• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권3호
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• pp.49-56
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• 2002

본 연구에서는 평탄형 (exact) GaAs 기판과 $2^{\circ}$, $6^{\circ}$, $10^{\circ}$ 경사형 (offcut) GaAs 기판 등 네 종류의 기판에 유기금속 기상성장장치를 이용하여 InGaP 에피막을 성장시켰고, 기판경사도에 따른 계면의 탄성특성이 InGaP 에피막의 전위밀도에 미치는 영향에 대하여 최초로 연구하였다. 탄성변형은 TXRD의 격자부정합과 격자 misfit등을 고려하여 산출되었고, 전위밀도는 에피막의 x-선 반치폭을 이용하여 계산되었다. 기판경사도가 $6^{\circ}$일 때 계면의 탄성특성이 가장 양호하였고, x-선 반치폭은 가장 낮았다. 11 K PL측정 결과, 기판경사도 증가에 따라 PL 발진파장은 감소하였고, 기판경사도가 $6^{\circ}$에서 PL 강도 역시 가장 높았다. 에피막의 TEM 관측 결과, 회절패턴은 전형적인 zincblende 구조를 보였고, 기판경사도 $6^{\circ}$에서 전위밀도가 가장 낮게 관측되어 TXRD 및 저온 PL측정 결과와 부합되었다. 본 연구의 결과와 소자제작 특성 및 빔특성을 종합적으로 고려해 볼 대, 광전소자용 InGaP/GaAs 이종접합구조에서 최적의 기판경사도는 $6^{\circ}$임을 밝혔다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.158-158
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• 2009

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권2호
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• pp.91-97
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• 2009

The performance of GaInP/GaAs tandem solar cells with AlInP growth temperatures of 680$^{\circ}C$ and 700 $^{\circ}C$ on n-type GaAs (100) substrate with 2$^{\circ}$ and 6$^{\circ}$ tilt angles has been investigated. The series resistance and open circuit voltage of the fabricated tandem solar cells are affected by the substrate tilt angles and the growth temperatures of the window layer when zinc is doped in the tunnel diode. With carbon doping as a p-type doping source in the tunnel diode and the effort of current matching between top and bottom cells, GaInP/GaAs tandem solar cell has been exhibited 25.58% efficiency.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.295-298
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• 1999

AlGaAs/InGaAs power P-HEMTS (Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistors) with 1.0-${\mu}{\textrm}{m}$ gate length for PCS applications have been fabricated. We adopted single heterojunction P-HEMT structure with two Si-delta doped layer to obtain higher current density. It exhibits a maximum current density of 512㎃/mm, an extrinsic transconductance of 259mS/mm, and a gate to drain breakdown voltage of 12.0V, respectively. The device exhibits a power density of 657㎽/mm, a maximum power added efficiency of 42.1%, a linear power gain of 9.85㏈ respectively at a drain bias of 6.0V, gate bias of 0.6V and an operation frequency of 1.765㎓.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권4호
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• pp.226-231
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• 1999

Temperature dependence of effective ionization coefficients in GaAs is formulated as a single polynomial function of temperature, which allows analytical expressions for breakdown voltage of GaAs $p^+n$ junctions as a function of temperature. At 300 K, extracted effective ionization coefficient of GaAs $p^+n$ junction especially agrees well with the published result of <111> oriented GaAs. The analytic results agree with the simulation as well as the experimental ones reported within 10% in error for the doping concentrations in the range of $10_{14}cm_{-3}~10_{17}cm_{-3}$ at 100 K, 300 K and 500 K.

• Journal of Chest Surgery
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• 제42권2호
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• pp.165-174
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• 2009

