Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.23
no.2
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pp.288-298
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1999
In spark ignited engines, the electrical spark not only sets the time for the onset of combustion but also is able to greatly influence the character of the initial flame growth and the subsequent combustion, and thereby can influence engine performance. The relative importance of the ignition energy is particularly high under lean or high residual gas or exhaust gas recirculation (EGR). In this study, a modeling of flame Initiation and its development is proposed. Submodels consist in representing of cylinder pressure and temperature, heat transfer to cylinder wall, and flame kernel heat transfer to ambient air and to spark plug electrodes. The breakdown process and the subsequent electrical power input initially control the kernel growth while intermediate growth is mainly dominated by diffusion or conduction. Then, the flame propagates by the chemical energy, and laminar and turbulent flame velocity.
The influences of silicon and MgO seed particle on the reconstruction characteristics of MgO protective layer were investigated to clarify the mechanism of reconstruction and exaggerated grain growth (EGG) in AC-PDP. The reconstruction and EGG are closely correlated with the driving force for nucleation and growth, interface energy and initial size distribution of MgO protective layer in plasma space during discharge in AC-PDP.
Aluminum nitride(AIN) thin films were deposited on SiO$_2$/Si substrates by reactive sputtering for the application of SAW devices. The major deposition parameters such as pressure, nitrogen fraction, rf power, substrate distance were changed to find out the optimal condition for c-axis oriented thin films on an amorphous substrate. The effects of deposition parameters on the crystal structure, residual stress, and growth morphology of thin films were characterized by XRD, SEM, and TEM. The FWHM of (002) rocking curve of the films deposited at the proper condition was lower than 2.2$^{\circ}$(C=0.93$^{\circ}$). Cross-sectional TEM showed that self-aligned structure was developed just after slightly random growth at the initial stage. The frequency characteristics of test device fabricated from AIN thin films confirmed their piezoelectric property and applicability for SAW devices.
UIW-10 mutant obtained by UV treatment using sulfur-oxidizing bacteria, Thiobacillus sp. IW was studied. The colony size of UIW-10 was found 2 $^{\sim}$ 3 times bigger in diameter than the parent colony on TAM medium. UIW-10 mutant growth was two times higher than parent strain at 6 h culture in liquid medium containing sulfides such as sulfur and sodium thiosulfate. Initial pH and temperature for the optimum growth of UIW-10 were 6.0 and $35-40^{\circ}C$, respectively. It was found that addition of 0.5% yeast extract and 0.5 to 2.0% tryptone as nitrogen sources and the constant agitation at 150 to 200 rpm had a positive effect and the growth of UIW-10 was increased.
The development of a protocol for high efficiency of embryogenic callus separation, maintenance and plant regeneration from the seeds of zoysiagrass cv. Zenith was studied. Embryogenic callus ratio is absolutely determined by genotype, but by adding high concentration of copper into medium, changing light condition and maintaining callus on initial induction medium for 8∼10 weeks, embryogenic callus can be easily distinguished and its growth can be promoted. There were significant differences among selected callus lines (each from one seed) according to their growth rates and regeneration percentages. Callus pre-treatment with activated charcoal inhibited callus growth, increased the level of precocious germination during culture and promoted shoot cluster formation after transfer to regeneration medium. For long-term callus maintenance, N6AA medium was better than MS medium, because the former inhibited non-embryogenic callus formation and kept vigor of embryogenic callus. The best callus lines Z-(5) has been successfully used for transformation and somaclonal variation selection in our laboratory.
Non-linear behavior of rock under compression can be predicted by a crack model. Crack growth in rock renders rock anisotropic. The degree of anisotropy is explained in terms of elastic moduli as a function of load level. In this study, we calculate the changes of elastic moduli due to crack growth numerically by using a crack model and compare these values with experimental results obtained from the measurement of ultrasonic wave velocities. Image processing technique is used to obtain the initial crack information needed for the numerical calculation of elastic moduli.
Proceedings of the Korean Society for Rock Mechanics Conference
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2000.09a
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pp.47-55
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2000
Non-linear behavior of rock under compression can be predicted by a crack model. Crack growth in rock renders rock anisotropic. The degree of anisotropy is explained in terms of elastic moduli as a function of load level. In this study, we calculate the changes of elastic moduli due to crack growth numerically by using a crack model and compare these values with experimental results obtained from the measurement of ultrasonic wave velocities. Image processing technique is used to obtain the initial crack information needed for the numerical calculation of elastic moduli.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.12
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pp.1027-1031
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2001
A new constant growth technique to conserve an initial grating height of V-groove AlGaAs/InGaAs quantum nanostructures above 1.0 $\mu\textrm{m}$ thickness has been successfully embodied on submicron gratings using low pressure metalorganic chemical vapor deposition. A GaAs buffer prior to an AlGaAs barrier layer on submicron gratings plays an important role in overcoming mass transport effects and improving the uniformity of gratings. Transmission electron microscopy (TEM) image shows that high-density V-groove InGaAs quantum wires (QWRs) are well confined at the bottom of gratings. The photoluminescence (PL) peak of the InGaAs QWRs is observed in the temperature range from 10 to 280 K with a relatively narrow full width at half maximum less than 40 meV at room temperature PL. The constant growth technique is an important step to realize complex optoelectronic devices such as one-step grown distributed feedback lasers and two-dimensional photonic crystal.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.27
no.2
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pp.83-90
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1994
We have investigated the mechanism for the abnormal oxide growth occuring during oxidation of the crystalline tungsten silicide. TEM and XPS analysis reveal the abnormaly grown oxide layer consisting of crystalline $Wo_3$ and amorphous $SiO_2$. The presence of crystalline $Wo_3$ provides a rapid diffusion of oxygen through the oxide layer. The abnormal oxide growth is mainly due to the poor quality of initial oxide layer growth on tungsten silicide. Two species such as tungsten and silicon from decomposition fo tungsten silicide as well as silicon supplied from the underlying polysilicon are the main contributors sto abnormal oxide forma-tion. Consequently, the abnormal oxidation results in the disintegration of tungsten silicide and thinning of polysilicon as well.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.16
no.6
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pp.100-107
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1999
This paper describes a probabilistic remaining life assessment program for the creep crack growth. The probabilistic life assessment program is developed to increase the reliability of life assessment. The probabilistic life assessment involves some uncertainties, such as, initial crack size, material properties, and loading condition, and a triangle distribution function is used for random variable generation. The resulting information provides the engineer with an assessment of the probability of structural failure as a function of operating time given the uncertainties in the input data. This study forms basis of the probabilistic life assessment technique and will be extended to other damage mechanisms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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