The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.8
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pp.1376-1382
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2016
The discharge characteristics of inductively coupled $Ar/CH_4$ plasma were investigated by fluid simulation. The inductively coupled plasma source driven by 13.56 Mhz was prepared. Properties of $Ar/CH_4$ plasma source are investigated by fluid simulation including Navier-Stokes equations. The schematics diagram of inductively coupled plasma was designed as the two dimensional axial symmetry structure. Sixty six kinds of chemical reactions were used in plasma simulation. And the Lennard Jones parameter and the ion mobility for each ion were used in the calculations. Velocity magnitude, dynamic viscosity and kinetic viscosity were investigated by using the fluid equations. $Ar/CH_4$ plasma simulation results showed that the number of hydrocarbon radical is lowest at the vicinity of gas feeding line due to high flow velocity. When the input power density was supplied as $0.07W/cm^3$, CH radical density qualitatively follows the electron density distribution. On the other hand, central region of the chamber become deficient in CH3 radical due to high dissociation rate accompanied with high electron density.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.7
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pp.1211-1217
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2016
Discharge characteristics of inductively coupled plasma were investigated by using electrostatic probe and fluid simulation. The Inductively Coupled Plasma source driven by 13.56 Mhz was prepared. The signal attenuation ratios of the electrostatic probe at first and second harmonic frequency was tuned in 13.56Mhz and 27.12Mhz respectively. Electron temperature, electron density, plasma potential, electron energy distribution function and electron energy probability function were investigated by using the electrostatic probe. Experiment results were compared with the fluid simulation results. Ar plasma fluid simulations including Navier-Stokes equations were calculated under the same experiment conditions, and the dependencies of plasma parameters on process parameters were well agreed with simulation results. Because of the reason that the more collision happens in high pressure condition, plasma potential and electron temperature got lower as the pressure was higher and the input power was higher, but Electron density was higher under the same condition. Due to the same reason, the electron energy distribution was widening as the pressure was lower. And the electron density was higher, as close to the gas inlet place. It was found that gas flow field significantly affect to spatial distribution of electron density and temperature.
We have developed a 2D axi-symmetric numerical model for an inductively coupled plasma system in order to analyze gas mixing effect through a narrow gap shower head. For frictional flow, holes of 0.5 mm diameter and 2 mm length are approximately modeled in 2D. Gas velocity distribution 10 mm below the shower head showed 2 times difference between the center and the edge at 10 mTorr. At 10 mm above the wafer, it was increased to 6 times difference due to the pumping duct effect. The model with a 5 mm height buffer region of a shower head showed reasonable behavior of Ar discharge. The density of Ar metastable showed additional peak inside the buffer region around the edge holes.
$CF_4$ gas is one of the most common chemicals used for dry etching in semiconductor manufacturing processes. For application to the etching process and environmental control, the low-pressure inductively coupled plasma (LP-ICP) was employed to obtain the spectrum of $CF_4$ gas. In terms of the analysis of the spectra, trace CF radical by A-X and B-X transitions was detected. The other $CF_x$ radicals, such as $CF_2$ and $CF_3$, were not seen in this experiment whereas strong C and $C_2$ emissions, dissociation products of $CF_4$ gas, were observed.
It is important to control the electron energy distribution to have high quality plasma process. A conventional inductively coupled plasma(ICP) source with 13.56MHz power is not adequate for low damage sub-half micron patterning process due to higher electron temperature. Only the pulsed plasma technique seems to provide low electron temperature, and thus low process damage. Recently, a novel method proposed by us, named as ‘Enhanced-ICP’, which uses periodic weak axial magnetic field added to a normal ICP source, has shown great improvement in etch characteristics. changes of plasma characteristics according to the frequency of time-varying axial magnetic field have been observed by probe-time-averaged Langmuir probe.
A mathematical model was developed to predict the temperature, the density, and the velocity distribution of an inductively coupled thermal plasma. It was for an atmospheric pressure argon thermal plasma generated by a 4 MHz radio frequency power. It has been shown that the hottest region can be moved toward centrial region by applying an external magnetic field. Based on the results of the simulation. an ICP(Inductively Coupled thermal Plasma) system was constructed and thermal plasma was generated.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.14
no.5
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pp.220-225
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2004
Four different Fluorine-based gases ($SF_6/,NF_3, PF_5,\; and \; BF_3$) were examined for high rate Inductively Coupled Plasma etching of Si. Etch rates up to ~8$\mu\textrm{m}$/min were achieved with pure $SF_6$ discharges at high source power (1500 W) and pressure (35 mTorr). A direct comparison of the four feedstock gases under the same plasma conditions showed the Si etch rate to increase in the order $BF_3$ < $NF_3$< $PF_5$ < $SF_6$. This is in good correlation with the average bond energies of the gases, except for $NF_3$, which is the least strongly bound. Optical emission spectroscopy showed that the ICP source efficiently dissociated $NF_3$, but the etched Si surface morphologies were significantly worse with this gas than with the other 3 gases.
Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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2004.04a
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pp.494-499
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2004
A ion source using inductively coupled plasma has been tested in order to test its feasibility as a high brightness ion source for focused ion beam. When operating the ion source with filter magentas in front of plasma electrode for a negative ion source, lower remittances are expected. Extracted beam remittances are measured with an Allison-type scanning device for various plasma parameters and extraction conditions. The normalized omittance has been measured to be around 0.2$\pi$mmmrad with beam currents of up to 0.55 ㎃. In particular, noting that multicusp magnets have a role in decreasing the remittance as well as increasing plasma discharge efficiency, transverse magnetic field has been confirmed to be a useful tool fur decreasing remittance via electron energy control.
The domestic development status of Inductively Coupled Plasma (ICP) simulator which is based on fluid model is explained. As each part which composes the unified simulator, electron heating module, charged and neutral particle transport module, surface reaction module including a sheath model, and GUI (Graphic User Interface) with pre- and post-processors are described in order. Also, we present data base status of chemical reaction and physical collision, which has been applied to the recently developed simulator until now. Lastly, some future plans of development are suggested.
In recent years, various types of partial discharge (PD) methods such as capacitive, inductive, electromagnetic, and acoustic coupling techniques have been developed for diagnosing rotating machines. An electromagnetic (EM) probe, which is an inductively coupled type of sensor, is required for detecting corona and internal discharges during off-line tests. In this study, a new technique for enhancing the measurement sensitivities for corona and internal discharge based on an EM inductive position sensor is proposed. An EM probe that winds wires around horseshoe-shaped and cylindershaped ferrites as helices is designed and optimized for the implementation of off-line PD monitoring of the stator winding of a rotating machine. The measurement system based on this design is implemented, and it is verified from the results of the experiment performed in this study that the probe provides similar performance as existing commercial products.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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