite, IG-11. To measure the crack initiation point and the subsequent crack growth, the direct current potential drop (DCPD) method and a traveling microscope were used. The effects of test variables like initial crack length, specimen thickness, notch type and loading rate on the measured fracture toughness, $K_Q$, were investigated. Based on the test results, the ranges of the test variables to measure the reliable fracture toughness value were proposed. During the crack growth, the rising R-curve behavior was observed in IG-11 graphite when the superficial crack length measured on the specimen surface was used. The increase of crack growth resistance was discussed in terms of crack bridging, crack meandering, crack branching, microcracking and crack deflection, which increase the surface energy and friction force.
Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
/
2014.11a
/
pp.119-120
/
2014
In this study, we looked into the method to establish fire growth rate by buildings use for growing fire at the beginning of a fire considering the characteristics of the combustibles in a performance-based design. Actual conditions survey and literature review were carried out for the fire load and exposed surface area of combustibles to establish design fire by domestic building use. As a results, a simplified prediction equation of fire growth rate which depends on fire load and weight of combustibles could be derived by calculating the relation between the fire load and the fire growth rate of an initial fire through investigation of combustibles by domestic building use.Also, as a result of analyzing the placement of combustibles and location of the ignition source, it was found that the influence of the materials of the combustibles and the materials of the combustibles adjacent to the ignition source is big. Though 4 different experiments were carried out for the evaluation, the result of comparing the findings with those of FGR model showed that the fire growth rate was similarly derived.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.11
no.1
/
pp.12-17
/
1998
The heteroepitaxial growth of InP and GaInAs on GaAs substrates has been studied by using a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and trimethylgallium (TMGa) as group III sources, and tertiarybutylarsine (TBAs) and tertiarybutylphosphine (TBP) as group V sources. Device quality InP heteroepitaxial layers were obtained by using a two-step growth process under atmospheric pressure, involving a growth of an initial nucleation layer at low temperature followed by high temperature annealing and the deposition of epitaxial layer at a growth temperature. The continuity and thickness of nucleation layer were important parameters. The InP layers deposited at 500$^{\circ}$- 55$0^{\circ}C$ are all n-type, and the electron concentration decreases with decreasing TBP/EDMIn molar ratio. The excellent optical quality was revealed by the 4.4 K photoluminescence (PL) measurement with the full width at half maximum (FWHM) of 4.94 meV. Epitaxial Ga\ulcorner\ulcorner\ulcornerIn\ulcorner\ulcorner\ulcornerAs layers have been deposited on GaAs substrates at 500$^{\circ}$ - 55$0^{\circ}C$ by using InP buffer layers. The composition of GaInAs was determined by optical absorption measurements.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2013.08a
/
pp.281.1-281.1
/
2013
Shape control of gold nanocrystal is still one of the most important challenges remaining to achieve geometry dependent properties. Thus far, several strategies have been developed to control the shape of nanoparticles, such as adding capping agents and diverse additives or adjusting the temperature and pH. Here, we used an already established seed-mediated method that allowed us to focus on controlling the growth stage. Cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) and ascorbic acid (AA) were used as the ligand and the reducing agent, respectively, without using any additional additives during the growth stage. We investigated how the relative ratio of CTAB and AA concentrations could be a major determinant of nanoparticle shape over a wide concentration range of CTAB and AA. As a result, a morphology diagram was constructed experimentally that covered the growth conditions of rods, cuboctahedra, cubes, and rhombic dodecahedra. The trends in the morphology diagram emphasize the importance of the interplay between CTAB and AA. Furthermore, high-index faceted gold nanocrystal was obtained by two step seeded growth. Already synthesized cubic particles developed into hexoctahedral nanocrystal consisting of 48 identical {321} facets, which indicates that the growth of gold nanocrystal is affected by initial morphology of seed particles. The hexoctahedral gold nanoparticles can be used in catalysis and optical applications which exploiting their unique geometry. Our research can provide useful guidelines for designing various facetted geometries.
This study was carried out to get the basic data for the mycelial growth of Lentinus lepideus in liquid culture. The optimal temperature and initial pH of mycelial growth of Lentinus lepideus were $25^{\circ}C$ and pH 5.5, respectively. The optimal medium was YMG medium. Among the carbon sources tested, glucose was effected to the mycelial growth and optimal glucose concentration was 4% (w/v). As nitrogen sources, malt extract and yeast extract appeared to be favorable and optimal malt extract and yeast extract [ratio (w/w) of 1:1] concentration was 1.5% (w/v).
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.