The prediction methods of diffraction field in barrier has beenreported much about the infinite length barrier and it is very few work that reasonable sound source was used in experiment. This study, however, has worked about the several model barrier with acoustic scale model experiment. In the case of scale model experiment, it is difficult to use the kind of source with sufficiently characteristics. A spark discharge sound source with the high repeatability, broad band spectra, small size and omnidirectivity has veen used for the prediction of diffraction field. Several model barriers with different length on the ground were considered for the experiment and compared with the the results calculated by the approximation.
In this paper performance of the noise barrier which is 53 m long and 6m high, and is located between the high rise apartment and road, is studied by using experimental and analytic method. The insertion loss is measured by using the direct method in accordance with the ISO code, while theoretical prediction is based on Muradali and Fyfe's method (Applied Acoustics, Vol. 53, 49~75, 1998). In addition to the diffraction at the top of the barrier, the waves are reflected infinite times between the building and the barrier, which is equivalent to replacing the building by the infinite series of the image receiver points. In two-dimensional study, the prediction of the insertion loss results in significantly overestimated values compared with the measurement. However three-dimensional analysis shows reasonable agreements, where traffic noise is assumed as incoherent line source and the length of the source is larger than that of the barrier.
In this paper, the procedure for deriving an infinite element that is compatible with the quadrilateral Q8 element is first summarized. Enhanced by a self mesh-expansion procedure for generating the impedance matrices of different frequencies for the region extending to infinity, the infinite element is used to simulate the far field of the soil-structure system. The structure considered here is of the box type and the soils are either homogeneous or resting on a bedrock. Using the finite/infinite element approach, a parametric study is conducted to investigate the effect of open and in-filled trenches in reducing the structural vibration caused by a train passing nearby, which is simulated as a harmonic line load. The key parameters that dominate the performance of wave barriers in reducing the structural vibrations are identified. The results presented herein serve as a useful guideline for the design of open and in-filled trenches concerning wave reduction.
Noise barriers are widely used to reduce the sound level propagating from highways, railways or factories to residential areas. The reduced noise level at a receiver point is then determined by the diffracted waves around the edge of the barrier as well as by the transmitted waves through the barrier. For proper usage, many studies either theoretical or experimental have been made with the objective of precisely predicting the acoustic field and improving the noise attenuating properties of barriers. In this study, a simple scattering model, a line acoustic source scattered by an infinite cylinder, is introduced to simply investigate the sound attenuation efficiency of a sound-resonating barrier. From this model study, it is observed that the sound-resonating barrier can be used as a good sound-shielding element especially for the pure-tone noise generated from the transformer. Large sound-attenuation is achieved by applying the sound-resonating barrier to the large transformers in a substation.
Noise barriers are widely used to reduce the sound level propagating from highways, railways or factories to residential areas. The reduced noise level at a receiver point is then determined by the diffracted waves around the edge of the barrier as well as by the transmitted waves through the barrier. 1'or proper usage, many studies either theoretical or experimental have been made with the objective of precisely Predicting the acoustic field and improving the noise attenuating properties of barriers. In this study. a simple scattering model. a line acoustic source scattered by an infinite cylinder, is introduced to simply Investigate the sound attenuation efficiency of a sound-resonating barrier. From this model study, it is observed that the sound-resonating harrier can be used as a good sound-shielding element especially for the pure-tone noise generated from the transformer. Large sound-attenuation is achieved by applying the sound-resonating barrier to the large transformers in a substation.
Based on the MacDonald's analytic model for the diffracted sound field of a semi-infinite noise barrier, computer simulations were performed for various positions of error microphones for an active noise barrier system. The simulation process also included the effects of floor reflections on both sides of the barrier. The results were also compared with Niu's simulation results and showed a straight line arrangement of sensors and actuators, in the order of primary source, secondary source and error microphone is better than over the top arrangement of the error microphones.
