• 대한전자공학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.34-40
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• 1985

분자선 에퍼택시 (MBE)방법을 이용하여 (100) GaAs웨이퍼 위에 GaAs에퍼충을 성장시켜 성장된 충에 대한 여러가지 특성을 조사 ·분석하였다. 분자선 에피택시 방법을 이용하여 CaAs에퍼층을 만들 때에는 기판온도와 As와 Ca의 분자선 밀도비 (As/Ga)가 가장 큰 영향을 미친다. 본 실험에서는 좋은 표면상태를 얻기 위해 480℃∼650℃로 유지시키고 As cell의 온도를 230℃, Ga eel함 온도를 917℃로 고정시켜 As와 Ga의 분자선 밀도비를 5∼10 이상으로 유지시켰다. 제작된 GaAs에피층의 표면상태를 SIMS (Seconde,y ion Mass ipectoscopy), AES(Auger Electron Spectroscopy) , SEM (Scanning Elect.on Mic,oscopy) , RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) 등으로 조사한 결과 기판온도가 540℃일 때 가장 좋은 표면상태를 얻을 수 있었다. 또한 RH-EED관찰 결과 As 안정화된 표면을 관측할 수 있었으며 SIMS로 depth-Profile을 해 본 곁과, Ca 보다 As가 불안정함을 알았다. 또한 반선 회절 검사결과에서 기판온도가 520℃일때와 540℃일때 (400), (200)면에 단결정이 형성되었음을 알 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권5호
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• pp.253-256
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• 2017

A thin Te interlayer was applied to a Ni/n-InGaAs contact to reduce the contact resistance between Ni-InGaAs and n-InGaAs. A 5-nm-thick Te layer was first deposited on a Si-doped n-type $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ layer, followed by in situ deposition of a 30-nm-thick Ni film. After the formation of the Ni-InGaAs alloy by rapid thermal annealing at $300^{\circ}C$ for 30 s, the extracted specific contact resistivity (${\rho}_c$) reduced by more than one order of magnitude from $2.86{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$ to $8.98{\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm^2$ than that of the reference sample. A thinner Ni-InGaAs alloy layer with a better morphology was obtained by the introduction of the Te layer. The improved interface morphology and the graded Ni-InGaAs layer formed at the interface were believed to be responsible for ${\rho}_c$ reduction.

• 산업기술연구
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• 제24권B호
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• pp.59-64
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• 2004

GaAs thin films were grown epitaxially by MOCVD method on (001) GaAs substrate. And as a surfactant, Bi(bismuth) thin films were deposited on GaAs buffer layer by using TMBi(trimethylbismuth) source. In-situ reflectance difference spectroscopy(RDS) was used to monitor the surface reconstruction of GaAs and Bi thin films. As the results, under the exposure of TBAs(tertiarybuthylarsine) and hydrogen atmosphere, the surface reconstruction of GaAs was changed from As-rich c($4{\times}4$) to As-rich ($2{\times}4$), which was due to the adsoption and desorption of As dimers. The first bismuth surface related RDS signal was reported. At the deposition temperature of $450^{\circ}C$, Bi-terminated GaAs surface showed the RDS spectrum similar to that of Sb-terminated GaAs surface, possibly a ($2{\times}4$) surface. And Bi surface layers were rapidly evaporated with increasing the deposition temperature($550^{\circ}C$), finally becoming As-terminated ($2{\times}4$) surface.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권3호
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• pp.59-65
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• 1992

In this paper, the Numerov method is applied to solve the Schroedinger equation for $Al_{0.3}Ga_{0.7}AS/GaAs/Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ double-heterojunction HEMT structures. The 3 subband energy levels, corresponding wave functions, 2-dimensional electron gas density, and conduction band edge profile are calculated from a self-consistent iterative solution of the Schroedinger equation and the Poisson equation. In addition, 2-dimensional electron gas densities in a quantum well of double heterostructure are calculated as a function of applied gate voltage. The density in the double heterojunction quantum well is increased to about more than 90%, however, the transconductance of the double heterostructure HEMT is not improved compared to that of the single heterostructure HEMT. Thus, double-heterojunction structures are expected to be suitable to increase the current capability in a HEMT device or a power HEMT structure.

