• 제목/요약/키워드: InGaN UV bare chip

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InGaN UV bare칩을 이용한 $CaAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 형광체의 적색 발광다이오드 제조 (Fabrication of Red LED with Mn activated $CaAl_{12}O_{19}$ phosphors on InGaN UV bare chip)

  • 강현구;박정규;김창해;최승철
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.87-92
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    • 2007

  • [ $CaAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ ] 적색 형광체는 $Mn^{4+}$이온이 0.02 mol 첨가되었을 때 최대 발광 세기가 관찰되었고 $1600^{\circ}C$, 3시간 소성조건에서 우수한 결정성과 발광 효율을 나타내며 중심 파장이 658 nm에서 관찰되었다. 본 연구에서 개발된 $CaAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 형광체를 에폭시와 함께 1:3으로 혼합하여서 InGaN UV 발광체의 Bare 칩 위에 코팅하여 중심파장이 658 nm인 적색 LED를 제조하였다. 적색 형광체를 이용하여, 기존의 UV LED를 여기 광원으로 다양한 느낌의 백색 발광체를 설계 할 수 있을 것이다.

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