자동차의 폭발적인 증가와 아울러 경부고속전철시대를 맞이함으로 인하여 소음공해는 큰 사회적 문제로 대두되고 있다. 본 연구는 이러한 소음공해에 대한 해결책의 일환으로 효율적인 방음벽을 연구 하는데 그 목적이 있다. 방음벽의 연구는 먼저 반사형 방음벽과 흡음형 방음벽에 대한 소음저감효과 를 산정한 다음, 흡음재료를 사용함으로서 감소되는 소음저감 효과를 산정하는데 큰 의의가 있다. 본 연구결과에 의하면 방음벽의 높이에 비하여 음의 파장이 대체로 짧을 때는 방음벽의 상단부분에 흡음재를 설치하면 방음벽 전체에 흡음재를 설치한 것과 같은 효과가 있다는 결론을 얻었다. 도로교통소음은 평균주파수가 550Hz 이므로 이때 파장은 60cm 정도이다. 방음벽 높이를 4m로 설치했을 때 방음벽 상단에서 60cm 정도만 흡음재를 사용하면 4m전체의 방음벽에 흡음재를 사용한 것과 같은 효과가 있는 것으로 나타났다. 흡음재를 사용한 소음저감의 효과는 점음원이고 수음자의 위치가 $135^{\circ}$ 일 때 평균 8dB(A)정도이고, 선음원일때는 평균 3dB(A)정도의 효과가 있는 것으로 나타났다 이러한 흡음형의 방음벽은 경제적일 뿐만 아니라 방음벽의 높이를 최소한 1m이상 줄일 수 있으므로 국토를 고도로 이용해야 되는 우리 나라의 여건에 대단히 효과적인 방음벽이라 사료된다.
Unlike for the bound states, several different boundary conditions are used for the continuum states above the barrier in semiconductor quantum wells. We employed three boundary conditions, infinite potential barrier boundary condition, periodic boundary condition and scattering boundary condition, and calculated the local number of states, wavefunctions and optical matrix elements for the symmetric and asymmetric quantum wells. We discussed how these quantities are related in the three boundary conditions. We argue that the scattering boundary condition has several advantages over the other two cases. These results would be useful in understanding quantum well lasers and detectors involving continuum states.
본 논문에서는 부유 플랩형 고조방파제의 응답특성에 대해서 연구하였다. 효율적인 연구를 위하여 파동장은 선형 포텐셜 이론을 적용하여 모형화하였으며, 구조물의 운동은 Newton의 운동 제2법칙을 사용하여 나타내었다. 유체 영역은 통상의 2차 보간함수를 갖는 등매개변수요소로 모형화하였으며, 방사경계조건에 접하는 외부 영역은 무한요소로 처리하였다. 수리실험결과와의 비교를 통하여 수립된 수치모델의 타당성을 입증하였으며, 개발된 수치모델을 이용하여 마산만에 부유 플랩형 고조방파제 적용가능성에 대해서 살펴보았다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.203-212
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2010
In this paper, we present an analytical model for the first eigen energy level ($E_0$) of the carriers in the inversion layer in present generation MOSFETs, having ultrathin gate oxides and high substrate doping concentrations. Commonly used approaches to evaluate $E_0$ make either or both of the following two assumptions: one is that the barrier height at the oxide-semiconductor interface is infinite (with the consequence that the wave function at this interface is forced to zero), while the other is the triangular potential well approximation within the semiconductor (resulting in a constant electric field throughout the semiconductor, equal to the surface electric field). Obviously, both these assumptions are wrong, however, in order to correctly account for these two effects, one needs to solve Schrodinger and Poisson equations simultaneously, with the approach turning numerical and computationally intensive. In this work, we have derived a closed-form analytical expression for $E_0$, with due considerations for both the assumptions mentioned above. In order to account for the finite barrier height at the oxide-semiconductor interface, we have used the asymptotic approximations of the Airy function integrals to find the wave functions at the oxide and the semiconductor. Then, by applying the boundary condition at the oxide-semiconductor interface, we developed the model for $E_0$. With regard to the second assumption, we proposed the inclusion of a fitting parameter in the wellknown effective electric field model. The results matched very well with those obtained from Li's model. Another unique contribution of this work is to explicitly account for the finite oxide-semiconductor barrier height, which none of the reported works considered.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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