• 한국결정성장학회지
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• 제1권1호
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• pp.51-59
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• 1991

GaAs를 Si 웨이퍼에 성장시킬 때 초기단계의 핵생성에 대하여 computer simulation을 통해 이론적으로 고찰하였다. 기존의 핵생성이론과는 달리 초기의 미세한 핵의 경우 핵을 구성하는 ledge와 ledge간의 상호작용은 핵의 크기 및 모양에 의하여 결정되는 ledge간의 거리에 따라 변화함을 알 수 있었다. 따라서 여러 형태의 핵에 대하여 분석하여 본 결과 다층의 피라미드 형태로 GaAs 핵이 생성될 때 가장 낮은 excess에너지가 요구되었고 이와 같은 결과는 이러한 형태가 필연적으로 포함하게 되는 에너지가 낮은 Ga(111) facet 때문인 것으로 밝혀졌다. 그러므로 GaAs/Si에서 가장 문제가 되고 있는 전위결함도 초기의 핵생성에 크게 기인함을 알 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.681-686
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• 1999

본 논문에서는 편광 비의존 특성을 가지는 반도체 광 증폭기 개발을 위해 지금까지와는 다른 새로운 방법인 160($\AA$) 두께를 가지는 GaInAs 양자 우물에 GaAs Delta 층을 각각 1층, 2층, 3층을 삽입한 구조와 GaAs Delta 3층의 구조에서 Delta 층의 두께를 1 원자층에서 3 원자층까지 변화시켜 계산한 결과, 1 원자층 두께를 가지는 GaAs Delta 층이 3층 포함된 구조에서 3dB 이득 대역폭이 TE, TM 모두 85nm로 매우 넓은 대역폭과 편광 비의존 특성을 함께 가지는 구조를 얻어낼 수 있었다. 이러한 GaInAs 양자 우물에 GaAs Delta 층을 삽입한 구조의 이론적 이득 특성의 결과는 반도체 광 증폭기의 설계에 있어서 아주 중요하며, 또한 광대역 과장 분할 다중화 시스템에 적용될 수 있는 반도체 광 증폭기에 알맞은 구조로 사용될 수 있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.102-105
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• 2000

외부 베이스 표면에 형성되는 표면 재결합 상태의 불안정성을 개선하기 위해 에미터 ledge 구조로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 신뢰도 측정을 위해 고온에서 오랜 시간동안 정전류 스트레스를 인가하였다. 553K, 533K, 513K에서 콜렉터 전류 24㎃로 스트레스를 인가해 전류이득의 열화를 관찰하였다. 그 결과 EA＝1.97eV, WTTF＝4.8$\times$108시간(14$0^{\circ}C$)을 구하였다. InGaP/GaAs HBT의 열화 원인은 베이스 도펀트인 C의 확산으로 추정된다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제17권1호
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• pp.16-21
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• 2013

In this paper, we report the effect of GaN/graded-composition AlGaInN/GaN quantum barriers in active regions on the electrical and optical properties of GaN-based vertical light emitting diodes (VLEDs). By modifying the aluminum composition profile within the AlGaInN quantum barrier, we have achieved improvements in the output power and the internal quantum efficiency (IQE) as compared to VLEDs using conventional GaN barriers. The forward voltages at 350 mA were calculated to be 3.5 and 4.0 V for VLEDs with GaN/graded-composition AlGaInN/GaN barriers and GaN barriers, respectively. The light-output power and IQE of VLEDs with GaN/graded-composition AlGaInN/GaN barriers were also increased by 4.3% and 9.51%, respectively, as compared to those with GaN barriers.

• 한국광학회지
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• 제8권3호
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• pp.213-217
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• 1997

n형과 p형 GaAs의 도핑에 따른 형광과 시간 분해 형광특성을 조사하였다. 도핑의 농도가 증가할수록 형광의 피크 위치는 p형은 낮은 에너지 쪽으로, n형은 높은 에너지 쪽으로 이동함을 관찰하였다. 이것은 p형은 띠간격 좁아짐 효과가 우세하게 작용하며, n형은 Burstein-Moss효과가 지배적으로 작용하기 때문인 것으로 해석된다. 또한, 도핑의 농도가 증가하면 형광의 소멸시간과 상승시간이 감소하며, p형의 형광소멸시간과 상승시간이 n형보다 더 빠르게 나타났다. 따라서 도핑된 GaAs에서 형광소멸시간과 상승시간은 다수 운반자의 종류와 농도에 의존함을 알 수 있으며, 운반자-운반자 상호작용이 에너지 이완 과정에 중요한 역할을 함을 알 수 있었다.

• ETRI Journal
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• 제20권2호
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• pp.231-240
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• 1998

We report, for the first time, the fabrication of vertically stacked InGaAs/GaAs quantum wires (QWRs) on V-grooved substrates by chemical beam epitaxy (CBE). To fabricate the vertically stacked QWRs structure, we have grown the GaAs resharpening barrier layers on V-grooves with (100)-(322) facet configuration instead of (100)-(111) base at 450 $^{\circ}C$. Under the conditions of low growth temperature, the growth rate of GaAs on the (322) sidewall is higher than that at the (100) bottom. Transmission electron microscopy verifies that the vertically stacked InGaAs QWRs were formed in sizes of about $200{\AA} {\times} 500{\sim}600 {\AA}$. Three distinct photoluminescence peaks related with side-quantum wells (QWLs), top-QWLs and QWRs were observed even at 200 K due to sufficient carrier and optical confinement. These results strongly suggest the existence of the quantized state in the vertically stacked InGaAs/GaAs QWRs grown by CBE.