배경: 심장 수술의 발전과 함께 자기 조직이 아닌 다른 인공 보철편의 필요가 늘어나 그에 따른 다양한 대체제가 연구 개발, 이용되고 있다. 본 연구는 더 나은 인공 조직보철편의 개발을 위해 이종이식 판막(돼지)과 심낭(돼지, 소)을 고정액에 따른 조직의 물리적 성질의 변화와 장력의 관계, 탄력도 변화, 열성 안정성을 알아보고자 하였다. 대상 및 방법: 이종이식 판막과 심낭을 처리하지 않은 그룹(fresh), glutaraldehyde (GA)로 고정한 그룹, glutaraldehyde (GA)에 ethanol 등과 같은 용매(solvent)를 첨가하여 고정한 그룹 세 그룹으로 나누어 검사하였다. 1) 각각의 군을 물리적 활성도 검사를 시행하였다. 2) 각 군별로 이종이식편의 일방향성 장력과 탄력도를 검사 비교하였다. 3) 소 심낭과 돼지 심낭을 각군 간에 열성 안정성 검사를 시행하였다. 결과: 1) 물리적 활성도 검사에서 촉진시 유의한 차이가 없었고, 봉합과, 신장도면에서 저농도 GA에 비해 GA+용매 처리군이 좀더 단단하게 느껴졌다. 2) 일반적으로 돼지의 대동맥, 폐동맥 판막의 원주방향 일방향성 장력과 탄력도는 아무것도 처리하지 않은 것보다 GA 혹은 GA+용매 처리 시 나아졌고, GA 혹은 GA+용매로 처리한 것 간에는 유의한 차이가 없었다(p>0.05). 소와 돼지의 심낭의 경우에도 GA 혹은 GA+용매로 처리한 것 간에는 유의한 차이가 없었다(p>0.05). 3) 각 실험과 군간에 GA 농도별로 비교 시 모든 군에서 그렇지는 않았지만, 고농도로 GA로 처리한 군(돼지의 폐동맥 판막, 돼지 심낭)에서 탄력도가 더 증가하는 경향이었다. 4) 소와 돼지 심낭 절편의 열 안정성 검사에서 GA 처리군과 GA+용매로 처리군간에 급격 수축 시점이 $80^{\circ}C$로 서로 차이가 없었다(소 심낭: p=0.057, 돼지 심낭: p=0.227). 결론: 이종 이식 보철편의 GA 고정 시 용매의 첨가는 압력-장력, 압력-탄력도, 열성 안정성 등 물리적 손실은 가져오지 않는 것으로 생각되며, 계속해서 더 나은 이식 보철 편 개발을 위한 여러 기능성 용매의 사용이나 세정 액의 연구개발이 필요하다.

• 한국항해학회지
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• 제14권2호
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• pp.77-82
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• 1990

In this paper the results for thin multi-layer InGaAsP($1.3{\mu}m$)/InP crystal growth by vertical liquid epitaxial growing furnance have been presented. The growth rates of InGaAsP layer and InP layer at cooling rate of $0.3^{\circ}C$/min and the growing temperature of $630^{\circ}C$ were obtained as $0.11 {\mu}m$/min and $0.06 {\mu}m$/min, respectively, by the uniform cooling with two phase solution technique.

• 한국광학회지
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• 제3권4호
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• pp.252-257
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• 1992

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$\mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$\mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$\mu$m였다. 발전파장은 1.302$\mu$m로써 양자우물두께 300$\AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.207-211
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• 2002

반도체-유전체 덮개층의 다양한 조합이 I $n_{0.53}$G $a_{0.47}$As/InGaAsP(Q1.25) 양자우물 무질서화에 미치는 영향을 PL(Photoluminescence)을 이용하여 조사하였다. 청색 편이에 대한 문턱 온도는 약 $750^{\circ}C$ 였으며 전반적으로 온도가 올라감에 따라 청색 편이도 점차 증가하였으나 $SiO_2$의 경우에는 온도가 올라감에 따라 포화되는 경향을 보였다. $SiN_{x}$ 가 $SiO_2$보다 더 큰 청색 편이를 야기하였는데 이것은 $SiN_{x}$의 낮은 성장 온도와 관계가 있는 것으로 생각된다. $SiN_{x}$의 경우 P의 확산이, 그리고 $SiO_2$의 경우 Ga의 확산이 청색 편이에 중요한 역할을 하는 것으로 여겨진다.겨진다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권9호
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• pp.24-29
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• 1993

The 607 nm GaInP/AlInP distributed bragg reflector (DBR) lasers using the second order gratings period of 184.7 nm were fabricated by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) and the conventional holographic method. GaInP/AlInP DBR lasers show single mode operations up to 1.8 times the threshold currents with a wavelength of 607 nm at 140 K and a wavelength shift of 0.033 nm/K is observed. No mode hopping was found in the temperature ranging from 120 to 165K.